半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其**是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光凯轩业科技有限公司，气体放电管，欢迎来电。辽宁厂家直销半导体放电管
气体放电管一般采用陶瓷作为封装外壳，放电管内充满电气性能稳定的惰性气体，放电管的电极一般有两个电极、三个电极和五个电极三种结构。当在放电管的极间施加一定的电压时，便在极间产生不均匀的电场，在电场的作用下，气体开始游离，当外加电压达到极间场强并超过惰性气体的绝缘强度时，两极间就会产生电弧，电离气体，产生“负阻特性”，从而马上由绝缘状态转为导电状态。即电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间电压。也就是说在无浪涌时，处于开路状态，浪涌到来时，放电管内的电极板关合导通。浪涌消失时，极板恢复到原来的状态。气体放电管是一种开关型的防雷保护器件，一般用于防雷工程的***级或第二级的保护上；由于它的极间绝缘电阻大，因而寄生电容很小，所以用于对高频电子线路的保护有着明显的优势。然而气体放电管由于其本身在放电时的时延性较大和动作灵敏性不够理想，因此它对于上升陡度较大的雷电波头也难以进行有效的抑制，所以气体放电管一般在防雷工程的应用上大多与限压型防雷器进行综合应用。辽宁厂家直销半导体放电管深圳市凯轩业科技气体放电管设计值得用户放心。
玻璃放电管SPG是集陶瓷气体放电管的大浪涌通流能力和半导体放电管的快速响应于一体的防雷元器件，克服了原气体放电管响应速度慢（μs级）和半导体放电管耐浪涌电流弱的缺点，是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（比较大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（比较高达4500V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。按它的8/20μs脉冲放电电流IPP的大小分为UNC(3kA)、UNB(1kA)、UNA(500A)三个系列。
原理玻璃放电管中间所充的气体主要是氖或氩,并保持一定压力。当其两端电压低于放电电压时，气体放电管是一个绝缘体(电阻Riso>100MΩ)。当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电，气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低。玻璃放电管受到瞬态高能量冲击时，它能以10-9秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达千安量级的浪涌电流。应用玻璃放电管广泛应用于供电、数据、信息接收、医疗器械、通讯、消费类产品，高频电路、3G通讯产品、通讯基站设备及其他静电通讯及家电等系列产品。a、用于供电b、用于数据传递装置c、天线装置或天线/信号电路包括可动部件d、抗静电装置e、多种医疗器械深圳市凯轩业科技有限公司，气体放电管信赖之选。
玻璃放电管的工作原理玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是凤或氲，并保持一定压力,电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。这些措施使得动作电压可以调整(一般是200伏到几千伏)，而且可以保持在一个确定的误差范围内。当其两端电压低于放电电压时，气体放电管是一个绝缘体(电阻Rohm>100M2)。当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电，气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低。玻璃放电管受到瞬态高能量冲击时，它能以10-9秒量级的速度将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达千安量级的浪涌电流。玻璃放电管的选型技巧@玻璃放电管既可以用作电源电路的保护，也可以用作信号电路的保护，既可以用作共模保护，也可以用作差模保护。但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。@直流击穿电压VS的选择:直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的比较高电源峰值电压或比较高信号电压的1.2倍以ro自在有可能出现续流的地方(如电源电路)使用时，必须串联限流电阻或自恢复保险丝，防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大，厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值，约为数千兆欧。半导体放电管商家
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反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。四、特点1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。2.适合流动和量低，可用于高频电路。5.高绝缘阻抗特性。6.可进行编带包装。7.符合IEC61000-4-2规格辽宁厂家直销半导体放电管
