蚀刻液也可含有α-羟基羧酸和/或其盐。α-羟基羧酸及其盐具有作为钛的络合剂的效果，可抑制蚀刻液中产生钛的沉淀。作为所述α-羟基羧酸，例如可举出酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羟基羧酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从络合效果及溶解性的观点来看，推荐为％至5重量％，更推荐为％至2重量％。另外，蚀刻液也可含有亚硫酸及/或其盐。亚硫酸及其盐具有作为还原剂的效果，可提高钛的蚀刻速度。亚硫酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从还原性及臭气的观点来看，推荐为％至％，更推荐为％至％。蚀刻液中除了上述的成分以外，也能以不妨碍本发明效果的程度添加其他成分。作为其他成分，例如可举出表面活性剂、成分稳定剂及消...

操作人员的手会与连接构件11接触，海绵层12可以将操作人员手上的水分进行吸收，避免连接构件11的两侧与操作人员的手接触的时候，会因操作人员的手沾湿出现手滑的情况，有效的保证了装置内部构件的连接工作能正常的进行；然后，通过连接构件11将装置主体1内部构件进行连接，连接构件11设置有十四个，连接构件11设置在搅拌仓23的底部，连接构件11与搅拌仓23固定连接，连接构件11能将装置主体1内部的两个构件进行连接并固定，且在将两构件进行连接或拆卸的时候，不需要使用任何工具就能完成安装和拆卸工作，在将两构件的连接管放在连接构件11的两端，再通过连接管与连接构件11内侧两端的螺纹管27进行连接，通过转动连接...

其中输送装置借由至少一呈顺时针方向转动的滚轮带动基板由喷洒装置的下端部朝向风刀装置的***风刀的下端部的方向移动。如上所述的蚀刻方法，其中风刀装置分别借由一设置于该输送装置的上端部的***风刀与一设置于该输送装置的下端部的第二风刀朝向基板的上表面与下表面吹送气体。借此，本实用新型所产生的技术效果：本实用新型的挡液板结构与以之制备的蚀刻设备主要借由具有复数个宣泄孔的挡液板结构搭配风刀装置的硬体设计，有效使风刀装置吹出的气体得以经由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面张力现象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蚀刻不均等异常现象，确实达到保有原始挡液板的挡液效果，以及增加透气性以破除真空以减少因真空吸板导致的基板...

技术实现要素：本实用新型所解决的技术问题即在于提供一种挡液板结构与以之制备的蚀刻设备，尤其是指一种适用于湿式蚀刻机的挡液排液功能且增加其透气性以降低产品损耗的挡液板结构与以之制备的蚀刻设备，主要借由具有复数个宣泄孔的挡液板结构搭配风刀装置的硬体设计，有效使风刀装置吹出的气体得以经由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面张力现象防止水滴由宣泄孔落下造成基板显影不均等异常现象，确实达到保有原始挡液板的挡液效果，以及增加透气性以破除真空以减少因真空吸板导致的基板刮伤或破片风险等主要优势。本实用新型所采用的技术手段如下所述。为了达到上述的实施目的，本实用新型提出一种挡液板结构，适用于一湿式蚀刻机，挡液板结构包括...

如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔的孔径小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔为千鸟排列或矩阵排列等其中的一种排列方式。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔为直通孔或斜锥孔等其中的一种态样或两者的混合。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二挡板具有一下表面，当宣泄孔为斜锥孔态样时，***壁面与下表面的***夹角不同于第二壁面与下表面的第二夹角。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔为斜锥孔态样时，宣泄孔的上孔径与下孔径不相等。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔为斜锥孔态样时，宣泄孔的上孔径小于下孔径。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔...

因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中，对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而，为了选择构成成分的种类和浓度，不得不需要测试蚀刻液组合物的蚀刻性能，实际情况是，与上述同样，仍然没有解决在找寻蚀刻液组合物的适宜组成方面过度耗费时间和费用的问题。现有技术文献**文献**文献1：美国公开**第2号技术实现要素：所要解决的课题本发明是为了改善上述以往技术问题的发明，其目的在于，提供用于选择硅烷系偶联剂的参数以及包含由此获得的硅烷系偶联剂的蚀刻液组合物，所述硅烷系偶联剂作为添加剂即使不进行另外的实验确认也...

