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二极管基本参数
  • 品牌
  • IXYS
  • 型号
  • MEA95-06DA
  • 半导体材料
  • 安装方式
  • 螺丝型,底座安装
  • 功率特性
  • 小功率
  • 频率特性
  • 低频
  • 封装方式
  • TO-240AA
  • 功耗
  • 详询
  • 正向电压降
  • 1.55V @100A
  • 最大反向工作电压
  • 600
  • 额定整流电流
  • 95
  • 结温
  • -40℃ ~ 150℃
  • 厂家
  • IXYS
二极管企业商机

100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅开关二极管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅开关二极管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅开关二极管70V,100mA,300mW,,2CK109硅开关二极管35V,100mA,300mW,,2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅开关二极管55V,100mA,300mW,,2CK150硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅开关二极管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅开关二极管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅开关二极管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二极管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二极管V,,2CN5D硅二极管V,,f=100KHz,2CN6硅二极管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二极管Ir≤≤,≤。MEK95-06DA供应快恢复二极管;浙江英飞凌可控硅二极管标准封装

    二极管的正向压降硅管约为(通常取),锗管约为(通常取)。·折叠反向特性(外加反向电压)反向特性即二极管反向偏置时的电压与电流的关系。反向电压加强了内电场对多子扩散的阻碍,多子几乎不能形成电流,但是少子在电场的作用下漂移,形成很小的漂移电流,且与反向电压的大小基本无关。此时的反向电流称为反向饱和电流尽,二极管呈现很高的反向电阻,处于截止状态。折叠反向击穿特性反向电压增加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为二极管的反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用%R表示。实际应用中,应该对反向击穿后的电流加以限制,以免损坏二极管。a、目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极。在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极。b、用万用表判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R*100或R*1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极。 黑龙江桥式整流二极管快速发货上海寅涵智能科技是艾赛斯二极管专业进口厂商,种类齐全,价格优惠。

没有高到让外接的二极管处于导通状态,理由是:如果集成电路A1的①脚输出的直流电压足够高,那么VD1、VD2和VD3导通,其导通后的内阻很小,这样会将集成电路A1的①脚输出的交流信号分流到地,对信号造成衰减,显然这一电路中不需要对信号进行这样的衰减,所以从这个角度分析得到的结论是:集成电路A1的①脚输出的直流电压不会高到让VD1、VD2和VD3导通的程度。4)从集成电路A1的①脚输出的是直流和交流叠加信号,通过电阻R1与三极管VT1基极,VT1是NPN型三极管,如果加到VT1基极的正半周交流信号幅度出现很大的现象,会使VT1的基极电压很大而有烧坏VT1的危险。加到VT1基极的交流信号负半周信号幅度很大时,对VT1没有烧坏的影响,因为VT1基极上负极性信号使VT1基极电流减小。5)通过上述电路分析思路可以初步判断,电路中的VD1、VD2、VD3是限幅保护二极管电路,防止集成电路A1的①脚输出的交流信号正半周幅度太大而烧坏VT1。从上述思路出发对VD1、VD2、VD3二极管电路进一步分析,分析如果符合逻辑,可以说明上述电路分析思路是正确的。2.二极管限幅电路分析各种限幅电路工作是有方法的,将信号的幅度分两种情况:1)信号幅度比较小时的电路工作状态。

则指给定反向漏电流条件下的电压值。(5)高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流,如开关电源中。(6)反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间。(7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。整流二极管损坏原因编辑(1)防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置,即使设置了防雷、过电压保护装置,但其工作不可靠,因雷击或过电压而损坏整流管。(2)运行条件恶劣。间接传动的发电机组,因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求,使发电机长期处于高转速下运行,而整流管也就长期处于较高的电压下工作。上海寅涵智能科技专业供应IXYS艾赛斯MUBW36-12E7;

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广。二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降,锗管正向管压降为,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为,黄色发光二极管的压降为—,绿色发光二极管的压降为—,正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。[1]二极管原理二极管的原理编辑二极管工作原理。上海寅涵智能科技专业供应Microsemi美高森美二极管,欢迎咨询。甘肃宏微整流二极管库存充足

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所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势,会击穿继电器的驱动三极管,为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路,以保护继电器驱动管。如图9-53所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路,电路中的J1是继电器,VD1是驱动管VT1的保护二极管,R1和C1构成继电器内部开关触点的消火花电路。1.电路工作原理分析继电器内部有一组线圈,如图9-54所示是等效电路,在继电器断电前,流过继电器线圈L1的电流方向为从上而下,在断电后线圈产生反向电动势阻碍这一电流变化,即产生一个从上而过的电流,见图中虚线所示。根据前面介绍的线圈两端反向电动势判别方法可知,反向电动势在线圈L1上的极性为下正上负,见图中所示。如表9-44所示是这一电路中保护二极管工作原理说明。表9-44保护二极管工作原理说明2.故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的保护二极管不能采用测量二极管两端直流电压降的方法来判断检测故障,也不能采用在路测量二极管正向和反向电阻的方法,因为这一二极管两端并联着继电器线圈,这圈的直流电阻很小,所以无法通过测量电压降的方法来判断二极管质量。应该采用代替检查的方法。当保护二极管开路时,对继电器电路工作状态没有大的影响。浙江英飞凌可控硅二极管标准封装

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