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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。裸板电源的性能是什么？浙江裸板电源维修

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响应反馈输出信号fbo，产生脉冲信号；低通滤波器lpf，对脉冲信号进行低通滤波，得到所述补偿信号vc。图22示出图21所示实施例中流过原边功率开关q1的电流iq1、流过副边开关电路101的电流i101、副边开关电路101两端的压降vdsr、控制副边开关电路101的副边控制信号gsr、第二控制信号gsr2、隔离反馈信号fbi以及反馈输出信号fbo的时序波形图。图23示意性示出了根据本发明实施例的用于开关电源电路的方法流程图2300。所述开关电源电路包括：具有原边和副边的电气隔离装置、耦接至电气隔离装置原边的原边功率开关、以及耦接至电气隔离装置副边的副边开关电路101，所述方法包括：步骤2301，在原边接收输入电压，通过控制原边功率开关和副边开关电路的导通与断开，在副边产生输出电压。步骤2302，反馈并处理输出电压，产生误差信号，并将该误差信号通过隔离反馈单元传送至原边，用以控制原边功率开关的断开。在一个实施例中，所述误差信号用以控制原边功率开关的导通时长。在另一个实施例中，所述误差信号用以控制流经原边功率开关的电流峰值。步骤2303，检测流经副边开关电路的电流，当有电流流过副边开关电路时，导通副边开关电路，直至电流为零，将副边开关电路断开。电源适配器与裸板电源的选择。

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其起始时刻为副边开关电路101第二次导通结束后加上死区时间；反馈比较器35，比较三角波信号vsaw与误差信号vea的大小，产生隔离反馈信号fbi。在图17所示实施例中，所述原边电路u2也具有控制电路。具体来说，所述原边电路u2包括：低通滤波器lpf，对反馈输出信号fbo进行低通滤波，得到补偿信号vc，用以控制原边功率开关q1的断开；边沿跳变检测器21，检测反馈输出信号fbo的边沿跳变，用以控制原边功率开关q1的导通。所述补偿信号vc用以控制开关电源电路800的频率、或原边功率开关q1的导通时长、或流过原边功率开关q1的电流峰值。在图17所示实施例中，该补偿信号vc用来控制原边功率开关q1的导通时长。如图17所示，所述原边电路u2还包括：恒定时间计时器25，根据补偿信号vc产生恒定时间导通信号；原边逻辑电路24，根据恒定时间导通信号和边沿跳变检测器21的检测结果，产生原边控制信号gq1。在一个实施例中，所述原边逻辑电路24包括rs触发器。当反馈输出信号fbo出现上边沿跳变，原边逻辑电路24被置位，原边功率开关q1被导通；当原边功率开关q1的导通时间达到补偿信号vc决定的时长，原边逻辑电路24被复位，原边功率开关q1被断开。浙江裸板电源维修

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