如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔的孔径小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔为千鸟排列或矩阵排列等其中的一种排列方式。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔为直通孔或斜锥孔等其中的一种态样或两者的混合。如上所述的挡液板结构，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二挡板具有一下表面，当宣泄孔为斜锥孔态样时，***壁面与下表面的***夹角不同于第二壁面与下表面的第二夹角。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔为斜锥孔态样时，宣泄孔的上孔径与下孔径不相等。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔为斜锥孔态样时，宣泄孔的上孔径小于下孔径。如上所述的挡液板结构，其中当宣泄孔...

影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素：1、Cu2+离子浓度的影响：Cu2+是氧化剂，所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明：在0~82g/L时，蚀刻时间长；在82~120g/L时，蚀刻速率较低，且溶液控制困难；在135~165g/L时，蚀刻速率高且溶液稳定；在165~225g/L时，溶液不稳定，趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响：通过蚀刻再生的化学反应可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蚀刻速率就会降低，以致失去蚀刻能力。所以，氯化铵的含量对蚀刻速率...

避免连接构件11的两侧与操作人员的手接触的时候，会因操作人员的手沾湿出现手滑的情况，有效的保证了装置内部构件的连接工作能正常的进行。推荐的，支撑腿2的底端嵌入连接有防滑纹6，在制备蚀刻液的时候，需要将装置固定的特定的位置，通过支撑腿2将装置主体1进行支撑固定，在支撑腿2与固定位置的接触面接触时，防滑纹6能增大支撑腿2的底端与固定接触面的摩擦力，使装置主体1能有足够的抓地力固定在固定位置上，有效的提高了装置固定的防滑性。推荐的，过滤部件9的内部两侧嵌入连接有过滤板26，常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蚀刻液杂质含量多，过滤板26能将蚀刻液内部的杂质进行过...

近年来，oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银，但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：6.一种银蚀刻液组合物，其成分由质量占比为40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有机酸、％硝酸盐、％含氮元素有机物、其余为水组成。...

本实用涉及蚀刻设备技术领域，具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术：蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应，使得装置外壳稳定较高，工作人员直接接触有烫伤风险，热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应，溅出容易伤害工作人员，保护性不足，盐酸硝酸具有较强的腐蚀性，常规的搅拌装置容...

蚀刻液也可含有α-羟基羧酸和/或其盐。α-羟基羧酸及其盐具有作为钛的络合剂的效果，可抑制蚀刻液中产生钛的沉淀。作为所述α-羟基羧酸，例如可举出酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羟基羧酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从络合效果及溶解性的观点来看，推荐为％至5重量％，更推荐为％至2重量％。另外，蚀刻液也可含有亚硫酸及/或其盐。亚硫酸及其盐具有作为还原剂的效果，可提高钛的蚀刻速度。亚硫酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从还原性及臭气的观点来看，推荐为％至％，更推荐为％至％。蚀刻液中除了上述的成分以外，也能以不妨碍本发明效果的程度添加其他成分。作为其他成分，例如可举出表面活性剂、成分稳定剂及消...

蚀刻液也可含有α-羟基羧酸和/或其盐。α-羟基羧酸及其盐具有作为钛的络合剂的效果，可抑制蚀刻液中产生钛的沉淀。作为所述α-羟基羧酸，例如可举出酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羟基羧酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从络合效果及溶解性的观点来看，推荐为％至5重量％，更推荐为％至2重量％。另外，蚀刻液也可含有亚硫酸及/或其盐。亚硫酸及其盐具有作为还原剂的效果，可提高钛的蚀刻速度。亚硫酸和/或其盐的浓度并无特别限制，从还原性及臭气的观点来看，推荐为％至％，更推荐为％至％。蚀刻液中除了上述的成分以外，也能以不妨碍本发明效果的程度添加其他成分。作为其他成分，例如可举出表面活性剂、成分稳定剂及消...

