在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时收集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在采用的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基本参数。在开始介绍根基的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隐含电荷泵的NFET。三种架构各有特征，详实的介绍，可以参看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以交换的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，有需要可以联系我司哦！北京电路板八路模拟开关板批发价格
焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提议操作条件：SupplyVoltage电源电压(VDD)3Vto15VInputVoltage输入电压(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作温度范围(TA)−55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流电气特性：Symbol符号Parameter参数Conditions条件−55℃+25℃+125℃Units单位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent静态电流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage输入低电平电压VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage输入高电平电压VDD=5VVVDD=10V。合肥八路模拟开关板哪家好上海金樽自动化控制科技有限公司 八路模拟开关板值得用户放心。
并将该参考电压vmax提供至开关管mp1的衬底。因此在电源电压掉电时开关管mp1的源极与衬底之间或者漏极与衬底之间的电压小于寄生二极管的正向导通电压，开关管mp1的寄生二极管保持在截止状态，有效的解决了电源电压掉电时开关管mp1中寄生二极管正向导通造成的信号泄露的问题。作为一种非限制性的例子，掉电保护电路302包括晶体管m1至m3，晶体管m1的漏极与信号输入端a连接，晶体管m2的漏极与信号输出端y连接，晶体管m3的漏极用于接收电源电压vcc，晶体管m1至m3的源极与开关管mp1的衬底连接。在本实施例中，晶体管m1至m3采用完全相同的晶体管，例如晶体管m1至m3分别采用nmos管。并且晶体管m1至m3的栅极、漏极和衬底彼此连接，分别连接成二极管结构，所以本实施例的参考电压vmax的电压值为：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn其中，va表示信号输入端a的电压，vy表示信号输出端y的电压，vcc为电路的电源端的电源电压，max(va,vy,vcc)表示信号输入端a、信号输出端y、以及电源端中的电位更高者的电压，vtn表示晶体管m1至m3的导通阈值。在推荐的实施例中，晶体管m1至m3分别采用低阈值电压的nmos管。举例说明，以当电源端掉电时。
保证模拟开关电路可正常工作。应当说明的是，在本文中，诸如***和第二等之类的关系术语**用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不*包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明*为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明*受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，有需求可以来电咨询！
所述防落罩的两侧均设立有l型限位块，所述l型限位块与***流通阀和第二流通阀均固定连接，所述开关电磁阀阀体内部的上方设立有静铁芯，所述静铁芯的两侧均设立有连接柱置放槽，所述连接柱放到槽的内部设置有伸缩连接柱，所述伸缩连接柱的顶端设立有拉动扣环，所述伸缩连接柱的下方设立有动铁芯，且动铁芯与伸缩连接柱固定连接，所述动铁芯的下端设立有活动连接块，所述活动连接块的两端均设立有弹簧，所述弹簧的外部设置有线圈，所述活动连接块的下端设立有伸缩管，所述伸缩管的内部设置有固定柱，且固定柱与活动连接块固定联接，所述固定柱的外部设置有***堵气块，所述***堵气块的下方设立有***密封块，所述***堵气块上方的两侧均设立有***堵气限位块，且***堵气限位块与***流通阀固定连接，所述***密封块的下方设立有第二密封块，所述第二密封块的下方设立有第二堵气块，所述第二堵气块下方的两侧均设立有第二堵气限位块，且第二堵气限位块与第二流通阀固定联接。推荐的，所述开关电磁阀阀体上方的一侧设立有接线盒，且接线盒与开关电磁阀阀体固定连结。推荐的，所述接线盒的一端设立有盒盖放到槽，所述盒盖置于槽的内部设置有接线盒盒盖。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供 八路模拟开关板的公司，期待您的光临！河北智能八路模拟开关板价格咨询
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所述第四晶体管的源极用于接收所述参考电压，漏极与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的源极接地，所述第四晶体管和所述第五晶体管的栅极接收***控制信号，所述第四晶体管和所述第五晶体管的中间节点与对应的模拟开关的所述p型开关管的栅极连接。推荐地，每个所述模拟开关还包括连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间的n型开关管，所述n型开关管和所述p型开关管并联连接，所述n型开关管的栅极接收第二控制信号，所述n型开关管的衬底接地，其中，所述***控制信号和所述第二控制信号为同相信号。推荐地，所述多个***晶体管分别选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第四晶体管选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明实施例的模拟开关电路具有以下有益效果。模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底。北京电路板八路模拟开关板批发价格
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