无锡静态平板探测器技术指导

间接转换平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)或电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)或互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)构成。间接转换平板探测器的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或CCD或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。 上海煜影光电科技有限公司专业生产制造X光平板探测器，您对此类设备有技术疑问，请联系我们获取解答。无锡静态平板探测器技术指导

间接转换平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE会产生影响。常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯(CsI)和硫氧化钆(Gd2O2S)。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强，但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 济南工业平板探测器应用范围按传感器阵列形状，可分为平板探测器和线阵探测器。

X射线管包含有阳极和阴极两个电极，分别用于接受电子轰击的靶材和发射电子的灯丝。两极均被密封在高真空的玻璃或陶瓷外壳内。X射线管供电部分至少包含有一个使灯丝加热的低压电源和一个给两极施加高电压的高压发生器。当钨丝通过足够的电流使其产生电子云，且有足够的电压（千伏等级）加在阳极和阴极间，使得电子云被拉往阳极。此时电子以高能高速的状态撞击钨靶，高速电子到达靶面，运动突然受到阻止，一部分动能转化为辐射能，以X射线的形式放出，以这种形式产生的辐射称为轫致辐射。改变灯丝电流的大小可以改变灯丝的温度和电子的发射量，从而改变管电流和X射线强度的大小。改变X光管激发电位或选用不同的靶材可以改变入射X射线的能量或在不同能量处的强度。由于受高能电子轰击，X射线管工作时温度很高，需要对阳极靶材进行强制冷却。

X线摄影主要基于二维解剖平面成像，在诸多部位的成像上受到重叠影像影响，难以对病灶进行精细的定位与评估。以胸片为例，由于胸部纵膈心影重叠以及膈下肋骨重叠，极易导致漏诊与误诊的发生。由此，一种新的数字化X线摄影技术开始出现：动态数字化X线摄影技术，简称为动态DR。动态DR相较于常规数字化X线摄影，能极大地提升X线影像质量控制效果，同时对于诸多部位的摄片诊断能提供运功功能的视角和评估参考，进一步提升筛查与诊断的精细性。动态DR作为X线摄影技术，在临床中具备大范围的应用价值与优势。 平板探测器在安检领域的应用包括公共场所安检、车辆集装箱检查、可疑包裹排查等。

平板探测器（简称FPD）成像时会受到暗场飘移、响应不一致和坏点等因素影响，因此必须对平板探测器进行一下几种校正。

1、暗场校正（OFFSET correction），就是在开启射线源进行检测工作时，为了正确反映出透照物体内部结构与图像灰度值之间的对应关系，去除叠加在实际输出响应上的暗场图像值。

2、虽然在线性曝光剂量范围内，平板探测器的每个探测单元对X射线响应是线性的，但不同探测单元的X射线响应系数并不完全一致，即响应不一致性。它带来的后果是相同的入射射线强度，但输出不同。因此必须对平板探测器做增益校正（GAIN correction）。

3、平板探测器（FPD）使用过程中，元器件老化、辐射额碰撞损伤都会产生新的坏点，所以定期更新坏点位置图（坏像素校正））是十分重要的。 平板探测器工业应用从工业铸件、管道焊缝等传统检测逐步拓展到新能源电池检测、集成电路检测等。上海安防平板探测器技术指导

Short-term memory effect 60s：一次曝光60S后探测器短期记忆效应。无锡静态平板探测器技术指导

X线影像的形成，应具备以下三个基本条件：

1、X线应具有一定的穿透力，这样才能穿透照射的组织结构；

2、被穿透的组织结构，必须存在着密度和厚度的差异，这样，在穿透过程中被吸收后剩余下来的X线量，才会是有差别的；

3、这个有差别的剩余X线，仍是不可见的，还必须经过显像这一过程，例如经X线片、荧屏或电视屏显示才能获得具有黑白对比、层次差异的X线影像。人体组织结构，是由不同元素所组成，依各种组织单位体积内各元素量总和的大小而有不同的密度。 无锡静态平板探测器技术指导

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