常见芯片封装类型-PGA：的PGA为插针网格式封装，芯片内外有多个方阵形插针，沿芯片四周间隔排列，可根据引脚数目围成2-5圈，安装时需插入专门的PGA插座。从486芯片开始，出现了ZIF（零插拔力）插座，方便PGA封装的CPU安装和拆卸。PGA封装插拔操作方便、可靠性高，能适应更高频率。中清航科在PGA封装方面拥有专业的技术与设备，可为计算机、服务器等领域的客户，提供适配不同频率要求的高质量PGA封装芯片。有相关需求欢迎随时联系我司。功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。江苏国内封装厂
针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。平行封装中清航科聚焦芯片封装，用仿真预判风险，缩短研发验证周期。
中清航科可延展电子封装实现200%形变耐受。银纳米线导电网络电阻变化率＜5%，结合自愈合弹性体，使电子皮肤寿命超5万次弯折。医疗监测设备通过FDA认证。面向5G滤波器，中清航科开发SAW芯片气密封装。氮化铝压电薄膜搭配金凸点倒装，使2.6GHz滤波器插损＜1.5dB，带外抑制＞55dB。温度稳定性达-25ppm/℃。中清航科碲锌镉探测器封装突破能量分辨率。钨铜屏蔽结构使本底噪声降低90%，在122keV伽马射线探测中分辨率达5.1%。核医疗设备成像清晰度提升40%。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。高频芯片对封装要求高，中清航科针对性方案，降低信号损耗提升效率。
针对MicroLED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科芯片封装创新，支持多芯片异构集成，突破单一芯片性能局限。贴片芯片封装
微型芯片封装难度大，中清航科微缩技术，实现小体积承载强性能。江苏国内封装厂
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。江苏国内封装厂
