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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。

当电流采样信号vcsr高于电流阈值(即第四阈值vth4)时，该逻辑单元91被复位。即所述逻辑单元91响应触发信号被置位，响应电流采样信号vcsr和电流阈值(即第四阈值vth4)的比较结果被复位，从而产生所述第二控制信号gsr2。在图10所示实施例中，第二逻辑电路19还可以包括：第三比较器92，对电流采样信号vcsr和第四阈值vth4进行比较，所述比较结果对逻辑单元91进行复位。在一个实施例中，反馈控制器14将误差信号vea传递至其输出，当第二控制信号gsr2控制副边开关电路101断开后并经过一定时间的延迟(如本领域技术人员熟知的死区时间，通常为数十纳秒至数百纳秒)，原边功率开关q1被导通。由于在信号传递过程中，电路本身带有一定的延迟，不一定需要额外的延迟电路设定死区时间。因此原边电路u2可以直接响应第二控制信号gsr2对副边开关电路101的断开控制，控制原边功率开关q1导通。以下结合图12、图13阐述根据本发明实施例的开关电源电路的运行过程。其中图12示出了开关电源电路运行于电流断续模式时的各信号时序波形，图13示出了开关电源电路运行于临界电流模式时的各信号时序波形。380v开关电源裸板介绍。

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