【真空镀膜机清洗工艺之放电清洗】利用热丝或电极作为电子源,在其相对于待清洗的表面加负偏压可以实现离子轰击的气体解吸及某些碳氢化合物的去除。清洗效果取决于电极材料、几何形状及其与表面的关系。即取决于单位表面积上的离子数和离子能量,从而取决于有效电功率。在真空室中充入适当分压力的惰性气体(典型的如Ar气),可以利用两个适当的电极间的低压下的辉...
查看详细 >>【真空镀膜之离子束溅射镀膜】离子束溅射沉积法在离子源内由惰性气体(通常为氩)产生具有较高能量的离子轰击靶材料,把靶材料沉积到基片上的方法。离子束溅射沉积法的一da优点是基片相对于离子源和靶是du立的,它的温度可以单独控制。基片通常接地位,它和靶与高频电路无关,不会象阴极溅射镀膜那样受到高能电子的轰击,因而温度较低。所以只要配置一台较好的恒...
查看详细 >>【真空镀膜真空的基本概念】:真空的划分:粗真空760Torr~10E&3Torr高真空10E&4Torr~10E&8Torr超高真空10E&9~10E&12Torr极高真空
查看详细 >>【真空镀膜之水转印】水转印是利用水压将转印纸上的彩色纹样印刷在三维产品表面的一种方式。随着人们对产品包装与表面装饰要求的提高,水转印的用途越来越广fan。适用材料:所有的硬材料都适合水转印,适合喷涂的材料也一定适用于水转印。常见的为注塑件和金属件。工艺成本:无模具费用,但需要利用夹具将多件产品同时进行水转印,时间成本一般每周期不会超过10...
查看详细 >>【真空镀膜机清洗工艺之紫外线辐照清洗】利用紫外辐照来分解表面上的碳氢化合物。例如,在空气中照射15h就可产生清洁的玻璃表面。如果把适当预清洗的表面放在一个产生臭氧的紫外线源中.要不了几分钟就可以形成清洁表面(工艺清洁)。这表明臭氧的存在增加了清洁速率。其清洗机理是:在紫外线照射下,污物分子受激并离解,而臭氧的生成和存在产生高活性的原子态氧...
查看详细 >>【光谱特性不良产生的原因】膜系设计时的膜厚、折射率允差太小,试制时的分光曲线在技术要求的边缘,制造中稍有偏差就导致分光不良。设计的膜料折射率与实际的折射率有差异,或发生了变异。实被的中心波长(膜厚)与希望达到的中心波长(膜厚)有差异,或发生了変异。(tooling值(也有F值)有偏差)。制造中出了差错;如膜料用错、程序用错、预熔时没关挡板...
查看详细 >>【光学镀膜加工需要注意什么】当光线进入不同传递物质时(如由空气进入玻璃),大约有5%会被反射掉,在光学瞄准镜中有许多透镜和折射镜,整个加起来可以让入射光线损失到达30%至40%。现代光学透镜通常都镀有单层或多层氟化镁的增透膜,单层增透膜可使反射减少至1.5%,多层增透膜则可让反射降低至0.25%,所以整个瞄准镜如果加以适当镀膜,光线透穿率...
查看详细 >>【光谱特性不良产生的原因】膜系设计时的膜厚、折射率允差太小,试制时的分光曲线在技术要求的边缘,制造中稍有偏差就导致分光不良。设计的膜料折射率与实际的折射率有差异,或发生了变异。实被的中心波长(膜厚)与希望达到的中心波长(膜厚)有差异,或发生了変异。(tooling值(也有F值)有偏差)。制造中出了差错;如膜料用错、程序用错、预熔时没关挡板...
查看详细 >>【真空镀膜的分类】真空镀膜的镀层结构一般为:基材、底漆、真空膜层、面漆,因靶材理化特性直接决定膜层的特性,根据膜层的导电与否,可分为导电真空镀膜(VM)和不导电真空镀膜(NCVM)两种。VM:一般用在化妆品类、NB类、3C类、汽配类按键、装饰框、按键RING类饰品的表面处理,其表面效果与水电镀相媲美,靶材一般为铝、铜、锡、金、银等。NCV...
查看详细 >>【真空镀膜设备之真空的获得】:真空泵:真空泵是指利用机械、物理、化学或物理化学的方法对被抽容器进行抽气而获得真空的器件或设备。通俗来讲,真空泵是用各种方法在某一封闭空间中改善、产生和维持真空的装置。按真空泵的工作原理,真空泵基本上可以分为两种类型,即气体捕集泵和气体传输泵。其广fan用于冶金、化工、食品、电子镀膜等行业。A、粗真空泵(Ro...
查看详细 >>四、光学镀膜机的保养(一)定期更换扩散泵油扩散泵油使用一段时间,约二个月(两班),因在长期高温环境,虽然较高真空时才启动扩散泵,但仍残留氧气及其它成份使之与扩散泵油起反应,扩散泵油在高温下也可能产生裂解,使其品质下降,而延长抽气时间。在我们认为时间延长得太多时,应予更换。(二)真空泵机械泵油、维持泵油在使用二个月,油质会发生变...
查看详细 >>【磁控溅射镀膜的历史】: 磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍地应用于许多方面,特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理等领域。1852年Grove首ci描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体...
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