云南使用射频功率放大器技术

    其中：串联电感l用于匹配并联到地支路中的sw1在关闭状态的寄生电容，减少对后级驱动放大电路的输入匹配电路的影响。在负增益模式下，sw1处在导通状态，电阻r主要承担对射频输入功率分流后的衰减，sw1主要负责射频输入支路端与接地端(gnd)的导通。若系统要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身导通时寄生的电阻吸收和衰减射频功率。这里的开关可以用各种半导体工艺实现，如互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二极管等，其中，pin表示：在p和n半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(intrinsic)半导体层，组成的这种p-i-n结构的二极管就是pin二极管。需要说明的是，r所在的可控衰减电路与后级的功率放大电路的关系是并联关系。并联关系在于电压相同时，r越小，可控衰减电路分得电流越大，得到的功率越多。故r越小，进入可控衰减电路的功率越多，相应的进入后级功率放大电路的功率就越少，衰减就越大。所以，为了实现大幅度的衰减，r有时需要省略，依靠sw自身的导通电阻ron。其中，串联电感l1的通过以下方法得到：在未加入可控衰减电路时，若输入匹配电路101对应的阻抗为：z0＝r0+jx0。噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值，单位常用“dB'’。云南使用射频功率放大器技术

    需要满足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情况下，可以计算得到r20和x20，进一步的，在第二电阻和开关的参数已知的情况下，可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配，因此，输入端的回波损耗可满足要求。其中，因为电感集成于硅基芯片上，所以，电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小，因此在非负增益模式下，可控衰减电路的频选特性不明显，频率响应带宽较宽。在负增益模式下，回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中，驱动放大电路102包括：第二电容c2、第二mos管t2和第三mos管t3，其中：第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接，第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接，第二mos管的源级接地，第二电容的端连接第三mos管的栅级，第二电容的第二端接地。其中，第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中，反馈电路103包括：第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1，其中：第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级，第四电容的第二端连接第四电阻的端，第四电阻的第二段连接第三电容的端。福建V段射频功率放大器价格由于微波固态功率放大器输出功率较大，很小的功率泄漏都会对周围电路的 工作产生较大影响。

    计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值，比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等，开启所述射频功率放大器，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等，所述射频功率放大器配置完成。本方案在当移动终端切换射频频段启动射频功率放大器时，能够通过对射频功率放大器的状态检测，快速设置各个射频功率放大器从而提升射频的频段切换的速度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的一种射频功率放大器检测电路的连接示意图；图3是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测装置的结构示意图；图4是本申请实施例提供的移动终端的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

    射频功率放大器电路，用于根据微控制器的控制，对射频收发器的输出信号进行放大或衰减；天线，用于发射射频功率放大器电路的输出信号。由于终端(如水电表)分布范围广，每个终端距离基站的距离各不相同，距离基站远的终端，其信道衰减量大，因此需要射频功率放大器电路的输出功率大；而距离基站近的终端，其信道衰减量小，因此需要射频功率放大器电路的输出功率小。微控制器通过控制射频功率放大器电路的输入功率和增益，从而控制其输出功率，使其输出功率满足要求。例如，基站使用预先确定的通信资源发送同步信号(synchronizationchannel，sch)和广播信号(broadcastchannel，bch)。然后，终端首先捕捉sch，从而确保与基站之间的同步。然后，终端通过读取bch而获取基站特定的参数(如频率、带宽等)。终端在获取到基站特定的参数之后，通过对基站进行连接请求，建立与基站的通信。基站根据需要对建立了通信的终端通过物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道发送控制信息。终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后，控制输出功率，使其满足要求。基站在与终端的通信过程中，根据路径损耗(pathloss，pl)确定链路预算(linkbudget，lb)。甲类工作状态：功放大器在信号周期内始终存在工作电流，即导通角0为360度。

    功率放大器通过匹配网络连接射频输出端rfout。自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端rfin，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器。其中，自适应动态偏置电路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干电容和电阻组成。可选的，自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接射频输入端。自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器源共栅放大器的栅极偏置电压，提高了射频功率放大器的线性度。图2示出了本申请一实施例提供的自适应动态偏置电路的电路原理图。如图2所示，在自适应动态偏置电路中，nmos管mn17的栅极为自适应动态偏置电路的输入端rfin_h。nmos管mn17的漏极连接pmos管mp04的源极。nmos管mn17的漏极和pmos管mp04之间hia连接有并联的电容c17和电阻r12。nmos管mn17的漏极接电源电压vdd，pmos管mp04的源极接电源电压vdd。nmos管mn17的源极接地，pmos管mp04的漏极通过并联的电容c18和电阻r16接地。第二nmos管mn18的漏极与第二pmos管mp01的漏极连接。第二nmos管mn18的源极接地。具体地，第二nmos管mn18的源极通过电阻r14接地。第二pmos管mp01的源极接电源电压vdd。由于进行大功率放大设计，电路必然产生许多谐波，匹配电路还需要有滤 波功能。福建宽带射频功率放大器生产厂家

GaN作为功率放大器中具有优良材料 的宽带隙半导体材料之一被誉为第5代半导体在微电应用领域存 在的应用.云南使用射频功率放大器技术

    即射频功率放大器的配置状态电阻值为射频功率放大器211的电阻值是r11，射频功率放大器212、213和214的电阻值仍是r2、r3和r4。计算射频功率放大器检测模块的电阻值，如果射频功率放大器211的射频功率放大器检测模块的电阻值是r11，与配置状态电阻值相同，则表示射频功率放大器211已经开启；如果射频功率放大器211的射频功率放大器检测模块的电阻值是r1，与配置状态电阻值不相同，则表示射频功率放大器211未开启，移动终端开启射频功率放大器211。计算的各个射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态电阻值均相同时，则射频功率放大器已经配置完成。其中，频段切换前，射频功率放大器的初始状态包括开启状态和关闭状态，包括两种情况：全部是关闭状态或者部分关闭，部分开启。频段切换时，移动终端会对所有射频功率放大器发出配置指令，射频功率放大器检测模块的电阻值与本次指令要求的电阻值未有变化，则不作操作，否则按当前指令的电阻值进行射频功率放大器的相关配置。103、比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如，射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端切换频段时，此时射频功率放大器的电阻值。云南使用射频功率放大器技术

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