企业商机
温度传感器基本参数
  • 品牌
  • 齐全
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 开关型,数字型
  • 制作工艺
  • 薄膜
  • 感温元件
  • 热敏电阻
  • 材料物理性质
  • 半导体
温度传感器企业商机

    在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;在所述多晶硅上淀积第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述制备方法还包括:在所述金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。本发明还公开了一种温度传感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器,由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。由于基底隔热效果较好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。深圳美信美温度传感器价格好。北京扁平形温度传感器工艺

    图为另一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更的描述。附图中给出了本发明的优先实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图所示,其步骤包括:步骤s:在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示,获取一硅晶片。珠海特大规模温度传感器哪家好温度传感器在空调中的应用是非常常见的。

    可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。通常,形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电偶传感器中上层有金属结构如金属铝层,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果。

    m需为偶数。第二金属结构淀积于多晶硅层外侧的两端,以便于引出温度传感器的输出端子。在本实施例中,第三金属层为金属铝层。上述热电偶传感结构,利用两不同类型的半导体两端的温度不同时,会在半导体内部产生温差电动势,不同类型的半导体其温差电动势不同。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。将两种半导体两端连接形成闭合回路时,在回路中有电流产生,半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中,采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后。进口温度传感器,认准深圳市美信美科技。

    产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。步骤s:热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方连接起来,将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理,当硅片被加热到一定温度时,硅原子的振动能较大,导致原子的移动能加强,硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽。且沟槽侧壁的间距较小,当硅原子迁移运动达到一定程度时,硅原子会进入沟槽内,硅片内部的沟槽会发生形变,沟槽上部被硅封闭,若干沟槽中间部位相互连通,形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间,空腔的上部和下部均具有硅结构,上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中,热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距,可以得到不同形态的空腔,且间距越大,所需的退火温度就越高,但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中,沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距,如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时,热退火需要在一隔离环境中进行。深圳美信美温度传感器品质棒棒的。长春国产温度传感器精度哪家好

由于大多数传感器的选择在温度范围和精度上有重叠,因此传感器的选择将取决于如何将其集成到一个系统中。北京扁平形温度传感器工艺

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