注入量精确调配装置通过嵌入引流口2接入盐酸装罐7进行原料注入，工作人员通过负压引流器21将盐酸硝酸引向注入量控制容器18内，通过观察注入量控制容器18内的注入量观察刻度线19对注入量进行精确控制，当到达设定的注入量时将限流销20插入进行限流即可，很好的对注入量进行精确控制，提高了该装置的制备纯度。工作原理：首先，通过设置热水流入漏斗9，工作人员可沿着热水流入漏斗9将热水缓缓倒入盐酸内，从而很好的减小了发生反应的剧烈程度，很好的起到了保护作用。然后，通过设置加固支架10，加固支架10为连接在两侧底座支柱的三角结构，利用三角结构稳定原理对装置底座5起到了很好的加固效果。接着，通过设置防烫隔膜11，...

ITO显影剂也称为造影剂或对比剂，是一种X光无法穿透的药剂，用于让体内组织在X光检查时能看得更清楚。例如消化道摄影时，医师会让患者喝下一杯显影剂溶液（大多含钡），然后用各种角度照相，就能让胃肠道看得很清楚。如果显影只是在光强较大的地方产生游离银，而对底片不做进一步处理，则把它一拿出暗室，未显影的卤化银就会立刻曝光。此后，几乎任何还原剂都将使底片完全形成灰雾。为了克服这个问题，必须找到一种适当的物质以除去未还原的卤化银。黑白照相中较常用的定影液是硫代硫酸钠溶液。其中的硫代硫酸根离子（S2O32-）与银离子形成可溶于水的稳定配合物，因而达到“固定”底片的目的。ITO显影液的市场需求会随着电子行业的...

使硝酸钾储罐21和其它储罐的内部形成一个密闭的空间，避免环境外部的杂质进入储罐内，有效的提高了装置使用的密封性；紧接着，将磷酸与醋酸在个搅拌仓23中充分搅拌混合均匀，然后在第二个搅拌仓23中与硝酸充分搅拌混合均匀后，再进入配料罐中混合，将阴离子表面活性剂和聚氧乙烯型非离子表面活性剂在第三个搅拌仓23混合后再进入第四个搅拌仓23中，与氯化钾、硝酸钾、去离子水一起在第四个搅拌仓23中混合均匀，然后过滤后封装，先检查过滤板26进行更换或安装，过滤部件9的内部两侧嵌入连接有过滤板26，常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蚀刻液杂质含量多，过滤板26能将蚀刻液内部的...

近年来，oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银，但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：6.一种银蚀刻液组合物，其成分由质量占比为40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有机酸、％硝酸盐、％含氮元素有机物、其余为水组成。...

12、伸缩杆；13、圆环块；14、连接杆；15、回流管；16、增压泵；17、一号排液管；18、一号电磁阀；19、抽气泵；20、排气管；21、集气箱；22、二号排液管；23、二号电磁阀；24、倾斜板；25、活动板；26、蓄水箱；27、进水管；28、抽水管；29、三号电磁阀；30、控制面板。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：一种...

所述液体入口1处设有减压阀12，所述蒸汽出口5处设有真空泵13、除雾组件3及除沫组件4，所述除雾组件3用于过滤分离器中闪蒸的蒸汽中的含铜液体，所述除沫组件4用于将经除雾组件3除雾的气体进行除沫。含铜蚀刻液在加热器11中进行加热，达到闪蒸要求的温度，输送至分离器，通过减压阀12减压，真空泵13对分离器内抽气，使分离器内处于低压状态，含铜蚀刻液在分离器内发生闪蒸，闪蒸产生大量蒸汽，蒸汽中携带着大小不等的液滴，大液滴中含有铜，通过除雾组件3和除沫组件4对蒸汽进行分离过滤，也可以防止大液滴从蒸汽出口5飞出，减少产品损失。在一个实施例中，如图1所示，所述除雾组件3为设有多个平行且曲折的通道的折流板。液体...

