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瞬变抑制二极管基本参数
  • 品牌
  • KXY
  • 型号
  • SMAJ12CA
  • 尺寸
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  • 可售卖地
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  • 是否定制
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如果把整流电路的结构作一些调整,可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。全波整流电路,可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头,把次组线圈分成两个对称的绕组,从而引出大小相等但极性相反的两个电压e2a 、e2b ,构成e2a 、D1、Rfz与e2b 、D2、Rfz ,两个通电回路。全波整流电路的工作原理,可用图5-4 所示的波形图说明。在0~π间内,e2a 对Dl为正向电压,D1 导通,在Rfz 上得到上正下负的电压;e2b 对D2为反向电压,D2 不导通(见图5-4(b)。在π-2π时间内,e2b 对D2为正向电压,D2导通,在Rfz 上得到的仍然是上正下负的电压;e2a 对D1为反向电压,D1 不导通(见图5-4(C)。瞬变抑制二极管,就选深圳市凯轩业电子科技,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!广东瞬变抑制二极管批发厂家

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13、江崎二极管 (Tunnel Diode)它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01 微米以下);简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标“P”表示“峰”;而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。自动化瞬变抑制二极管直销诚信商家,用户的信赖之选,瞬变抑制二极管就选凯轩业科技。

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较高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压VB的一半作为VR。(3)较大反向电流IR:它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。(5)正向电压VF:指二极管正向电压是电流通过二极管传导时产生的电压降。(6)反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常包含一个PN结,有正极和负极两个端子。整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。这里我们来聊一聊关于整流二极管的作用是什么,整流二极管的作用具有非常明显的单向导电性,在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。一般来说,整流二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的pn结界面。这里主要整理了整流二极管的三个作用:一、防止电流倒灌作用 二、起到保护电路作用,防止接错了正负极。  三、反向击穿作用用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!晶体管设计,就选深圳市凯轩业电子科技。

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6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是 N 型硅单晶片)上,扩散 P 型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此,不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 瞬变抑制二极管就选凯轩业科技,有想法可以来我司咨询!河北瞬变抑制二极管厂家供应

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桥式整流电路是使用较多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二极管口连接成"桥"式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时,对D1、D3和方向电压,Dl,D3导通;对D2、D4加反向电压,D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz 、D3通电回路,在Rfz ,上形成上正下负的半波整洗电压,e2为负半周时,对D2、D4加正向电压,D2、D4导通;对D1、D3加反向电压,D1、D3截止。电路中构成e2、D2Rfz 、D4通电回路,同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压广东瞬变抑制二极管批发厂家

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