被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中,目前射频功率放大器绝大部分采用GaAs材料。在GSM通信中,国内的紫光展锐和汉天下等芯片设计企业曾凭借RFCMOS制程的高集成度和低成本的优势,打破了采用国际厂商采用传统的GaAs制程完全主导射频功放的格局。但是到了4G时代,由于Si材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等缺点,RFCMOS已经不能满足要求,手机射频功放重新回到GaAs制程完全主导的时代。与射频功放器件依赖于GaAs材料不同,90%的射频开关已经从传统的GaAs工艺转向了SOI(Silicononinsulator)工艺,射频收发机大多数也已采用RFCMOS制程,从而满足不断提高的集成度需求。5G时代,GaN材料适用于基站端。在宏基站应用中,GaN材料凭借高频、高输出功率的优势,正在逐渐取代SiLDMOS;在微基站中,未来一段时间内仍然以GaAsPA件为主,因其目前具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势,但随着器件成本的降低和技术的提高,GaNPA有望在微基站应用在分得一杯羹;在移动终端中,因高成本和高供电电压,GaNPA短期内也无法撼动GaAsPA的统治地位。全球GaAs射频器件被国际巨头垄断。全球GaAs射频器件市场以IDM模式为主。输出匹配电路主要应具备损耗低,谐波抑制度高,改善驻波比,提高输出功 率及改善非线性等功能。辽宁射频功率放大器市场
在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p,功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理,功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号,功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定,且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中,差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的,对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术,本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中,初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接,输入经过放大的差分信号;初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接,输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中,次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。辽宁射频功率放大器市场目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs,GAN和LDMOS工艺。
较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗,需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗,进而产生额外的阻抗变换),这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位,也会降低能量传输效率。在本发明实施例中,增加辅次级线圈,可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。本发明实施例还提供了一种通信设备,包括上述任一实施例所提供的射频功率放大器。通信设备中还可以存在其他模块,例如基带芯片、天线电路等,上述的其他模块均可以采用现有技术中已有的模块,本发明实施例不做赘述。虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节,但是反馈电路只能增加或减少增益,而不能实现负增益,无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素:有鉴于此,本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的:本申请实施例提供一种射频功率放大器电路,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路,与所述驱动放大电路跨接的反馈电路;所述可控衰减电路,用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。
射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态,由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302,用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,移动终端进行频段切换时,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。其中,计算单元还包括计算电阻和处理器,计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接,计算电阻另一端与电源电压连接;处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器检测模块连接。(3)比较单元303比较单元303,用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如,将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较,可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端频段切换时的射频功率放大器的电阻值。其中,射频功率放大器检测模块与配置状态的电阻值不相同,则表示射频功率放大器还没有开启,移动终端开启此射频功率放大器。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。辽宁射频功率放大器市场
功率放大器在无线通信系统中是一个不可缺少的重要组成部分通信体制的发展功率放大器进入了快速发展的阶段。辽宁射频功率放大器市场
功率合成模块,定向耦合器,功率监测模块,保护电路,电源供电模块,显示和控制单元等,如图8所示。图8:AMETEK固态射频功放的组成结构为了便于装配,调试,升级,维修,AMETEK的功放在业界率先采用了模块化的设计结构,内部模块及各种走线的布局干净整洁,如图9所示。图9:AMETEK固态射频功放的模块化结构AMETEK的功放产品覆盖的频率范围从4KHz到45GHz,如图10所示。图10:AMETEK的功放产品覆盖的频率范围从4KHz到45GHz不但可以满足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及医疗等商用EMC标准,还可以满足诸如MIL461-RS103/CS114,DO-160,MIL-464等航空和EMC标准的抗扰度测试对功放的需求,不但可以提供功放产品,还可以提供包括整套系统在内的交钥匙工程。欢迎沟通交流!欢迎各位参与交流,分享!辽宁射频功率放大器市场
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