所述第四晶体管的源极用于接收所述参考电压，漏极与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的源极接地，所述第四晶体管和所述第五晶体管的栅极接收***控制信号，所述第四晶体管和所述第五晶体管的中间节点与对应的模拟开关的所述p型开关管的栅极连接。推荐地，每个所述模拟开关还包括连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间的n型开关管，所述n型开关管和所述p型开关管并联连接，所述n型开关管的栅极接收第二控制信号，所述n型开关管的衬底接地，其中，所述***控制信号和所述第二控制信号为同相信号。推荐地，所述多个***晶体管分别选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第四晶体管选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明实施例的模拟开关电路具有以下有益效果。模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供 八路模拟开关板的公司，有想法的可以来电咨询！合肥电路板八路模拟开关板修理
off)，如图83)On-leakagecurrent:当开关闭合时，从漏极注入或流出的电流叫作Id(on)，如图8。图8漏电流概念(2).特色漏电流随温度变化剧烈。图9漏电流随温度变动的曲线(3).影响在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有或许是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻展开直流参数扫描，观察它从1MΩ转变至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以见到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选项MUX时，要尽量挑选低漏电流的芯片。图10漏电流仿真电路图11漏电流仿真结果三.模拟开关和多路复用器动态参数介绍1.导通电容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON相等源极的电容和漏极的电容之和，如图12。图12OnCapacitance(2).影响图13MUX36S08示例当MUX在不同通道之间切换时，CD也会随着通道的切换被充电或者放电。例如，当S1闭合时，CD会被充电至V1。那么此时CD上的电荷QD1：当MUX从S1切换至S2时，CD会被充电至V2。那么此时CD上的电荷QD2：那么两次CD上的电荷差就需V2来提供，所以这时候。重庆双电源八路模拟开关板耐老化八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，有想法的可以来电咨询！
B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=−50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=½VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信号输入电容pFCOSSignalOutputCapacitance信号输出电容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance馈电容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操纵输入电容pF图1CD4066是四双向模拟开关驱动继电器应用电路CD4066是四双向模拟开关，集成块SCR1～SCR4为控制端，用以操纵四双向模拟开关的通断。当SCR1接高电平时，集成块①、②脚导通，＋12V→K1→集成块①、②脚→电源阴极使K1吸合；反之当SCR1输入低电平时，集成块①、②脚开路，K1失电获释，SCR2～SCR4输入高电平或低电平时状况与SCR1相同。
MUX输出就会需一定的时间来平稳。对于一个N-bit的ADC：K实际上是**RC电路中，电压抵达目标误差以内时所需的时间常数的数目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下来用一个仿真来说明这种现象：为了更明显地观察到这种现象，在Vout端加入一个电容C1，可以了解为增加了CD，也可以了解为负载电容和CD的并联。图14OnCapacitance对输出影响的仿真示例电路当C1=50pF时，整个回路的时间常数较大，需更长时间安定，所以在开关导通20uS之后，输出电压依然从未安定到信号源的电压。图15C1=50pF仿真结果当C1=10pF时，整个回路的时间常数较小，需较短时间平稳，所以在开关导通20uS之内，输出电压安定到了信号源的电压。图16C1=10pF仿真结果2.流入电荷ChargeInjection(1).概念流入电荷指的是从控制端EN耦合至输出端的电荷。(2).影响因为在开关导通的通道上，不够损耗这部分电荷的通道，所以当这部分电荷注入漏极电容和输出电容上时，会在输出产生一个电压误差。图17ChargeInjection过程示意图过程如下：当在EN端有一个阶跃信号时，这个阶跃电压会通过栅极和漏极之间的寄生电容CGD，耦合至输出端，输出电压的改变取决流入电荷QINJ，CD和CL。所以，当流入的电荷越小时。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，有需求可以来电咨询！
模拟开关101包括开关管mp1和开关管mn1，开关管mp1为pmos管，开关管mn1为nmos管。开关管mp1和开关管mn1并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端a，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp1的衬底连接电源电压vcc，开关管mn1的衬底接地。开关管mp1的栅极接收控制信号cp1，开关管mn1的栅极接收控制信号cn1，控制信号cp1和控制信号cn1为相位相反的控制信号。当控制信号cp1为高电平，控制信号cn1为低电平时，模拟开关101断开；当控制信号cp1为低电平，控制信号cn1为高电平时，模拟开关101导通，输入信号从信号输入端a传输至信号输入端y。模拟开关102包括开关管mp2和开关管mn2，开关管mp2为pmos管，开关管mn2为nmos管。开关管mp2和开关管mn2并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端b，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp2的衬底连接电源电压vcc，开关管mn2的衬底接地。开关管mp2的栅极接收控制信号cp2，开关管mn2的栅极接收控制信号cn2，控制信号cp2和控制信号cn2为相位相反的控制信号。当控制信号cp2为高电平，控制信号cn2为低电平时，模拟开关102断开；当控制信号cp2为低电平，控制信号cn2为高电平时，模拟开关102导通。上海金樽自动化控制科技有限公司致力于提供 八路模拟开关板，欢迎您的来电哦！江苏电路板八路模拟开关板芯片型号
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容上的电压可长时间基本维持不变模拟开关S1为电容提供充电回路当S1导通时电源通过S1给电容充电电容上电压不停增高使VT1导通电阻更为小使响度也愈来愈小模拟开关S2为电容提供放电回路当S2导通时电容通过S2放电电容上电压不停下滑使响度越发大模拟开关S3起开机响度复位功用开机时电源在S3控制端产生一短暂的正脉冲使S3导通由于与S3联接的电阻较小故使电容迅速充到一定的电压使起始响度处于较小的状态F1～F6及其**元件构成高低脉冲识别电路静态时F1、F2输入为高电平当较长时间按压按钮开关AN时F4输出变高经100k电阻给μF电容充电当充电电压超过CMOS门转换电压时F5输出由高变低F6输出由低变高模拟开关S2导通100μF电容放电音量变大与此同时F1输出也变高也给电容充电但F1输出的一次正跳变不足以使电容上电压超过转换电压故F2输出仍为高电平F3输出低电平模拟开关S1维持截止当连续按动按钮开关AN时F4输出也不停转变输出为高时给电容充电而输出变低时电容又迅速通过二极管VD3放电故电容上电压总是达不到转换电压因此F6输出始终为低而此时F1输出连续优劣转变经二极管整流不停给电容充电使μF电容上电压迅速达到转换电压F2输出变低F3输出变高模拟开关S1导通给电容充电音量变小由此运用。合肥电路板八路模拟开关板修理