本实用新型涉及资源回收再利用领域，特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术：线路板生产工业中，会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用，在回收过程中，废液在加热器中通过蒸汽进行换热，换热完的废液在高温状态下进入分离器，会在分离器中发生闪蒸，闪蒸产生的二次蒸汽中，携带有大小不等的液滴，现有技术因缺乏有效的分离气液的手段，含有铜的液体随着蒸汽被排走，导致了产品发生损失。技术实现要素：基于此，有必要针对现有技术气液分离率低的问题，提供一种含铜蚀刻液气液分离装置。一种含铜蚀刻液气液分离装置，包括分离器及加热器，所述分离器设有液体入口、蒸汽出口及滤液出口，所述液体入口用于将加热器产生的液体输...

伸缩杆12下端固定安装有圆环块13，圆环块13与喷头10之间固定连接有连接杆14，分隔板2与承载板3相互垂直设置，电解池4内部底端的倾斜角度设计为5°，进液管8的形状设计为l型，且进液管8贯穿分隔板2设置在进液漏斗6与伸缩管9之间，圆环块13通过伸缩杆12活动安装在喷头10上方，且喷头10通过伸缩管9活动安装在电解池4上方，通过设置有伸缩管9与伸缩杆12，能够在蚀刻液通过进液管8流入到电解池4中时，启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动，从而通过圆环块13配合伸缩管9带动喷头10向上移动，进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中，避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命，具有保护电解池4...

因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中，对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而，为了选择构成成分的种类和浓度，不得不需要测试蚀刻液组合物的蚀刻性能，实际情况是，与上述同样，仍然没有解决在找寻蚀刻液组合物的适宜组成方面过度耗费时间和费用的问题。现有技术文献**文献**文献1：美国公开**第2号技术实现要素：所要解决的课题本发明是为了改善上述以往技术问题的发明，其目的在于，提供用于选择硅烷系偶联剂的参数以及包含由此获得的硅烷系偶联剂的蚀刻液组合物，所述硅烷系偶联剂作为添加剂即使不进行另外的实验确认也...

装置主体1的顶部另一端固定连接有硝酸钾储罐21，装置主体1的内部中间部位固定连接有连接构件11，装置主体1的内部底部中间部位固定连接有常闭式密封电磁阀10，连接构件11的内侧固定连接有过滤部件9，装置主体1的内部底端另一侧固定连接有收集仓8，收集仓8的另一侧底部固定连接有密封阀门7，过滤部件9的顶端两侧活动连接有滑动盖24，过滤部件9的内部中间两侧固定连接有收缩弹簧管25，连接构件11的内侧两端嵌入连接有螺纹管27，连接构件11的内部中间两侧活动连接有活动轴28，连接构件11的内侧中间两侧嵌入连接有密封软胶层29。推荐的，硝酸钾储罐21的顶部嵌入连接有密封环22，在将制备蚀刻液储罐加入制备材料...

通过滑动盖24上的凸块在过滤部件9内部顶端内壁的滑槽进行滑动，将过滤板26插入过滤部件9内部两侧的固定槽内，收缩弹簧管25设置有四处，分别设置在两滑动盖24的内侧前面和后面，再通过收缩弹簧管25的弹力将滑动盖24向内活动，使过滤部件9内部空间进行密封，有效的提高了装置连接安装的便利性。推荐的，连接构件11设置有十四个，连接构件11设置在搅拌仓23的底部，连接构件11与搅拌仓23固定连接，连接构件11能将装置主体1内部的两个构件进行连接并固定，且在将两构件进行连接或拆卸的时候，不需要使用任何工具就能完成安装和拆卸工作，在将两构件的连接管放在连接构件11的两端，再通过连接管与连接构件11内侧两端的...

