企业商机
CeYAP晶体基本参数
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  • 上海蓝晶
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  • 齐全
CeYAP晶体企业商机

在弱还原气氛下生长的Ce:YAP晶体,发现自吸收得到有效缓解,2mm厚度晶体透过边蓝移近30nm,荧光激发的发光强度提高了50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce:YAP晶体其他闪烁性能的影响。1.生长了不同价态离子掺杂的Ce:YAP晶体,以研究电荷补偿效应对Ce4+离子的作用。结果发现两价离子对Ce:YAP晶体闪烁性能有很强的负面影响,四价离子则有于助提高晶体的部分闪烁性能。2.研究了Mn离子掺杂对Ce:YAP晶体性能的影响。发现YAP基质中Ce,Mn之间存在明显的能量转移过程。由于存在Ce3+离子的非辐射跃迁,Ce,Mn:YAP的衰减时间的快慢成分均变为原来的一半,其中快成分为10ns左右,其小尺寸样品可作为超快闪烁体应用。Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。CeYAP晶体闪烁速度快、光产额高、机械和化学性能优异。广东双折射CeYAP晶体厂家

除了主要掺杂的铈元素外,锆元素占很大比例,其含量超过10ppm,这应该是由于生长过程中少量氧化锆绝缘盖碎片落入熔体中造成的,但锆对YAP: Ce晶体[104]的闪烁特性有一定的积极影响。其他元素的含量太小,不足以引起足够数量的吸收中心。但晶体生长所用原料的纯度为5N,测量结果表明总杂质含量大于1ppm,已经超出纯度限值一个数量级。过量的杂质可能来自晶体生长过程或配料过程,因此在未来的生长和制备过程中应注意可能的杂质污染。甘肃科研用CeYAP晶体生产Ce和Mn: YAP的衰变时间明显短于Ce、Mn : YAP,其快、慢成分分别为10.8ns和34.6 ns。

为了保护铱坩埚,减少铱金损耗,我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa,然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛,炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化,在此过程中打开晶转,以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后,仔细观察熔体液流状态,准备下种。条件允许情况下,可适当提高炉内温度,使原料保持过热状态一段时间,通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率,使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右),并保持恒温,同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况,并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后,将籽晶与熔体接触,并连续观察籽晶变化,使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右,并且光圈亮度保持稳定。

Ce:YAP作为闪烁晶体的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提议以及YAP晶体作为扫描电镜电子射线和紫外光子检测的研究。1991年,Baryshevky等人用水平区熔法生长了Ce:YAP闪烁晶体[43],然后研究了不同方法生长的Ce:YAP晶体的光学和闪烁性质[20]。1995年,Tetsuhiko等人[44]总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。此后,大量文献[45-47]报道了Ce:YAP晶体的闪烁性质和应用,并对其闪烁机理进行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高温闪烁晶体具有优异的闪烁性能和独特的物理化学性质,因此Ce:YAP高温闪烁晶体可广泛应用于相机、动物PET、SEM等检测领域[46][49-55]。少量过渡金属离子的存在对吸收只会造成线性叠加影响, 且低浓度吸收并不足以造成Ce: YAP晶体的自吸收。

近年来,Ce:YAG单晶薄膜和Ce:YAG陶瓷等闪烁体以其独特的优势引起了人们的关注。硫化物闪烁晶体的带隙较小,铈离子掺杂的硫化物闪烁晶体也具有光衰减快、密度大的特点。例如Ce:Lu2S3晶体具有高光输出(约30000光子/兆电子伏)、快速光衰减(约32纳秒)、重密度(约6.25克/立方厘米)和高有效原子序数(Zeff=66.8)的特点。但是硫化物晶体也很难生长,不受人青睐。目前Ce:YAG高温闪烁晶体已经商业化,主要用于扫描电子显微镜(SEM)的显示元件,其生长方法主要有直拉法和温度梯度法。1995年,Tetsuhiko等人总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。浙江新型CeYAP晶体哪家好

CeYAP等被认为是新一代高性能无机闪烁晶体。广东双折射CeYAP晶体厂家

铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出和快速衰减等闪烁特性,是无机闪烁晶体的重要发展方向。Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体具有良好的物理化学性质,在无机闪烁晶体中占有优势,在探测中低能粒子射线方面有很大的潜在应用。随着应用要求的变化,闪烁晶体的尺寸越来越大,生长大尺寸的闪烁晶体变得越来越重要。同时,国内生长的Ce:YAP晶体的自吸收问题长期存在,导致无法有效提高光产额。因此,解决自吸收问题,生长大尺寸Ce:YAP晶体对闪烁材料的研究和应用具有重要意义。广东双折射CeYAP晶体厂家

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