设备的自动化控制功能为科研工作带来了极大的便利和高效性。以自动生长程序编写为例,科研人员可通过PLC单元和软件,根据实验需求精确设定各项参数,如分子束的流量、基板的加热温度、沉积时间等,将这些参数按照特定的顺序和逻辑编写成自动生长程序。在运行程序时,设备能严格按照预设步骤自动执行,无需人工实时干预,较大节省了人力和时间成本。
石英晶体微天平(QCM)也是重要的原位监测工具,它基于石英晶体的压电效应,通过测量晶体振荡频率的变化来实时监测薄膜的沉积速率和厚度。在薄膜沉积过程中,随着薄膜厚度的增加,石英晶体的振荡频率会发生相应变化,通过预先建立的频率与厚度的关系模型,就可以精确地监测薄膜的生长情况。 集成RHEED系统实时监测薄膜生长过程中的晶体结构。外延系统设备

在低温环境应用中,设备可利用液氮等制冷手段实现低温条件。在研究某些半导体材料的低温电学性能时,低温环境能改变材料的电子态和能带结构。例如,在研究硅锗(SiGe)合金在低温下的载流子迁移率时,通过设备提供的低温环境,可精确控制温度,测量不同温度下SiGe合金的电学参数,深入了解其在低温下的电学特性,为半导体器件在低温环境下的应用提供理论依据。除此之外,在强磁场环境应用方面,虽然设备本身主要用于薄膜沉积,但在一些与磁性材料相关的研究中,可与外部强磁场装置配合使用。在制备磁性隧道结材料时,强磁场可以影响磁性材料的磁畴结构和磁各向异性。设备在强磁场环境下进行薄膜生长,能够研究强磁场对磁性薄膜生长和磁性能的影响,为自旋电子学领域的研究提供重要的实验数据,推动新型磁性器件的研发。外延系统设备系统故障诊断可通过软件自检功能快速定位。

在完成检查且确认无误后,按照以下步骤启动设备。先打开总电源开关,为设备提供电力。然后启动真空泵,开始抽真空,观察真空计的读数,当真空度达到设备要求的基本压力范围,即从 5×10⁻¹⁰至 5×10⁻¹¹mbar 时,可进行后续操作。在启动过程中,要密切关注设备各部件的运行状态,如发现异常声音、振动或异味等情况,应立即停止启动,排查故障。
实验结束后,要按照正确的步骤关闭设备。首先停止沉积过程,关闭激光器和相关的加热装置,停止向设备输入能量。然后逐渐降低真空度,先关闭分子泵,再关闭机械泵,然后打开放空阀门,使设备内的压力恢复到大气压。在关闭真空泵时,要注意先关闭与真空系统相连的阀门,防止泵油倒吸进入真空系统。
当出现故障时,可按照一定的方法和步骤进行排查。首先进行硬件连接检查,查看真空管道、电源线、信号线等连接是否牢固,有无松动、破损或短路现象。例如,对于真空度异常故障,重点检查真空管道各连接处的密封情况,可使用真空检漏仪进行检测,确定是否存在泄漏点。接着检查软件设置,确认温度、压力、沉积速率等参数的设置是否正确。比如温度控制不稳定时,查看温度控制系统的参数设置,包括目标温度、温度调节范围、调节周期等,是否与实验要求相符。对于复杂故障,可采用替换法进行排查。当怀疑某个部件出现故障时,如怀疑温度传感器故障,可更换一个新的传感器,观察故障是否消失,以确定故障部件。负载锁室带差分泵系统,缩短样品更换时间。

产品还具备较广阔的适用性,适用于III/V、II/VI族元素以及其他异质结构的生长,无论是常见的半导体材料,还是新型的功能材料,都能通过该设备进行高质量的薄膜沉积。并且,基板支架尺寸范围从10×10毫米到4英寸,可满足不同尺寸样品的实验需求,无论是小型的基础研究样品,还是较大尺寸的应用研究样品,都能在设备上进行处理,极大地拓展了设备在科研中的应用范围。
在沉积过程中,操作人员要密切监控各项参数和设备的运行状态。观察温度传感器和压力传感器的读数,确保温度和压力稳定在设定范围内。通过设备配备的监控系统,如石英天平用于沉积速率测量和厚度监测器,实时监测薄膜的沉积速率和厚度,及时调整参数,保证薄膜的生长符合预期。 稳定的SiC加热元件确保高温环境下长寿命运行。外延系统设备
依托该 PLD 系统,科研团队可在有限预算内开展高质量实验研究。外延系统设备
靶材的制备与安装是PLD工艺的第一步,需要格外仔细。靶材通常由高纯度的粉末经过压制和高温烧结制成,密度应尽可能高以保证沉积过程的稳定性。在将靶材安装到靶盘上时,需佩戴洁净的无粉手套,避免任何油污或灰尘污染靶面。将靶材牢固固定后,通过步进电机控制的旋转机构,确保每次激光脉冲都能打在靶材的一个新位置上,从而避免对同一位置过度烧蚀形成深坑,保证在整个沉积过程中等离子体羽辉的稳定性,进而获得厚度均匀的薄膜。
基板的预处理与装载同样至关重要。基板需要经过一系列严格的化学清洗流程,例如使用二甲基酮、乙醇和去离子水在超声清洗机中依次清洗,以去除有机污染物和颗粒。清洗后的基板需要用高纯氮气吹干,并尽快装入样品搬运室。在操作过程中,应使用匹配的基板夹具,避免用手直接接触基片的表面。装载时需确保基板与加热片接触良好,以保证热传导效率,使基板温度测量和控制更为准确。 外延系统设备
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