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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。新疆裸板电源定制价格60W 裸板电源有过CB,UL/CUL,TUV等认证。

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其中：gq1是控制原边功率开关q1的原边控制信号、vdq1是原边功率开关q1两端的压降、iq1是流过原边功率开关q1的电流、i101是流过副边开关电路101的电流、vdsr是副边开关电路101两端的压降、gsr是控制副边开关电路101的副边控制信号。在t0时刻以前，原边功率开关q1处于导通状态，流过电气隔离装置t原边t1的电流线性上升。这个阶段与传统反激电路一致。在t0时刻，原边功率开关q1被断开。断开的触发条件可以是例如iq1达到由反馈输出信号fbo决定的设定值(即误差信号vea决定的设定值)，也可以是原边功率开关q1的导通时间达到由反馈输出信号fbo决定的设定值(即误差信号vea决定的设定值)，等等。此时，开关电源电路开始进入续流阶段。由于变压器耦合作用，并且副边开关电路101还没开通，其体二极管导通。此时副边开关电路101上被检测到流过电流，***控制信号gsr1控制其导通。具体来说，此时vdsr为体二极管的导通压降，约为。于是在***比较器15处，vdsr小于***阈值vth1。因此，***逻辑电路17被置位，从而将副边开关电路101导通。相应地，电流流过副边开关电路101。此时，101两端的电压vdsr与流过其上的电流成比例，随着电流的逐渐减小，101两端的电压vdsr从一个较负的值逐渐上升。品质裸板电源诚信为先

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