AD9361BBCZ-REEL是一款由AnalogDevices制造的高性能、多模（3G、4G、5G）无线收发器芯片，采用低成本、小型的16引脚QFN封装。该芯片的主要特点包括高性能、低功耗、高灵敏度、高线性度、宽带宽、低噪声系数、低相位噪声、多模兼容性（3G、4G、5G）和内置可编程增益放大器（PGA）。它具有高达61dB的增益和高达45dB的PGA增益，以及出色的噪声系数（NF）和相位噪声性能，可实现高性能的无线信号接收和发射。AD9361BBCZ-REEL适用于多种无线通信系统和应用，包括无线局域网（WLAN）、蓝牙、全球定位系统（GPS）、无线电控制（RC）、蜂窝通信等。它可实现高性能、低成本、小型的无线通信解决方案，并支持多种协议和标准。总之，AD9361BBCZ-REEL是一款高性能、多模（3G、4G、5G）无线收发器芯片，具有的性能和多功能性，适用于多种无线通信应用。ADI的IC芯片的出色噪声抑制使其在嘈杂环境中也能保持稳定。AD5627RBRMZ
ADG619BRTZ是单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，具有低导通电阻（4Ω，典型值）、通道间导通电阻匹配（Ω）、低功耗、高开关速度特性、先开后合式开关特性等优点。它采用8引脚SOT-23和8引脚MSOP封装，适用于防务和航空航天应用（AQEC标准）等。此外，它还支持±V至功能Ω导通电阻Ω电阻平坦度±±，8引线MSOP典型功耗（<μW）TTL-/CMOS兼容输入应用程序自动测试设备电源布线通信系统数据采集系统取样和保持系统航空电子继电器更换电池供电系统功能框图在ADG619/ADG620S2S1D注释1.显示的开关逻辑1输入。02617-001图1。概述ADG619/ADG620是单片CMOS单极双掷（SPDT）开关。每个开关导通相等当设备打开时，两个方向都很好。ADG619/ADG620提供4Ω的低导通电阻通道之间匹配在Ω以内。这些开关还提供低功耗，但导致高切换速度。ADG619显示先断后合切换动作，从而防止开关时瞬间短路通道。ADG620表现出先接通后断开的动作。ADG619/ADG620有8导线SOT-23和一个8引线MSOP。±V双电源或V至V单电源1。 REF194ESZ-REELADI的IC芯片提供了出色的过载保护，保护电路免受损坏。
AD8314ACPZ是一款用于RF信号测量与控制的低成本完整子系统，工作频率范围为100 MHz至2.7 GHz，典型动态范围为45 dB，主要用于各种蜂窝手机和其它无线设备。与采用分立式二极管检波器的方案相比，它能够提供更宽的动态范围和更高的精度，在-40°C至+85°C整个工作温度范围内的温度稳定性尤为出色。AD8314提供8引脚MSOP和8引脚LFCSP两种封装，采用2.7 V至5.5 V电源供电，功耗为4.5 mA。进入省电模式时，典型休眠电流为20 µA1。参考：1|百家号
REF198GSZ是一款精密带隙基准电压源芯片，它采用的温度漂移曲率校正电路和激光微调薄膜电阻技术，以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF198GSZ采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺。引脚TP是工厂用的测试点，Vs是输入电压端，OUTPUT是基准电压输出端，GND是公共地，NC是空引脚，反向SLEEP是睡眠模式控制端，低电平有效。REF198GSZ是一款精密带隙基准电压源芯片，它采用的温度漂移曲率校正电路和激光微调薄膜电阻技术，以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF198GSZ采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺。引脚TP是工厂用的测试点，Vs是输入电压端，OUTPUT是基准电压输出端，GND是公共地，NC是空引脚，反向SLEEP是睡眠模式控制端，低电平有效。 针对不同的应用场景，ADI品牌的IC芯片提供了多种封装形式和型号供选择。
HMC7043LP7FETR是一款时钟管理和分配芯片，旨在满足多载波GSM和LTE基站设计的要求。它具有14个低噪声和可配置输出，可以与基站收发信机（BTS）系统中的许多不同器件接口，如数据转换器、本振、发射/接收模块、现场可编程门阵列（FPGAs）和数字前端ASIC等12。HMC7043LP7FETR可以根据JESD204B/JESD204C接口要求生成多达七个DCLK和SYSREF时钟对。系统设计者可以生成较少数量的DCLK和SYSREF对，并为单独相位和频率配置剩余输出信号路径。DCLK和SYSREF时钟输出都可以配置为支持不同的信号标准，包括CML、LVDS、LVPECL和LVCMOS，以及不同的偏置条件，以适应不同的电路板插入损耗12。ADI的IC芯片的高性能使其成为许多应用的理想选择。AD7887ARMZ-REEL7
该品牌的IC芯片的欠压锁定特性防止了系统在电源不稳定的情况下运行。AD5627RBRMZ
ADCLK914BCPZ是一款采用ADI公司的互补双极性（XFCB-3）硅锗（SiGe）工艺技术制造的超快型时钟/数据缓冲器1。它具备高压差分信号（HVDS）输出，适合于驱动ADI的高速数模转换器（DAC）1。另外，它还具备单个差分开集输出，其工作频率高达，传播延迟为160ps，随机抖动（RJ）为110fs，输入具有100Ω中心抽头片内端接电阻，并接受LVPECL、CML、CMOS、LVTTL或LVDS（交流耦合）等1。此外，这款缓冲器的VREF引脚可用来为交流耦合输入提供偏置；HVDS输出级可以直接将每端Ω传输线路中，从而获得；另外，它还采用16引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为扩展的工业温度范围-40°C至+125°C1。 AD5627RBRMZ
