电源芯片的可靠性直接决定了终端电子产品的稳定与否。当电源芯片在严苛工况下出现异常功耗或失效，其内部常会伴随微弱的漏电或短路光辐射。电源芯片EMMI技术专为捕捉此类信号而设计，通过高精度显微系统与非接触探测，能够在不影响芯片本身的前提下，快速锁定缺陷区域。该系统集成的-80℃制冷型InGaAs探测器，确保了在极低信噪比环境下对微弱光信号的高效捕获，成像清晰度足以指导工程师进行精确分析。应用此技术，第三方分析实验室能够为客户提供专业的失效分析报告；晶圆厂和封装厂则能在生产线上及时拦截不良品，从源头提升产品质量。通过快速定位缺陷并理解其物理成因，电源芯片EMMI技术有力地支持了产品设计与制造工艺的优化，明显增强了电源管理芯片在高温、高负载等极端条件下的工作稳定性与寿命。苏州致晟光电科技有限公司的光电检测平台，整合了此类先进的EMMI检测能力，为电源芯片的全生命周期质量管控提供了坚实技术基础。微光显微镜适配多种探测模式，兼顾科研与工业应用。国内微光显微镜品牌
近红外微光显微镜的高数值孔径（NA）显微光学系统，是 “高效收集光辐射信号” 的中心，其设计目标是限度提升光信号的收集效率，确保微弱光辐射能被探测器捕捉。该光学系统采用 “高 NA 物镜 + 同轴光路” 设计：物镜方面，配备 20X（NA=0.4）、50X（NA=0.8）、100X（NA=0.95）三种高 NA 物镜，数值孔径越大，光收集角越大，信号收集效率越高 ——100X 物镜的光收集效率是普通 20X 物镜的 6 倍以上，可有效收集芯片深层缺陷（如 IC 芯片内部 PN 结）的微弱光辐射。锁相微光显微镜与光学显微镜对比二极管异常可直观定位。
微光显微镜（Emission Microscopy，简称EMMI）是一种基于电致发光原理的非接触检测技术。当芯片上某处出现漏电、PN结击穿或电流异常时，会产生极微弱的光辐射。苏州致晟光电科技有限公司通过高灵敏度的近红外相机（如InGaAs探测器），这些光子信号被捕捉并放大，呈现在我们设备的视野中。每一个微弱的亮点，都是一个潜在的失效点。EMMI就像一台能“看见电流发光”的放大镜，帮助工程师精细定位到晶体管级别的电性缺陷，提升芯片良率。
“看光”与“看热”的互补性：
微光显微镜与锁相红外热成像（LIT）常被视为“失效分析的双翼”。前者通过捕捉电缺陷导致的光子辐射实现“看光”，后者通过测量能量流动的温度变化实现“看热”。在实际应用中，两者的结合能提供更立体的故障诊断视角。例如，当LIT识别出局部过热区域时，EMMI可进一步确认是否存在漏电或PN结击穿现象。这种“光热互证”的方式，极大提升了分析的精度与可信度，也成为致晟光电集成平台的重要技术理念。 微光显微镜依靠光子信号判定。
微光显微镜的检测过程一般包括：样品通电、光信号捕捉、图像分析三个主要步骤。首先，将被测芯片在正常或失效状态下通电运行；随后，EMMI系统通过高灵敏度CCD或InGaAs相机捕捉芯片表面或内部发出的光子信号其次再将软件系统将光信号转化为图像，直观显示光点强度与位置。通过对比不同工作条件下的发光分布，工程师可以判断电气异常的根源，从而对故障位置做出高精度判断。这种流程不仅快速，而且可实现多次重复检测，确保结果可靠。国产微光显微镜技术成熟，具备完整工艺。什么是微光显微镜备件
针对射频芯片，Thermal EMMI 可捕捉高频工作时的局部热耗异常，辅助性能优化。国内微光显微镜品牌
集成电路（IC）的高集成度与复杂结构使得内部缺陷定位如同大海捞针。IC EMMI技术为解决这一难题提供了高效方案。当IC芯片在通电状态下因短路或漏电产生异常时，会释放出特征性的微弱光信号。IC EMMI系统利用其高灵敏度探测器捕获这些信号，并通过非侵入式的成像方式，在确保芯片完整性的前提下，直接可视化缺陷位置。该系统关键的-80℃制冷型InGaAs探测器，有效提升检测灵敏度，能够发现传统手段无法察觉的纳米级缺陷。对于芯片设计公司，这意味着能在流片验证阶段快速定位设计瑕疵；对于封装厂，则能在量产过程中有效监控质量，防止批量性事故。通过将抽象的电性异常转化为直观的光学图像，IC EMMI不仅加快了分析速度，更深化了对失效机理的理解，成为驱动IC产品性能与可靠性持续提升的关键工具。苏州致晟光电科技有限公司提供的IC EMMI解决方案，以其优异的成像稳定性和智能化分析软件，正服务于从前沿研发到大规模生产的各个环节。国内微光显微镜品牌
