近红外微光显微镜的高数值孔径（NA）显微光学系统，是 “高效收集光辐射信号” 的中心，其设计目标是限度提升光信号的收集效率，确保微弱光辐射能被探测器捕捉。该光学系统采用 “高 NA 物镜 + 同轴光路” 设计：物镜方面，配备 20X（NA=0.4）、50X（NA=0.8）、100X（NA=0.95）三种高 NA 物镜，数值孔径越大，光收集角越大，信号收集效率越高 ——100X 物镜的光收集效率是普通 20X 物镜的 6 倍以上，可有效收集芯片深层缺陷（如 IC 芯片内部 PN 结）的微弱光辐射。二极管异常可直观定位。红外光谱微光显微镜图像分析
微光显微镜通过搭载高灵敏度的光电探测器，比如能捕捉单光子信号的 EMCCD，再配合高倍率的光学镜头，就能把这些微弱光信号放大并转化成可视化的图像。在图像里，有故障的区域会呈现出明显的 “亮斑”，就像给芯片的 “病灶” 做了精细标记。它的重要性在于，现在的芯片越来越小，很多故障藏在微米甚至纳米级的区域，没有微光显微镜，工程师根本无法定位这些隐性缺陷，无论是芯片研发时的问题排查，还是生产后的质量检测，它都像一双 “火眼金睛”，让隐藏的故障无所遁形，保障电子设备的可靠性。IC微光显微镜范围光发射显微的非破坏性特点，确保检测过程不损伤器件，满足研发与量产阶段的质量管控需求。
微光显微镜（Emission Microscopy, EMMI）是一种基于电致发光原理的失效分析技术。当芯片通电后，如果存在漏电、PN结击穿或闩锁效应等问题，会在缺陷区域产生极微弱的光信号。通过高灵敏度探测器（如 InGaAs 相机），这些信号被捕获并放大，形成可视化图像。每一个亮点，都是一个潜在的电性异常。EMMI 的优势在于其高灵敏度、非接触、实时性强，可帮助工程师在无损条件下快速锁定失效点，是IC、CMOS、功率芯片等领域**常用的基础检测手段。
除工业应用外，微光显微镜（EMMI）在科研与教育领域同样展现出广阔潜力。随着半导体器件向更小尺寸、更高功率密度方向发展，传统的失效分析与材料表征手段已无法充分揭示芯片内部的微观物理行为。而 EMMI 所具备的非接触、高灵敏光子检测能力，使其成为研究半导体基础物理过程的重要工具。高校与研究机构利用该技术探索载流子复合动力学、PN 结击穿机理、界面缺陷演化规律等课题，为半导体材料与器件物理提供了直观的实验观测手段。致晟光电在此领域推出的教学型微光显微镜系统，具备高可视化界面、灵活的参数调节功能及模块化光路设计，能够直观展示芯片发光缺陷分布与能量传递路径。目前，已有多所理工类高校与研究实验室引入该系统，将其作为半导体器件分析与电性诊断课程的重要教学设备。通过这一平台，学生与科研人员得以更直观地理解芯片失效机理及材料光电特性，为产业创新与人才培养提供了坚实的技术支撑与教育基础。
它不依赖外部激发（如激光或电流注入），而是利用芯片本身在运行或偏压状态下产生的“自发光”；
在现代半导体失效分析（Failure Analysis, FA）体系中，微光显微镜占据着不可替代的地位。随着器件尺寸的不断微缩，芯片内部缺陷的电信号特征愈发微弱，而EMMI能直接“看到”缺陷产生的光信号，这一特性使其在前期定位环节中尤为关键。它能够快速锁定芯片内部电气异常区域，为后续的物理剖面分析、扫描电镜（SEM）观察提供方向性依据。无论是功率MOSFET、IGBT，还是高性能逻辑芯片，EMMI都可高效识别短路、漏电等失效点，从而提升分析效率与准确度。技术员依靠图像快速判断。什么是微光显微镜市场价
在电路调试中，微光显微镜能直观呈现电流异常区域。红外光谱微光显微镜图像分析
如果您是电子半导体行业的制造公司，缺少这么一台emmi 微光显微镜设备，当芯片发生失效的时候工程师要在这么多晶体管中找到故障点，就像大海捞针一样困难。而且，很多故障在芯片外观上没有任何痕迹，比如栅氧层的微小破损，从外面看和正常芯片没区别，只有通过微光显微镜捕捉内部的微弱光信号，才能精细定位。可以说，微光显微镜是保障芯片从研发到应用全流程可靠性的关键工具，没有它，很多大型电子设备的质量无法得到很好的保证。红外光谱微光显微镜图像分析
