影响ITO酸性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:Cl-含量的影响。溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系,当盐酸浓度升高时,蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3,并且能够提高溶铜量。但是,盐酸浓度不可超过6N,高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀,并且随着酸浓度的增加,氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时,生成的Cu2Cl2不易溶于水,则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜,这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-,从铜表面上溶解下来,从而提高了蚀刻速率。ITO显影剂也称为造影剂或对比剂。苏州显示屏蚀刻药剂供应企业
ITO酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是:酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性;同时,它的溶铜量大;酸性蚀刻液也较容易再生与回收,从而减少污染。有研究表明,酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直,其蚀刻效果非常好。结合以上特性,酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。金属发黑哪家性价比高ITO显影液的浓度多以显影液的稀释比来表示。
铜网格黑化药液按质量百分含量包括如下组分:亚硒酸0.05~5%,过硫酸盐0~10%,稳定剂0.01~1%,阻止剂0.01~1%,其余为水。金属网格的黑化方法使用该黑化药液对金属网格进行浸泡。铜网格黑化药液缓解了目前涂布黑化层的物理黑化方式繁琐、消影效果一般,容易影响金属导电性能的缺陷。铜网格黑化药液通过亚硒酸、稳定剂和阻止剂的相互配合不但能够起到很好的黑化效果,明显降低金属的反射率和亮度,目视不明显,达到消影效果,而且黑化后线路完整、不影响其导电性能。
TIO蚀刻液的基本信息:(1)配方。①热水12g,氟化铵15g,草酸8g,硫酸铵10g,甘油40g,硫酸钡15g;②氟化铵15g,草酸7g,硫酸铵8g,硫酸钠14g,甘油35g,水10g;③氢氟酸60(体积数,下同),硫酸10,水30。(2)配制方法。配制蚀刻液①和②时,将上述原料与60℃热水混合,搅拌均匀即可。配置时不要使溶液溅到皮肤上,而且操作时应戴上口罩。配制蚀刻液③时,按配方将氢氟酸和硫酸混合,然后将混合液倒入水中(不能将水倒入混合液),并不断搅拌。(3)使用方法。使用刻蚀液①或②时,把要蚀刻的玻璃洗净、晾干,建议用电炉或红外线灯将玻璃稍微加热,以便于蚀刻。蚀刻时,用毛笔蘸蚀刻液书写文字或图案于玻璃上,2min蚀刻工作即完成。制作毛玻璃时,将玻璃洗净、晾干,用刷子均匀涂上腐蚀液即可。ITO显影液浓度越大,显影速度越快。
TIO蚀刻液的原料:①氟化铵:分子式为NH4F,白色晶体,易潮解,易溶于水和甲醇,较难溶于乙醇,能升华,在蚀刻液中起腐蚀作用,一般选用工业产品。②草酸:在蚀刻液中作还原剂使用,一般选用工业产品。③硫酸钠:在蚀刻液中作为填充剂使用,一般选用工业产品。④氢氟酸:即氟化氢的水溶液,为无色液体,能在空气中发烟,有强烈腐蚀性和毒性,能侵蚀玻璃,需贮存于铅制、蜡制或塑料容器中,可作为蚀刻玻璃的主要原料,一般选用工业品。⑤硫酸:纯品为无色油状液体,含杂质时呈黄、棕等色。用水稀释时,应将浓硫酸慢慢注入水中,并随时搅和,而不能将水倒入浓硫酸中,以防浓硫酸飞溅而引发事故,可作为腐蚀助剂,一般选用工业品。⑥硫酸铵:一般选用工业品。⑦甘油:一般选用工业品。⑧水:自来水。ITO显影液在电子行业的一般要求是超净和高纯。ITO化学药水销售
ITO显影液是一种重要的湿电子化学品。苏州显示屏蚀刻药剂供应企业
ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。在厚度只有几千埃的情况下,氧化铟透过率高,氧化锡导电能力强,液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性,所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质,俗称“霉变”,因此在存放时要防潮。ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应,形成其它导电和透过率不佳的反应物质,所以在加工过程中,尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。ITO层由很多细小的晶粒组成,晶粒在加温过程中会裂变变小,从而增加更多晶界,电子突破晶界时会损耗一定的能量,所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高,电阻也增大。苏州显示屏蚀刻药剂供应企业
苏州圣天迈电子科技有限公司在铜剥挂加速剂,蚀刻添加剂 ,剥镍钝化剂,印制电路板蚀刻液在线循环一直在同行业中处于较强地位,无论是产品还是服务,其高水平的能力始终贯穿于其中。公司成立于2014-03-20,旗下圣天迈,已经具有一定的业内水平。圣天迈电子致力于构建化工自主创新的竞争力,将凭借高精尖的系列产品与解决方案,加速推进全国化工产品竞争力的发展。