在宽禁带半导体材料研究领域,我们的PLD与MBE系统发挥着举足轻重的作用。以氧化锌(ZnO)为例,它是一种具有优异压电、光电特性的III-VI族半导体。利用PLD技术,通过精确控制激光能量、沉积气压(尤其是氧气分压)和基板温度,可以在蓝宝石、硅等多种衬底上外延生长出高质量的c轴择优取向的ZnO薄膜。这种薄膜是制造紫外光电探测器、透明电极、压电传感器和声表面波器件的理想材料。系统的RHEED监控能力可以实时优化生长条件,确保获得表面光滑、晶体质量高的外延层。扫描型差分 RHEED 实时监控,助力科研人员及时调整工艺参数。脉冲激光沉积分子束外延系统售价

多腔室协同工作在提高生产效率和实现复杂结构生长方面优势明显。在生产效率上,不同腔室可同时进行不同的操作,如预处理室对下一批样品进行预处理时,生长室可进行当前样品的薄膜生长,分析室对已生长的样品进行分析,较大的缩短了整个实验周期。在实现复杂结构生长方面,以制备具有多层异质结构的薄膜为例,可在不同腔室中分别生长不同的材料层,每个腔室都能为相应材料层的生长提供较适宜的环境和工艺条件,从而精确控制各层的生长质量和界面特性,从而实现高质量的复杂结构生长,满足科研和工业对高性能材料的需求。外延系统售后全自动软件控制平台支持III/V及II/VI族化合物生长。

在启动设备前,需要进行一系列严谨细致的检查工作,以确保设备能够正常运行并保证实验的顺利进行。首先是真空系统的检查,要确认真空泵油位是否在正常刻度范围内,这直接关系到真空泵的抽吸能力,若油位过低可能导致真空泵无法正常工作,影响真空环境的建立。查看真空管道是否连接紧密,有无松动或破损迹象,防止空气泄漏影响真空度。检查真空计是否正常显示,它是监测真空度的关键仪表,若显示异常将无法准确判断真空环境状态。
接着检查气源,确保气体钢瓶的阀门关闭严密,防止气体泄漏造成安全隐患。查看气体管道是否有弯折、堵塞情况,保证气体输送顺畅。还要确认气体流量计的准确性,以便精确控制气体流量。电源检查也不容忽视,检查设备的电源线连接是否牢固,有无破损或短路现象。查看电源开关是否正常,各电气部件的指示灯是否亮起,判断设备的供电是否正常。
清洁后的样品要进行固定,确保其在设备内的传输和沉积过程中位置稳定。根据样品的尺寸和形状,选择合适的样品架和固定装置,如夹具、胶带等。对于圆形样品,可使用专门的圆形样品架,通过夹具将样品固定在架上,保证样品中心与样品架中心重合;对于方形样品,可采用胶带将其固定在样品架上,注意胶带要粘贴牢固且不能遮挡样品表面。
日常维护对于保持设备的性能和延长使用寿命至关重要。定期清洁设备是必不可少的维护工作,使用干净的无尘布和适当的清洁剂,擦拭设备的外表面、真空腔室内部以及各部件的表面,去除灰尘、油污和沉积物。特别要注意清洁靶材支架、样品台等关键部位,防止杂质积累影响实验结果。 较少成本购入研究级纯进口 PLD 系统,大幅降低科研设备投入。

薄膜生长监控系统中的扫描型差分反射高能电子衍射(RHEED)是进行原子级外延生长的“眼睛”。它通过一束高能电子以掠射角轰击基板表面,通过观察衍射图案的变化,可以实时、原位地监测薄膜表面的晶体结构、平整度以及生长模式。RHEED强度的振荡直接对应着原子层的逐层生长,研究人员可以通过观察振荡周期来精确控制薄膜的厚度,实现单原子层的精度控制。扫描型设计进一步提升了该技术的空间分辨率,使其能够监测更大面积范围内的薄膜均匀性,是MBE和PLD-MBE技术中不可或缺的原位分析手段。工艺腔体底部法兰可更换,便于端口配置调整。多腔室外延系统衬底温度
系统真空泵组包含分子泵与离子泵以获得超高真空。脉冲激光沉积分子束外延系统售价
RHEED图案模糊或强度过弱的故障分析。这通常并非RHEED系统本身故障,而是与生长腔真空度或样品表面状态相关。首先,确认生长腔真空度是否良好,如果真空度较差,残余气体会对电子束产生散射,导致图案模糊。其次,检查电子枪的灯丝发射电流是否正常。主要的原因往往是样品表面不清洁或不平整。如果基板表面有污染,或者薄膜生长模式为三维岛状,RHEED图案就会变得弥散甚至消失。因此,确保基板严格的清洗程序和优化的生长参数是获得清晰RHEED图案的前提。脉冲激光沉积分子束外延系统售价
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