电子枪的间热式阴极一般采用敷钍钨、敷氧化物、钪酸盐、六硼化镧阴极,它分为轰击型和加热型两种。 间热式轰击型阴极: 间热式轰击型阴极加热方式是,通过在热子(灯丝)和阴极之间加上几百乃至上千伏的轰击电压,在此电压下,从热子发射的电子轰击阴极,使阴极加热到一定温度后从其表面发射出大量电子来。 间热式加热型阴极: 间热式加热型阴极的化合物层固定在薄壁的底托上(镍管或钼管),底托下面放着耐热绝缘的螺旋钨丝。电流流过灯丝,灯丝烧热阴极,当阴极达到发射电子的温度时,就发射出电子来。在“O”型电子枪设计中区分为低导电子枪和高导电子枪两种。安徽电子枪元器件厂
光电子元器件: 下一代光传送网的基本特征是超大容量,从各种复用技术的发展状况看,密集波分复用(DWDM)被认为是扩大网络容量和提高其灵活性的较有效途径。采用DWDM可以使容量迅速地扩大数十倍至数百倍。由于市场驱动和技术突破的影响,波分复用系统发展极为迅速。因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率,一方面提高每个通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系统正在实用化,预计到2004年开始商业应用,一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面,通道间的波长间隙已小到25GHz,还在向12.5GHz努力,使得商用系统的总通道数现为160~240个,实验室中较高达到1022个。为得到更大容量,有时不得不在上述两者之间折衷考虑,同时还要采取抑制光纤中色散、非线性效应的措施。所有这些要求都涉及到器件的高速、灵活和可靠的问题,而且较终还必须考虑低成本的问题,这使得新原理、新结构和新功能的器件不断涌现。湖北电子枪集成电路价钱导流系数是一个对电子注强度度量的量,它表征了电子注空间电荷的大小。
电子枪的基本参量:导流系数:当阳极电流受空间电荷限制时,电子枪的阳极电流(发射电流)与阴阳极间电压有关,在非相对论情况下,它们之间的关系是3/2次方的比例关系,也称二分之三次方定律。在空间电荷限制下,不论电极系统的形状如何,二分之三次方定律是普遍适用的,电极形状不同,只影响前面的比例系数。当电极形状一定时,在一般情况下,导流系数是一个常数,与温度无关,导流系数的大小表示电子枪发射电子的能力强弱。也就是说,导流系数是一个对电子注强度度量的量,它表征了电子注空间电荷的大小。
在电子枪里,灯丝,一般是钨丝,通电加热后,表面产生大量的热电子,在阳极和阴极之间的高压电场作用下,热电子加速向阳极方向高速移动,并获得很高的动能。其具体速度值取决于加速电压的高低,一般可以达到光速的三分之二左右。在聚焦线圈的作用下可使电子束流聚焦,在导向线圈,又称偏转线圈的作用下可使电子束发生偏转,从而在一定范围内进行扫描。电子枪的工作电压通常在几十到几百千伏之间,为防止高压击穿、束流散射及其能量减损,电子枪的真空度须保持在6.67x10^-2帕以上。电子枪结构简单,易于加工、安装和检修。
电子枪的电子束发生系统是发射电子并形成电子束的装置。 在轴向电子枪中,发射电子束的阴极有两种形式:直热式阴极和间热式阴极。 电子束发射后,经阳极加速并在阳极之后形成一定的束腰,而且束腰的直径、位置和束流强度都可以很容易地进行控制。其控制的实质问题是在预定的电子束途径上,确定所需要的电磁场。 直热式阴极加工成丝状。而直接通电加热发射电子束。这种情况下灯丝就是阴极。直热式阴极的结构比较简单,但只能用于小功率的电子枪。 直热式阴极一般采用纯钨作阴极材料,加热电流直接通过阴极。 间热式阴极通常加工成块状,由另一个灯丝对阴极进行间接地加热。这种情况下灯丝与阴极是不同的。间热式阴极的寿命较长,工作性能稳定,通常用于大功率的电子枪中。环形电子枪在聚焦极的定向反射和阳极的加速作用下,使电子束会聚于坩埚蒸发源中心。湖北电子枪集成电路价钱
电子枪的射程表示电子枪阳极头部到注腰之间的距离。安徽电子枪元器件厂
电子元器件发展史: 1906年美国人发明真空三极管,用来放大电话的声音电流。此后,人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件,用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。1947年,点接触型锗晶体管的诞生,在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是,这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时,结型晶体管论就已经提出,但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后,结型晶体管材真正得以出现。1950年,具有使用价值的较早的锗合金型晶体管诞生。1954年,结型硅晶体管诞生。此后,人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展,各种性能优良的电子器件相继出现,电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。逐步形成作为高技术产业表示的半导体工业。安徽电子枪元器件厂
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