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    用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子，即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器，利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度，温度传感器的输出端子与显示仪表连接，显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。在一实施例中，因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂，对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层，其上还形成有一层钝化层，可对金属层进行保护。同时，需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔，通过通孔可引出输出端子。在本实施例中，是在两端的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层，也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中，测温单元为一热电偶传感结构，包括：多晶硅层，包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；和第三金属层。第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，n型多晶硅和p型多晶硅通过金属结构串联，第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示，氧化硅薄膜上形成有一层多晶硅层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。进气温度传感器是一种常用的车用温度传感器。天津大规模温度传感器报价

    图为另一实施例中温度传感器侧视图；图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更的描述。附图中给出了本发明的优先实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法，如图所示，其步骤包括：步骤s：在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示，获取一硅晶片。长春无线温度传感器封装找不到好的温度传感器供应？来找深圳美信美科技。

    m需为偶数。第二金属结构淀积于多晶硅层外侧的两端，以便于引出温度传感器的输出端子。在本实施例中，第三金属层为金属铝层。上述热电偶传感结构，利用两不同类型的半导体两端的温度不同时，会在半导体内部产生温差电动势，不同类型的半导体其温差电动势不同。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。将两种半导体两端连接形成闭合回路时，在回路中有电流产生，半导体两端的温差不同时，所产生的电动势不同。在本方案中，采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联，可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中，可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定，将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度，当环境温度发生变化时，冷端和热端的温差发生变化，因此冷端的电势会发生变化，与显示仪表连接后。

    基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。如图c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出，在本方案中，测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，包括：金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于金属铂层外侧两端，用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示，氧化硅薄膜上淀积有一层金属层，该金属层为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。该第二金属层可为金属铝层，用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。接触式温度传感器的检测部分与被测对象有良好的接触，又称温度计。

    第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，n型多晶硅和p型多晶硅通过金属结构串联，第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出温度传感器的输出端子。如图5和图6所示，氧化硅薄膜23上形成有一层多晶硅层50，该多晶硅层50包括并排且间隔设置的n型多晶硅条51和p型多晶硅条52。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅，且其内部掺杂均匀；p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同，在本方案中，n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型，多晶硅条平行设置，具有相同的间距。在多晶硅层50上淀积有第三金属层60，第三金属层60包括金属结构61和第二金属结构62。金属结构61位于相邻多晶硅条之间，该多晶硅条通过金属结构61连接，金属结构61具体为位于相邻多晶硅条端部位置，所有n型多晶硅条51和p型多晶硅条52通过该金属结构61形成一串联结构，因此，当具有m个多晶硅条时，需要m-1个金属结构61使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构，在本方案中，是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元，因此。由于大多数传感器的选择在温度范围和精度上有重叠，因此传感器的选择将取决于如何将其集成到一个系统中。重庆双列直插型温度传感器公司

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    如图所示)。步骤s：在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图和图，在金属铂层外侧两端淀积一层第二金属层，该第二金属层可为金属铝层，从金属铝处引出该温度传感器的输出端子，即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度，温度传感器的输出端子与显示仪表连接，显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。形成测温单元还包括钝化步骤，即，步骤s：在金属层上形成钝化层，并在钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂，对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层，其上还形成一层钝化层，可对金属层进行保护。天津大规模温度传感器报价