放电管呢是一种用于设备输入端（例如：交直流电源以及各类信号电路等）的保护元器件，一般常见的放电管有TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管三类。TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管分别有什么优势？1.半导体放电管也称固态放电管，是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种二端保护元器件，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、双向对称以及可靠性高等质量特性。但由于其浪涌吸收能力强，所以有时候会在无源电路中代替TVS管使用。这类放电管一般不能直接用于有源的电路中，可添加限流元件，让它的续流小于维持电流，有贴装式、直插式以及轴向引线式三种。诚信商家，价格优势，专业设计半导体放电管深圳市凯轩业科技有限公司。大规模半导体放电管
半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应 响应时间 ns 级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尽寸的TVS管强，可在无源电路中代替 TVS 管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于**小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。-----------重庆大规模半导体放电管放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿。
玻璃放电管SPG是集陶瓷气体放电管的大浪涌通流能力和半导体放电管的快速响应于一体的防雷元器件，克服了原气体放电管响应速度慢（μs级）和半导体放电管耐浪涌电流弱的缺点，是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（比较大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（比较高达4500V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。按它的8/20μs脉冲放电电流IPP的大小分为UNC(3kA)、UNB(1kA)、UNA(500A)三个系列。
气体放电发光原理放电通常比白炽灯更有效，这是由于其辐射来自高于固体灯丝能达到的温度区域。放电是比钨更有选择的发射体(可移向可见区或者紫外区而远离红外辐射x)，因此在红外辐射区有更少的能量浪费放电形成等离子体，它是离子、电子形成的混合体，平均呈电中性。一般必须有与等离子体的电子连接，通常是电极，但无电极连接也是可能的。气体放电示意图:空心圆表示可被电离和形成等离子体的气体原子。当带有正电荷的粒子在电场作用下定向位移时，就形成了放电电流。阴极必须能发射出足够多的电子，以维持电流的持续，而阳极则接收电流。图中的电阻是直流放电时起限制电流作用的镇流器。圆中有*符号的表示是被高能电子激发的原子，他们会产生辐射。当一个足够大的电场加在气体上，气体被击穿而导电。**熟悉的例子是闪电。产生击穿是由于自然界中总有数量很小的、由宇宙射线或者自然放射所产生的以电子-离子对形式存在的电离。外加的电场使电子加速(离子相对是静止的)气体放电学原理1.碰撞，激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞，弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向。
气体放电管的主要参数1）反应时间指从外加电压超过击穿电压到产生击穿现象的时间，气体放电管反应时间一般在μs数量极。2）功率容量指气体放电管所能承受及散发的比较大能量，其定义为在固定的8×20μs电流波形下，所能承受及散发的电流。3）电容量指在特定的1MHz频率下测得的气体放电管两极间电容量。气体放电管电容量很小，一般为≤1pF。4）直流击穿电压当外施电压以500V/s的速率上升，放电管产生火花时的电压为击穿电压。气体放电管具有多种不同规格的直流击穿电压，其值取决于气体的种类和电极间的距离等因素。5）温度范围其工作温度范围一般在－55℃～＋125℃之间。6）绝缘电阻是指在外施50或100V直流电压时测量的气体放电管电阻,一般>1010Ω。深圳市凯轩业科技致力于气体放电管生产研发设计，竭诚为您服务。大规模半导体放电管
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绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大，厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值，约为数千兆欧。绝缘电阻值的降低会导致漏流的增大，有可能产生噪音干扰。放电管的寄生电容很小，极间电容一般在1pF～5pF范围，极间电容在很宽的频率范围内保持近似不变，同型号放电管的极间电容值分散性很小。二、使用选择直流放电电压的选择：从不影响被保护系统正常运行的要求出发，希望放电管的直流放电电压选得高些。但直流放电电压高的管子，冲击放电电压也高；从被保护电子设备的耐受性来说看，希望管子的直流放电电压选得低一些。所以，放电管的支流放电电压应在这两种相互制约的要求之间进行折衷选择。大规模半导体放电管
