平板探测器基本参数
  • 品牌
  • 煜影
  • 型号
  • 4343SA;3543SA;4343WA;
  • 类型
  • X射线探测器
  • 加工定制
平板探测器企业商机

平板探测器(简称FPD)常用的曝光方式为内触发,通过闪烁材料把X射线转换为可见光,可见光照射光电传感器输出电流,配合相关电路输出电平信号,探测器根据这个电平信号来控制曝光。但是光电传感器内触发灵敏度高,容易存在误触发、不触发的情况,且平板清空指令发出的时间不灵活,容易引发上图时间长等问题;同时内触发方式引起的漏电流影响了成像的质量。上海煜影光电采用成熟的技术方案,解决了成像质量,也控制了时间间隔,以尽量少的时间,得到较好的图像。 AED是自动感应曝光技术,可以让平板探测器自动探测X射线,自动进入曝光窗口,把图像输出至计算机。合肥无线平板探测器技术参数

心血管医学:用于冠状动脉造影、心脏支架手术等高精度手术,提供清晰、连续的血管影像。放学:用于放疗室,为精确放疗提供高分辨率影像。医学影像诊断:用于CT、MRI等大型医疗设备,提供高质量的影像数据。移动式医疗:用于野战医院、灾区救援等紧急情况,提供便捷、快速的影像采集设备。四、平板探测器的价值平板探测器在医疗领域中具有重要的价值,主要体现在以下几个方面:提高影像质量:平板探测器能够提供高分辨率、高对比度的影像,从而提高诊断准确率。四川静态平板探测器X射线自动检测是利用X射线成像技术代替人眼,对产品进行自动检测。

将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式会对DQE产生影响。在碘化铯(或者硫氧化钆)薄膜晶体管这种结构的平板探测器中,因为TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大,所以可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上,没有光子损失,所以DQE也比较高。在非晶硒平板探测器中,X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对,DQE的高低取决于非晶硒层产生电荷能力。总的说来,碘化铯TFT这种结构的间接转换平板探测器的极限DQE高于碘化铯直接转换平板探测器的极限DQE。

闪烁体除了材料区别,还有工艺区分,主要分为直接生长型和贴膜型。

1、直接生长型主要为闪烁体晶体通过专业设备蒸镀在非晶硅TFT上,大致形式为将非晶硅TFT倒置在专业蒸镀设备上,可以精确到微米级的晶体生长。约10小时后,晶体直接生长在TFT上,再通过惰性化学物质将晶体长期封装在TFT上。该工艺十分复杂,设备高昂,但直接生长的碘化铯工艺和材料可以确保在低剂量下图像效果为比较好效果。

2、除了直接蒸镀就为贴膜工艺,将晶体放到膜上然后通过贴合到TFT表面,该种工艺多了一层中间的转换层降低了转换效率,另外贴合分为全自动覆膜机贴合和人工贴合。该工艺对胶水要求高,要求比例均匀和贴合工艺正确,不然会出现脱落和不均匀影响图像效果。 DR系统包括X射线发生装置、平板探测器、系统控制器、影像显示器、影像处理工作站等部分。

像素是一个面积单位,相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米,整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元,清晰度非常高。像素太大,则无法看到病灶点的细节,像素太小,则需要提高每个像素的入射光子数量,则提高了X光的剂量,对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度,同时也充分利用了入射剂量,减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的单元,芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺,一般分为直接bonding在TFT上,该技术为CHIPON GLASS。该技术无中间层,提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接,提高了损耗。总结来看,直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上,为目前平板的**设计和比较好设计。 辐射剂量被物质吸收表现为吸收剂量,对应的生物效应表现为当量剂量。无锡动态平板探测器技术指导

Short-term memory effect 60s:一次曝光60S后探测器短期记忆效应。合肥无线平板探测器技术参数

DQE影响了图像的相比较度,空间分辨率影响图像对细节的分辨能力。在摄片中应根据不同的检查部位来选择配置不同类型平板探测器的DR。对于胸部这样的检查,重点在于观察和区别不同组织的密度,所以对密度分辨率的要求比较高,宜使用非晶硅平板探测器的DR,这样DQE比较高,容易获得较高相比较度的图像,更有助于诊断。对于四肢关节、乳腺这些部位的检查,需要对细节有较高的显像,对空间分辨率的要求很高,宜采用非晶硒平板探测器的DR,以获得高空间分辨率的图像。 合肥无线平板探测器技术参数

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