江苏陶瓷壳体封装

针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点，中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接，结合环氧模塑料（EMC）三重防护层，使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆（ReconstitutedWafer）技术，将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布，材料利用率提升至92%，较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产，单月产能达500万颗。中清航科芯片封装方案，适配航天级标准，耐受极端温差与气压考验。江苏陶瓷壳体封装

先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。浙江红外传感器的封装中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。

在LED照明与显示技术不断革新的背景下，COB(ChiponBoard，板上芯片封装)技术凭借高集成度、均匀出光等优势，成为行业焦点。众多LED封装厂家围绕COB技术展开研发与实践，实现了多项关键突破。散热性能提升是COB技术突破的重要方向。传统封装中，热量积聚易导致光衰加速、寿命缩短。厂家通过改进基板材料，采用高导热陶瓷基板或金属基复合材料，大幅降低热阻;同时优化芯片布局与封装结构，构建高效散热通道，使COB模组的工作温度明显降低，有效提升了产品稳定性与使用寿命。

常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。中清航科芯片封装方案，适配边缘计算设备，平衡性能与功耗需求。

中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体，使280nmUVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中，光功率密度提升至80mW/cm²，寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术，中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构，使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²，助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构，在0.34THz频点插损＜3dB。其天线封装（AiP）方案使安检成像分辨率达2mm，已用于人体安检仪量产。中清航科聚焦芯片封装，用环保材料替代，响应绿色制造发展趋势。封装基板加工

中清航科芯片封装工艺，引入纳米涂层技术，提升芯片表面防护能力。江苏陶瓷壳体封装

为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。江苏陶瓷壳体封装