安徽国产CeYAG晶体行情

CeYAG晶体，属于无机闪烁体。无机闪烁晶体研究的真正前奏始于半个世纪前罗伯特霍夫斯塔德发现NaI(Tl)单晶的优异闪烁性能。经过半个多世纪的发展，无机闪烁晶体不但发现了性能优异的闪烁晶体，如BGO、铯：Na、钡F2、PWO和铈Ce:LSO等，而且极大地拓展了闪烁晶体在高能物理和核物理、医疗、安检、工业等领域的应用[2]-[12]；此外，无机闪烁晶体[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的闪烁机制不断得到改进和发展，为改进现有闪烁体和寻找性能更好的新型无机闪烁晶体提供了坚实的理论基础。Ce:YAG闪烁晶体具有比较大光输出。安徽国产CeYAG晶体行情

CeYAG是一种重要的具有优良闪烁性能的闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，较大优点是其发光中心波长为550nm，可以与硅光二极管等探测设备有效耦合。同CsI闪烁晶体相比，CeYAG闪烁晶体具有快衰减时间（约70ns，而CsI衰减时间约为300ns），而且CeYAG闪烁晶体不潮解、耐高温、热力学性能稳定，主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域，另外它还可以应用于电子探测成像（SEM）、高分辨率显微成像荧光屏等领域。由于Ce离子在YAG基质中的分凝系数小（约为0.1），使Ce离子很难掺入YAG晶体中，而且随着晶体直径的增大，晶体生长难度急剧增加。北京新型CeYAG晶体公司CeYAG晶体在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。

目前，Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化，主要用于扫描电镜（SEM）的显示部件，其生长方法主要为提拉法和温梯法。近年来, Ce:YAG单晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注.为了填补我国在高温闪烁晶体研究领域的空白，本论文选取具有优良闪烁性能的Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体为研究对象，围绕高温闪烁晶体存在的主要问题及其发展趋势，重点开展了提拉法与温梯法生长Ce:YAP和Ce:YAG晶体的研究与表征工作。

物质的有效原子序数可由公式计算：式中，Wi为构成晶体的原子I的重量百分比，Zi为构成晶体的原子I的有效原子数。从公式中可以看出，大的有效原子序数往往与重密度不一致。此外，在许多场合下，经常使用吸收系数()、辐射长度(X0)和摩尔半径(RM)来代替晶体的有效原子序数或密度来表征无机闪烁晶体的性能。这些性能参数与晶体的密度()和有效原子序数(z)之间的关系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶体中的电子密度和吸收截面，a是原子量)当I (t)=i0/e时，t=就是所谓的光衰减常数。闪烁晶体是指高能粒子的撞击下，能将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光的晶体。

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。如果高能射线入射，其荧光光谱向红色移动，发射波长为550纳米，可以很好地与硅光二极管耦合。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。安徽国产CeYAG晶体行情

钇铝石榴石晶体由于热膨胀系数大于钼，容易从钼坩埚中取出。安徽国产CeYAG晶体行情

光衰减常数是表征闪烁晶体光衰减的物理量，是表征无机闪烁晶体的重要物理量。几乎所有的闪烁计数应用都要求无机闪烁晶体具有快速的光衰减常数。根据荧光理论，电偶极子跃迁几率(Wr)的倒数为光衰减时间，其中c是光速，me是电子的质量，e是电子的电荷，f是振子强度，n是材料的折射率，是跃迁的光波长。从上面的公式可以推断出发射短波长闪烁光的晶体具有很小的光衰减常数。此外，杂质或热猝灭可以缩短晶体的光衰减，但这也会降低晶体的光输出。安徽国产CeYAG晶体行情

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