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肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层。由于电子迁移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs为材料,以获得良好的频率特...
它们通常采用具有快速恢复特性的半导体材料,如硅碳化物、硅和镓砷化物等。在高频开关电路中,恢复二极管能够快速地切换开关状态,减少功率损耗和热量产生。由于快速恢复时间,恢复二极管能够更...