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激光二极管基本参数
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激光二极管企业商机

结构性能编辑物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下,LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用,从而进一步激励从结上发射出单波长的光,这种光的物理性质与材料有关。在VCD机中,半导体激光二极管是激光头的**部件之一,它大多是由双异质结构的镓铝砷(AsALGA)三元化合物构成的,是一种近红外半导体器件,波长为780~820nm,额定功率为3~5mw。另外,还有一种可见光(如红光)半导体激光二极管,也广泛应用于VCD机以及条形码阅读器中。激光二极管的外形及尺寸如图1所示。其内部结构类型有三种,如图2所示。由图2可见,激光二极管内包括两个部分:***部分是激光发射部分(可用LD表示),它的作用是发射激光,如图中电极(2);第二部分是激光接受部分(可用PD表示),它的作用是接受、监测『JD发出的激光(当然,若不需监测LD的输出,PD部分则可不用),如图中电极(3);这两个部分共用公共电极(1),因此,激光二极管有三个电极。LD是激光二极管的英文缩写,激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体。激光二极管是什么

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发光二极管是一种特殊的二极管,发光二极管由半导体芯片组成,这些半导体材料会预先通过注入或掺杂等工艺以产生pn结结构。与其它二极管一样,发光二极管中电流可以轻易地从p极(阳极)流向n极(负极),而相反方向则不能。两种不同的载流子:空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向pn结。当空穴和电子相遇而产生复合,电子会跌落到较低的能阶,同时以光子的方式释放出能量。它所发出的光的波长,及其颜色,是由组成pn结的半导体物料的禁带能量所决定。由于硅和锗是间接禁带材料,在这些材料中电子与空穴的复合是非辐射跃迁,此类跃迁没有释出光子,所以硅和锗二极管不能发光。发光二极管所用的材料都是直接禁带型的,这些禁带能量对应着近红外线、可见光、或近紫外线波段的光能量。在发展初期,采用砷化镓(GaAs)的发光二极管只能发出红外线或红光。随着材料科学的进步,人们已经制造出可发出更短波长的、各种颜色的发光二极管。以下是传统发光二极管所使用的无机半导体物料和所它们发光的颜色:铝砷化稼(AlGaAs)-红色及红外线铝磷化稼(AlGaP)-绿色aluminiumgalliumindiumphosphide(AlGaInP)-高亮度的橘红色,橙色,黄色,绿色磷砷化稼(GaAsP)-红色,橘红色,黄色新型激光二极管生产企业这种结构既可作可调谐光器件,也可用于半导体激光器集成,构成可调谐激光器。

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激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照PN结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。半导体激光二极管的基本结构如图所示,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:λ=hc/Eg(1)式中:h—普朗克常数;c—光速;Eg—半导体的禁带宽度。

FG-LDFG-LD(光纤光栅激光二极管)利用已成熟的封装技术,将含有FG的光纤与端面镀有增透膜的F-P腔LD耦合而成可调谐外腔结构的激光器,由LD芯片、空气间隙、光纤前端的光纤部分组成,光学谐振腔在光栅和LD外端面之间。LD的内端面镀有增透膜,以减小其F-P模式,FG用来反馈选模,由于其极窄的滤波特性,LD工作波长将控制在光栅的布拉格发射峰带宽内,通过加压应变或改变温度的方法,调谐FG的布拉格波长,就可以得到波长可控制的激光输出。FG-LD制作组装相对简单,性能却可与DFB-LD相比拟,激射波长由FG的布拉格波长决定,因此可以精控,单模输出功率可达10mW以上,小于2.5kHz的线宽,较低的相对强度噪声与较宽的调谐范围(50nm),在光通信的某些领域有可能替代DFB-LD。已进行用于2.5Gb/sx64路的信号传输的实验。深圳市凯轩业科技有限公司,激光二极管信赖之选。

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GCSR-LDGCSR-LD(光栅耦合采样反射激光二极管)是一种波长可大范围调谐的LD,其结构从左往右分别为增益、耦合器、相位、反射器区域,改变其增益、耦合、相位和反射器各个部分的注入电流,就可改变其发射波长。此LD波长可调范围约80nm,可提供322个国际电信联盟ITU-T建议的波长表内的波长,已进行寿命试验。MOEMS-LDMOEMS-LD(微光机电系统激光二极管)用静电方式控制可移动表面设定或调整光学系统中物理尺寸,进行光波的水平方向调谐。采用自由空间微光学平台技术,控制腔镜位置实现F-P腔腔长的变化,带来60nm的可调谐范围。这种结构既可作可调谐光器件,也可用于半导体激光器集成,构成可调谐激光器。激光二极管注入电流在临界电流密度以下时,发光机制主要自发放射,光谱分散广,频宽大约在100到500埃之间。新型激光二极管生产企业

只有粒子的平衡态被打破,使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转),才能发出激光。激光二极管是什么

激光二极管:激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点,但它对过电流、过电压以及静电干扰极为敏感,因此,在使用时,要特别注意不要使其工作参数超过其比较大允许值。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。激光二极管是什么

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