首页 >  电子元器 >  江西RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔厂家直供 推荐咨询「上海寅涵智能科技发展供应」

MIRO茗熔基本参数
  • 品牌
  • MIRO茗熔
  • 型号
  • RS98A aR 690V/600A
  • 分断能力
  • 高分断能力
  • 熔断速度
  • 快速(F)
  • 体积类型
  • 中型
  • 形状类型
  • 铡刀式
  • 标准类型
  • 国规
  • 额定电压类型
  • 高压
  • 外体材料
  • 陶瓷
  • 最大电压
  • 690
  • 保持电流
  • 600
  • 产地
  • 中国
  • 厂家
  • 茗熔
MIRO茗熔企业商机

MRO茗熔熔断器R039RT17RO39RT16-4NT4630A800A1000A1250A用途:本系列熔断体适用于交流50HZ,额定电压至690V,额定电流至1600A,主要用在电气线路中作为半导体设备的短路保护(aR)。本系列熔断体额定分段能力至100KA。结构特点:有纯银片制成的变截面熔体封装于**度瓷制成的熔管内;熔管中充满经化学处理过的高纯度石英砂作为灭弧介质;熔体二端采用点焊于触头牢固电连接。熔断体型式有方管刀形触头和方管平板形触头两种。大量现货!量大价优!RGS4-G aR DC500V/AC690V 100A;江西RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔厂家直供

茗熔RS76A1000V/690V1000A1100A1250A1500A1600ARS76A用途:本系列熔断体适用于交流50HZ,额定电压至690V,额定电流至1600A,主要用在电气线路中作为半导体设备的短路保护(aR)。本系列熔断体额定分段能力至100KA。本系列熔断体符合国家标准GB13539.1/GB13539.4和国际电工委标准IEC60269-1/IEC60269-4.结构特点:有纯银片制成的变截面熔体封装于**度瓷制成的熔管内;熔管中充满经化学处理过的高纯度石英砂作为灭弧介质;熔体二端采用点焊于触头牢固电连接。熔断体型式有方管刀形触头和方管平板形触头两种。北京RS98F aR 660V/630AMIRO茗熔一级代理库存充足高分断熔断器NT00-160A;

熔体额定电流的选择由于各种电气设备都具有一定的过载能力,允许在-定条件下较长时间运行;而当负载超过允许值时,就要求保护熔体在-定时间内熔断。还有一些设备起动电流很大,但起动时间很短,所以要求这些设备的保护特性要适应设备运行的需要,要求熔断器在电机起动时不熔断,在短路电流作用下和超过允许过负荷电流时,能可靠熔断,起到保护作用。熔体额定电流选择偏大,负载在短路或长期过负荷时不能及时熔断;选择过小,可能在正常负载电流作用下就会熔断,影响正常运行,为保证设备正常运行,必须根据负载性质合理地选择熔体额定电流。RS96B-500AMRO茗熔熔断器保险快速熔断器.

茗熔RGS30C-30ARGS30C30ARSORS030ARS330A快速熔断器用途:本系列熔断体适用于交流50HZ,额定电压至500V,额定电流至50A,主要用在电气线路中作为半导体设备的短路保护(aR)。本系列熔断体额定分段能力至100KA。本系列熔断体符合国家标准GB13539.1/GB13539.4和国际电工委标准IEC60269-1/IEC60269-4.结构特点:有纯银片制成的变截面熔体封装于**度瓷制成的熔管内;熔管中充满经化学处理过的高纯度石英砂作为灭弧介质;熔体二端采用点焊于触头牢固电连接。熔断体型式有方管刀形触头和方管平板形触头两种。方形螺栓连接式快速熔断器;

茗熔熔断器RS33NGTC2690V250A300A315A350A355A400ARS33用途:本系列熔断体适用于交流50HZ,额定电压至690V,额定电流至1600A,主要用在电气线路中作为半导体设备的短路保护(aR)。本系列熔断体额定分段能力至100KA。本系列熔断体符合国家标准GB13539.1/GB13539.4和国际电工委标准IEC60269-1/IEC60269-4.结构特点:有纯银片制成的变截面熔体封装于**度瓷制成的熔管内;熔管中充满经化学处理过的高纯度石英砂作为灭弧介质;熔体二端采用点焊于触头牢固电连接。熔断体型式有方管刀形触头和方管平板形触头两种。高分断熔断器NT00-63A;辽宁RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔批发采购

螺旋式熔断器RGS4AD aR 250V/160A;江西RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔厂家直供

茗熔RGS30C-30ARGS30C30ARSORS030ARS330A快速熔断器快速熔断器发生熔断后两端出现的故障电路及外加交流电压应该较快速熔断器的额定电压稍微低一些。若出现逆变型负载以及导体设备的负荷是有源逆变器这两种情况时,应考虑是否是半导体器件失控等引|起设备直流侧短路。2.选择额定电流熔断器的额定电流是以电路实际流过的电流有效值作为基础,同时加以考虑环境温度、冷却条件等因素影响后再进行计算。如果快速熔断器选用的额定电流过大则会造成熔断器的值随之增加,这可能会对保护半导体器件造成不可挽回的伤害。3.选择分断性能当快速熔断器与半导体器件串联协同工作的时候,快速熔断器的值应该小于半导体器件允许通过的值。否则在熔断器熔断时,器件也被烧损。江西RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔厂家直供

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