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晶闸管和可控硅，有什么区别？

1、概念不一样：可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR，是一种大功率电孝改器元件，也称晶闸管。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三颤慎猜极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

2、用处不一样：可控硅（1）小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。（2）功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。（3）大功率高频可控硅通常用作工业中高频熔炼炉等。三极管，晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

3、分类不一样：可控硅：按关断、导通及控制方式分类按引脚和极性分类按封装形式分类按电流容量分类按关断速度分类非过零触发分类。三极管：按材质分按结构分按功能分按功率分按工作频率分按结构工艺分按安装方式。 功率半导体igbt原装现货型号齐全！湖北焊机igbt可控硅（晶闸管）Infineon英飞凌全新原装现货

采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率，因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件，为防止出现振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容，接线应尽量短。（5）吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时。湖北IGBT驱动电路可控硅（晶闸管）SCR系列可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。

⑿脉冲输出：六路带调制的触发脉冲隔离输出;脉冲宽度：2个20°宽脉冲列、间隔60°;脉冲调制频率10KHZ;各相脉冲不对称度：≤°;脉冲电流峰值：>800mA⒀PID动态响应时间≤10ms，超调量≤1%。⒁有回零保护、软起动、急停功能。⒂比较大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶闸管触发板三相晶闸管触发板应用技术编辑◆独有三相不平衡自动调整功能，有效提高电能利用效率。◆先进的数字控制技术，改善了电网功率因数，可以有效节省用电量。◆具有移相触发与过零触发双重工作模式，拨动选择开关，即可轻松实现转换。◆多种控制信号输入：DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、开关量触点。◆适用于多种类型负载：恒阻性负载、变阻性负载、感性负载(变压器一次侧)。◆具有完善的自我检测，齐全的故障保护功能，确保安全稳定运行。◆输入、输出端口均采用光电隔离技术，抗干扰能力强，安全性能高。◆通讯功能强大、标准ModbusRTU通信协议，方便联机进行网络控制。◆内置报警蜂鸣器，无须任何额外接线就能轻松实现音响报警。

认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构，形成三个PN结，分别称：阳极，阴极和控制极。图1晶闸管的结构晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路。晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。工作过程加正向电压且门极有触发电流的情况下晶闸管才导通，这是晶闸管的闸流特性，即可控特性。若晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。晶闸管的种类1．双向晶闸管双向晶闸管有极外G，其他两个极称为主电极Tl和T2。结构是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件。双向晶闸管不象普通晶闸管那样，必须在阳极和阴极之间加上正向电压，管子才能导通。它无所谓阳极和阴极，不管触发信号的极性如何，双向晶闸管都能被触发导通。这个特点是普通晶闸管所没有的。2．快速晶闸管人们在普通晶闸管的制造工艺和结构上采取了一些改进措施。其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。

此外，单个沟槽可以被提供有例如至少在一侧上的晶体管。此外，在所描述的实施例中，晶体管的n和p传导类型、n和p沟道类型以及二极管的阴极和阳极可以同时反转。上文已描述了具有各种变型的各种实施例。应当注意，本领域技术人员可以将这些各种实施例和变型的各种元件进行组合。后，基于上文给出的功能指示，所描述的实施例的实际实现在本领域技术人员的能力范围内。根据以上详细描述，可以对实施例进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定实施例，而是应被解释为包括权利要求所要求保护的所有可能的实施例以及这样的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。贵州igbt供应商可控硅（晶闸管）semikron西门康全新原装现货

晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。湖北焊机igbt可控硅（晶闸管）Infineon英飞凌全新原装现货

4．可关断晶闸管可关断晶闸管亦称门控晶闸管。其主要特点是，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。它的容量及使用寿命均超过巨型晶体管。目前，大功率可关断晶闸管已广用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。5．光控晶闸管光控晶闸管又称光触发晶闸管，是一种光敏器件。由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极（阳极A和阴极K），结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。图2光控晶闸管符号图当在光控晶闸管的阳极加上正向电压，阴极加上负向电压时，控晶闸管可以等效成的电路。光控晶闸管的基本特性与普通晶闸管是相同的，只是它对光源的波长有一定的要求，有选择性。波长在0．8——0．9um的红外线及波长在1um左右的激光，都是光控晶闸管较为理想的光源。晶闸管的应用晶闸管是一种开关元件，具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作过程可以控制，具有体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点。基于上述特点。湖北焊机igbt可控硅（晶闸管）Infineon英飞凌全新原装现货