2002年,Batay L E等人报道了二极管泵浦的Tm:KYW晶体的连续可调激光输出,较大功率为1.8W[51]。同年,他们在Tm:KYW晶体中实现了被动调Q激光输出,比较大脉冲能量约为4J,**窄脉冲宽度为55ns[48]。2004年,Petrov等人在Tm:KGdW中实现了1790-2042nm的宽调谐激光输出[47]。2006年,该团队采用Ti:蓝宝石802nm作为激发源,实现了1.95m的激光输出,较大输出功率为4W,比较大倾斜效率为69%,调谐范围为1800~1987nm,是目前掺Tm3钨酸盐晶体的比较好激光实验结果。用直拉法可成功地生长了浓度分别为1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶体。黑龙江品质TmYAP晶体直供
氟化物晶体声子能量较小,激光的上能级荧光寿命较长,有利于实现激光操作。此外,氟化物晶体一般具有中等硬度和热导率,因此常被用作激光基底。Tm:YLF、Tm:CaF2、Tm:BaY2F8等掺入Tm3的氟化物晶体被报道。它们的结构截然不同。YLF是四方单轴晶体,CaF2是立方各向同性晶体,BaY2F8是单斜晶体。不同的结构使它们的光谱性质不同。Tm:YLF因其***热透镜效应和输出线偏振光的优点而被***研究。1998年,Yokozawa T等人在12%Tm:YLF中通过781nm二极管泵浦获得了4.6 nm调谐范围的单纵模1.3mW激光输出。黑龙江品质TmYAP晶体直供低温下TmYAP有少量尖锐发射峰。
Tm:YAP是二极管泵浦发射2μm波段激光的重要晶体。Tm:YAP与Tm:YAG晶体相比,虽然它们物理、化学性质相近,但Tm:YAP晶体的795nm泵浦吸收带与常用的高功率AlGaAs二极管发射波长匹配得更好,并且它的泵浦吸收带宽比Tm:YAG晶体宽4nm,效率更高,并且直接输出线偏振光。Tm:YAP晶体在激光医疗和官方领域中获得重要应用。公司生产高质量Tm:YAP晶体,提供直径2~10mm、长度2~100mm晶体激光棒。Tm:YAP 晶体的优势:优良的物理、化学和光学性能:2μm波段激光输出效率高于Tm:YAG晶体,直接输出线偏振激光,二极管泵浦吸收带宽比Tm:YAG晶体宽4nm,795nm泵浦吸收带与常用的AlGaAs二极管发射波长匹配好。注:YAP晶体有两种空间群表示方法,分别为Pnma空间群和Pbnm空间群。Pbnm空间群的a轴等同于Pnma空间群的c轴;Pbnm空间群的b轴等同于Pnma空间群的a轴;Pbnm空间群的c轴等同于Pnma空间群的b轴。
在半导体靶材领域,也有稀土相关身影出现,虽然绝大多数半导体芯片的溅射靶材都是采用的铜、铝等传统金属,但仍有相当一部分采用的是钽靶、钼靶等为主。比如钼和氧化铟常被用做平板显示靶材,钽被用做芯片的靶材,钨被用作存储器芯片的靶材。稀土的另一大用途则是在激光方面,甚至有观点认为稀土孕育了人造激光。目前已知约有320种激光晶体,其中约290种是掺入稀土作为触活离子的,比如掺钕钇铝石榴石晶体,可以用作重复频率高的脉冲激光器,氟化锂钇可以被用作二极管泵浦的激光晶体。TmYAP晶体的热透镜效应,包括TmYAP晶体的热透镜焦距的理论推导和结合具体参数的数值计算。
热导率测试本实验中采用激光脉冲法对所生长晶体热导率进行了测量。激光脉冲法是常用的测试热导率方法之一,可以获得不同温度下样品的热导率。其原理为:在四周绝热的薄圆片试样的正面,辐照一个垂直于试样正面的均匀的激光脉冲进行加热,热量在样品中扩散,使样品背部的温度上升。通过热电偶或红外线测量仪测出试样背面温升,输入到高速记忆存储器,放大后再输出到计算机进行处理,获得热扩散系数a,然后通过公式 λ=α.C.ρ (2-3)计算得样品热导率。其中λ为热导率,C为样品比热系数,ρ为样品密度。上空腔温度梯度较小,温度均匀性较高的温场设计能够有效的解决TmYAP晶体开裂、解理等现象。湖南新型TmYAP晶体型号
TmYAP晶体具有2微米波长固体激光源的理想介质。黑龙江品质TmYAP晶体直供
下面以Tm:YAP吸收和发射光谱为基础,对这些参数进行了计算。Tm:YAP晶体生长、光谱和激光性能研究。室温下晶体的吸收光谱是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光谱仪上测定的。测试范围一般为190~2500nm,从190~350nm范围,光源为氘灯(deuterium lamp),从340~2500nm范围用卤灯(halogen lamp)。在我们的实验中,测试范围一般为190-2100,光谱分辨率为2nm。测试的原理是根据光的吸收定律(Lambert’s law): I/I0=e-αL(2-4)其中I0为入射光强度,I为透过样品厚度为L的介质后的光强度,α为吸收系数。测试得到的吸收光谱数据为各波长下的光密度D,即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面积σabs和吸收系数α具有如下的关系:α=(2-5);σabs=(2-6)式中N为离子的掺杂浓度。晶体变温吸收谱采用液氦冷却,MiniStat控温装置来实现,红外吸收谱光源为白光,光谱仪为Nicolet Nexus 470/670/870傅立叶红外光谱仪,分辨率为0.2nm。 黑龙江品质TmYAP晶体直供
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