◎通常为单级反渗透或二级反渗透的渗透水 ◎TEA（总可交换阴离子，以CaCO3计）：<25ppm。 ◎电导率：<40μS/cm ◎PH：6.0～9.0。当总硬度低于0.1ppm时，EDI良好工作的pH范围为8.0～9.0。 ◎温度：5～35℃。 ◎进水压力：<4bar（60psi）。 ◎硬度：（以CaCO3计）：<1.0ppm。 ◎有机物（TOC）：<0.5ppm。 ◎氧化剂：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 ◎变价金属：Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 ◎H2S：<0.01ppm。 ◎二氧化硅：<0.5ppm。 ◎色度：<5APHA。 ◎二氧化碳的总量：<10ppm ◎SDI 15min：<1.0。EDI超纯水设备可用于晶圆的切割、清洗、再生、封测用水、半导体设备清洗、电子级无尘布无尘服清洗；安庆水处理EDI超纯水销售电话
EDI与混床优、缺点分析 优点 混床 1、设备初期投入低 2、出水水质稳定 3、预处理要求简单 4、水的利用率较高 EDI 1、设想周到的堆叠式设 2、水质稳定 3、无需酸碱再生，无危害性废液排放 4、连续运行，简单操作 5、运行费用低 6、占地面积小 7、便于安装及保养 8、水的利用率高 缺点 混床 1、树脂交换容量利用率低、损耗率大 2、酸碱再生有危险性废液排放 3、细菌易在床层中繁殖 4、阀门较多，操作复杂 5、运行重量高，占用面积大 EDI 1、初期投资较大 2、 对预处理要求高 综上所述，对于高纯水系统，无论从产水质量、性能和操作等方面考虑，还是从运行费用和环保等方面考虑，反渗透+EDI工艺都是一个理想的选择。 南京电子EDI超纯水的特点纯水制取中采用EDI模块和膜分离技术相结合，这两项技术在设备运行中对进入的水质也有着相应的要求。
混床和EDI成本对比 1.投资量比较 与混床离子交换设施相比EDI装置初期投资量要高约20%左右,但从混床需要酸碱储存、酸碱添加和废水处理设施及后期维护、树脂更换来看,两者费用相差在10%左右。随着技术的提高与批量生产,EDI装置所需的投资量会降低。另外,EDI装置设备小巧,所需厂房空间远远小于混床 2.运行成本比较 EDI装置运行费用包括电耗、水耗、药剂费及设备折旧等费用,省去了酸碱消耗、再生用水、废水处理和污水排放等费用。在电耗方面,EDI装置约0.5KW•ｈ/ｔ水,混床工艺约0.35KW•ｈ/ｔ水,EDI的电耗成本会略高。在水耗方面,EDI装置产水率高,不用再生用水,因此在此方面运行费用低于混床。至于混床的药剂费和EDI设备折旧费两者相差不大。总的来说,在运行费用中,EDI装置吨水运行成本在2.4元左右,常规混床吨水运行成本在2.7元左右,高于EDI装置。因此,EDI装置多投资的费用在几年内完全可以回收。 3.产品水质比较 EDI装置是一个连续净水过程,因此其产品水水质稳定,电阻率一般为15ＭΩ•ｃｍ,可达18ＭΩ•ｃｍ,达到超纯水的指标。混床离子交换设施的净水过程是间断式的,在刚刚被再生后,其产品水水质较高,随着使用时间的延长其产品水水质会慢慢变差。进而需要对混床重新再生。
(4)进水硬度的控制。可结合除CO2，对RO进水进行软化、加碱;进水含盐量高时，可结合除盐增加一级RO或纳滤。 (5)TOC的控制。结合其他指标要求，增加一级RO来满足要求。 (6)浊度、污染指数的控制。浊度、污染指数是RO系统进水控制的主要指标之一，合格的RO出水一般都能满足EDI的进水要求。 (7)Fe的控制。运行中控制EDI进水的Fe低于0.01 mg/L。如果树脂已经发生了“中毒”，可以用酸溶液作复苏处理，效果比较好。 [1] (8) EDI系统进水水质要求 综合以上各方面的分析，对于EDI进水的水质要求如表所示，可以保证其出水指标达到电子行业半导体制造需要的高纯水的要求。从工艺流程上来说，EDI超纯水设备的进水一般是采用RO反渗透处理过的水为进水。
纯水处理技术的发展主要经历了阴、阳离子交换器+混合离子交换器；反渗透+混合离子交换器；反渗透+电去离子装置等阶段；预处理 + 反渗透 +连续电解除盐。整套除盐系统，有着其他处理系统无可比拟的优点，正被广泛应用于纯水、高纯水的制备中。a .EDI系统的运行稳定性： 降低总离子负荷、减少结垢和污染因子从EDI的进水条件进行分析，满足EDI的进水条件，减少弱电解质和结垢污染类物质的影响，采用经济合理的工艺手段去除EDI的进水负荷，尤其是尽力弱电解质负荷，对于实现EDI的稳定运行将产生至关重要的影响。反渗透+EDI工艺产水质量高，适用于高级别纯水系统。宿迁全自动EDI超纯水设备保养
EDI设备运行更加的环保，没有酸液、碱液排放，可以节水节能合理会用全部的浓水。安庆水处理EDI超纯水销售电话
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