企业商机
真空烘箱基本参数
  • 品牌
  • 宏誉科技
  • 型号
  • HY-608-100
真空烘箱企业商机

    COB生产流程:晶粒进料→晶粒检测→清洗PCB→点胶→粘晶粒→烘烤→打线→过境→OTP烧录→封胶→测试→QC抽检→入库。其中烘烤这一环节是很重要的一步之一,烘烤的目的是将前一道的工序中的胶烘干,使得IC在PCB上粘牢,以确保下一道工序中IC在打线过程中不会移动。不同的胶需要的烘烤时间和温度也是不一样的。缺氧胶烘烤温度90度烘烤10分钟,银胶烘烤温度120度烘烤90分钟,红胶烘烤温度120度烘烤30分钟。无尘烘箱主要应用于半导体晶圆片光刻涂胶镀膜前的基片清洗后的前烘烤(Prebaking)、涂胶后的软烘焙Softbaking),曝光、显影后的坚膜硬烘(Hardbaking)等工艺,适用半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料的洁净、防氧化烘烤,亦可用于LCD、TFT、COMS、生物、医药、光学镀膜、精密元件干燥等生产工艺以及研发机构。 防止潮湿气体进入真空泵,造成真空泵故障。杭州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

真空烘箱

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 台州快速干燥真空烘箱调试调整微电脑智能温控仪设定参数。

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    本实用新型的工作原理:首先将不同热量需求的原料放置在相应的支撑板13上,然后将热水源与每一个进水管6以及出水管8相连通,热水同时从每一个进水管6进入到每一层对应的导流管10内,并对支撑板13上的原料进行烘干,每一个导流管10内的热水经对应的出水管8流出,并回到热水源中进行加热以便再次循环使用。本实用新型的有益效果:(1)本实用新型结构简单,操作方便,可对不同原料进行加热烘干,烘干效果好、烘干效率高、适用范围广。(2)本实用新型中每一个进水管6与上层对应导流管10之间、上下相邻两个导流管10之间、下层每一个导流管10与对应出水管8之间均采用螺纹式快速连接,操作简单,使用方便,连接牢靠,保证了其内热水的稳定流动,从而提高了烘干效率。(3)本实用新型在每一个进水管6、出水管8以及导流管10内均沿其长度方向错位竖直设有上隔板11和下隔板12,用于降低热水的流速,从而提高了烘干效果。

互感器生产工艺流程:包扎→二次线圈绕制→二次线圈检测→一次线圈绕制→装模→真空浇注→加热固化→脱模→试验。其中:真空浇注:装入模具内的互感器半成品加热干燥达到工艺要求后,送入互感器用环氧真空浇注设备内,将配置好的环氧混合材料采用真空浇注的方式注入模具内,进行真空脱气处理,达到工艺要求的真空度后,破空取出模具送入电加热烘箱加热固化。脱模:电加热烘箱内的环氧混合料(环氧树脂和硅微粉),在模具内经过加热固化成形后,将模具从烘箱内取出,打开模具,取出互感器产品。真空烘箱真空度≤133Pa,可有效进行真空脱处理,完成真空浇注工艺可设定温度、测定温度。

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一般的电热(鼓风)干燥箱均设有温度均匀度参数:自然对流式的干燥箱为工作温度上限乘3%,强制对流式的干燥箱为工作温度上限乘2.5%。惟独电热真空干燥箱不设温度均匀度参数,这是因为真空干燥箱内依靠气体分子运动使工作室温度达到均匀的可能性几乎已经没有了。因此,从概念上我们就不能再把通常电热(鼓风)干燥箱所规定的温度均匀度定义用到真空干燥箱上来。在真空状态下设这个指标也是没有意义的。热辐射的量与距离的平方成反比。同一个物体,距离加热壁20cm处所接受的辐射热只是距离加热壁10cm处的1/4。差异很大。这种现象与冬天晒太阳时,晒到太阳的一面很暖和,晒不到太阳的一面比较冷是一个道理。由于真空干燥箱在结构上很难做到使工作室三维空间内的各点辐射热的均匀一致,同时也缺乏好的评估方法,这有可能是电热真空干燥箱标准中不设温度均匀度参数的原因。本干燥器属于静态真空干燥器,故干燥物料的形成不会损坏。温州防止氧化真空烘箱定制

加热功率比例可任意调节,革除低端控温无温度弊端。杭州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

一般的电热真空干燥箱都采用先加热真空室壁面、再由壁面向工件进行辐射加热的方式。在这种方式下,控温仪表的温度传感器可以布置在真空室外壁。传感器可以同时接受对流、传导、和辐射热。而处于真空室里的玻璃棒温度计只能接受辐射热,更由于玻璃棒黑度不可能达到1,相当一部分辐射热被折射了,因此玻璃棒温度计反映的温度值就肯定低于仪表的温度读数。一般讲,200℃工况时仪表的温度读数与玻璃棒温度计的读数两者相差30℃以内是正常的。如果控温仪表的温度传感器布置在真空室内,玻璃棒温度计的温度值与仪表的温度读数之间的差异可以适当缩小,但不可能消除,而真空室的密封可靠性增加了一个可能不可靠环节。如果从操作实用角度考虑不希望看到这个差异,可以采用控温仪表特有的显示修正功能解决。杭州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

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