晶体管m1至m3以及晶体管m8的源极与开关管mp1和mp2的衬底以及晶体管m6和晶体管m9的源极连接。此外，掉电保护电路402还包括电压上拉模块421，电压上拉模块421用于在电源电压正常工作时将参考电压vmax上拉至电源电压，使得模拟开关电路400可以正常工作。其中，本实施例的电压上拉模块421的结构和功能与图3中的电压上拉模块321的结构和功能完全相同，在此不再赘述。综上所述，本发明的模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底，控制p型开关管的衬底电位，使得电源电压掉电时p型开关管的寄生二极管不会导通。掉电保护电路还用于在电源电压掉电时将该参考电压提供至模拟开关电路的驱动电路的供电端，控制p型开关管的栅极电位，保证电源电压掉电时p型开关管不会误导通，有效解决了电源电压掉电时的信号泄露问题，电路结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围***。进一步的，本发明实施例的掉电保护电路还包括电压上拉模块，电压上拉模块可在电源电压正常时将所述参考电压上拉至电源电压。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！江苏双电源八路模拟开关板批发价
在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时搜集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在用到的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的根基参数。在开始介绍基石的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有电荷泵的NFET。三种架构各有特色，详实的介绍，可以参阅《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以对调的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。四川控制八路模拟开关板批发价上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，有想法的可以来电咨询！
焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提议操作条件：SupplyVoltage电源电压(VDD)3Vto15VInputVoltage输入电压(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作温度范围(TA)−55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流电气特性：Symbol符号Parameter参数Conditions条件−55℃+25℃+125℃Units单位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent静态电流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage输入低电平电压VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage输入高电平电压VDD=5VVVDD=10V。
优于的渠道通道串扰也限度地减小干扰。先断后合机能两部分扫除信号中断期间的开关从预防开关同时启用。BL1532涵盖应用在VCC电源开关上的I/O引脚特殊电路切断电源（VCC=0），它容许装置承受过电压的条件。这个设备是为了缩减电流消耗，甚至当支配电压的SEL引脚是低比电源电压（VCC）。特点：宽电源电压范围：，低电容，Ω阻力低（典型值）在3V电压VSW=，高带宽（-3dB）：>>从未C和C=5pF550MHz720MHz，低功耗：1uA。静电放电8kVHBM测试：通过过电压耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容，先把开关断，温度范围：40到85℃℃，封装×.应用领域：手机，PDA，数码相机，笔记本计算机，液晶显示器，电视，机顶盒深圳市天高微科技有限公司/深圳市天玖隆科技有限公司联系人：欧阳丽深圳市南山区高新南一道赋安科技大厦A栋301深圳市福田区中航路鼎城国际816强势代理品牌：航天民芯禾芯微芯朋微嘉兴禾润华晶友旺顺芯芯海芯龙圣邦微芯地微纳芯微思瑞浦拓微方泰芯联微盟时代民芯瑞盟奥莉生屹晶微友达泰德矽力杰来颉LRC华太赛芯微维攀微安沛硅动力芯景松木海威力芯微普芯达华润矽科录华日晟微超锐微加尔发天微中微爱芯techpoint杭州鑫芯BCD分销：博通，合泰，富士通，锐迪科。上海金樽自动化控制科技有限公司致力于提供 八路模拟开关板，有需求可以来电咨询！
输入信号从信号输入端b传输至信号输出端y。传统的模拟开关电路100在电源电压掉电时可能具有信号泄露的风险。以模拟开关101为例，开关管mp1的源极和衬底之间以及漏极和衬底之间都存在寄生二极管，如果电源电压掉电时信号输入端a的输入信号的电压大于寄生二极管的正向导通电压时，开关管mp1的寄生二极管将正向导通，形成信号输入端a到电源电压vcc的漏电流。如果电源电压掉电时该输入信号的电压大于开关管mp1的导通阈值，此时开关管mp1的栅源电压大于晶体管的导通阈值，开关管mp1将导通，形成信号输入端a到信号输出端y之间的通路，造成信号的泄露。图2示出根据现有技术的一种模拟开关电路的电路示意图。如图2所示，模拟开关电路200包括模拟开关201和掉电保护电路202。掉电保护电路202包括晶体管m1至m4以及电阻r1和电阻r2。晶体管m1的漏极与开关管mp1的衬底连接，源极与电阻r1连接，电阻r1的另一端连接至信号输入端a。晶体管m1的栅极与电阻r2的一端连接，电阻r2的另一端连接至电源电压vcc。晶体管m2和晶体管m3依次串联连接在晶体管m1和电阻r1的中间节点与地之间。晶体管m4的漏极与开关管mp1的衬底连接，源极与晶体管m1和电阻r2的中间节点连接。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，有需求可以来电咨询！安徽编程八路模拟开关板价格
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本发明涉及半导体集成电路技术领域，更具体地涉及一种模拟开关电路。背景技术：现今，各种模拟电路都需要用到模拟传输开关，以用作对模拟输入信号进行传输和选择，例如各种音视频电路都需要模拟传输开关进行音视频信号的选择导通，模拟控制电路需要模拟传输开关进行控制信号的选择控制。随着技术的发展，各种高清的视频、音频信号的传输对模拟传输开关的性能提出了越来越高的要求。传统的模拟开关电路为了传输接近电源(vcc)的电压，通常会采用pmos管和nmos管并联的传输门作为模拟传输开关。pmos管的衬底接电源电压，nmos管的衬底接地。在pmos管的栅极接电源电压，nmos管的栅极接地时，传输门关断；在pmos管的栅极接地，nmos管的栅极接电源时，传输门导通。传统的模拟开关电路具有一定的缺陷，当电源掉电时，因为pmos管的栅极电位等于地，此时如果输入信号为正电平且该输入信号大于pmos管的阈值电压，会导致pmos开关管导通且寄生二极管处于正向导通状态，发生信号泄露，而且将有很大的漏电流通过寄生二极管流到电源，可能导致芯片损坏。如图1示出传统的模拟开关电路的电路示意图，图1中的模拟开关电路100例如为单刀双掷开关，包括模拟开关101和模拟开关102。江苏双电源八路模拟开关板批发价
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