从蚀刻速度及安全性的观点来看，推荐为40℃至70℃，更推荐为45℃至55℃。处理时间视对象物的表面状态及形状等而变化，通常为30秒至120秒左右。实施例然后，对本发明的实施例与比较例一起进行说明。此外，本发明并非限定于下述实施例而解释。制备表1及表2所示的组成的各蚀刻液，在下述条件下进行蚀刻试验及蚀刻液的稳定性试验。此外，表1及表2所示的组成的各蚀刻液中，剩余部分为离子交换水。另外，表1及表2所示的盐酸的浓度为以氯化氢计的浓度。(蚀刻试验)通过溅镀法在树脂上形成50nm的钛膜，然后成膜200nm的铜膜，进而通过电镀铜在该铜膜上形成图案，将所得的基板用作试样。使用铜的蚀刻液，将试样的溅镀铜膜溶解...

因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中，对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而，为了选择构成成分的种类和浓度，不得不需要测试蚀刻液组合物的蚀刻性能，实际情况是，与上述同样，仍然没有解决在找寻蚀刻液组合物的适宜组成方面过度耗费时间和费用的问题。现有技术文献**文献**文献1：美国公开**第2号技术实现要素：所要解决的课题本发明是为了改善上述以往技术问题的发明，其目的在于，提供用于选择硅烷系偶联剂的参数以及包含由此获得的硅烷系偶联剂的蚀刻液组合物，所述硅烷系偶联剂作为添加剂即使不进行另外的实验确认也...

对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例一，请参阅图1-4，本实用新型提供技术方案：高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，包括装置主体1、支撑腿2、电源线3和单片机4，装置主体1的底端固定连接有支撑腿2，装置主体1的后面一侧底部固定连接有电源线3，装置主体1的一侧中间部位固定连接有控制器5，装置主体1的内部底端一侧固定连接有单片机4，装置主体1的顶部一端固定连接有去离子水储罐14，装置主体1...

本发明涉及回收处理技术领域，具体为一种废铜蚀刻液的回收处理装置。背景技术：废铜蚀刻液含有可回收的金属，所以需要进行回收处理，目前通用的做法是，使用化学方法回收废液内的铜，或提炼成硫酸铜产品，工艺落后，铜回收不彻底，处理的经济效益不明显，有二次污染污染物排放，一旦处理不当往外排放，势必对水体生态系统造成大的冲击。市场上的废铜蚀刻液的回收处理装置只能简单的对蚀刻液进行回收处理，不能对蚀刻液进行循环电解，使得剩余蚀刻液中的铜离子转化不充分，而且蚀刻液导入到电解池中会对电解池造成冲击，进而影响电解池的使用寿命，并且在回收处理中会产生有害气体而影响空气环境，也不能在回收结束后对装置内部进行清理，为此，我...

装置主体1的顶部另一端固定连接有硝酸钾储罐21，装置主体1的内部中间部位固定连接有连接构件11，装置主体1的内部底部中间部位固定连接有常闭式密封电磁阀10，连接构件11的内侧固定连接有过滤部件9，装置主体1的内部底端另一侧固定连接有收集仓8，收集仓8的另一侧底部固定连接有密封阀门7，过滤部件9的顶端两侧活动连接有滑动盖24，过滤部件9的内部中间两侧固定连接有收缩弹簧管25，连接构件11的内侧两端嵌入连接有螺纹管27，连接构件11的内部中间两侧活动连接有活动轴28，连接构件11的内侧中间两侧嵌入连接有密封软胶层29。推荐的，硝酸钾储罐21的顶部嵌入连接有密封环22，在将制备蚀刻液储罐加入制备材料...

为本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔排列示意图，以及其三较佳实施例的宣泄孔排列示意图，在本实用新型其二较佳实施例中，开设于该第二挡板12上的宣泄孔121亦呈千鸟排列的直通孔态样，且位于同一列的宣泄孔121之间具有相同的距离，例如：图4中所示的w1，其中w1大于图3的w或图5的w2，其中w2大于w，而该宣泄孔121的一孔径a0亦小于3mm，以使该宣泄孔121的孔洞内产生毛细现象，若该第二挡板12的该上表面123有水滴出现时，则该水滴不至于经由该宣泄孔121落至下表面，但仍旧可以提供空气宣泄的管道，以借由该宣泄孔121平衡该第二挡板12上、下二端部的压力。此外，请参阅图6与图7所示，为本实...