根据不同的化学性质和用途，IC封装药水有很多种类。有机封装药水：以有机酸、醇、酮等有机物为主要成分，具有较好的溶解性和粘附性，可用于粘合芯片与基板等。高分子封装药水：以聚合物和树脂为主要成分，具有优良的电绝缘性和耐热性，常用于保护电路和导线等。无机封装药水：以无机物为主要成分，具有优异的耐压性和绝缘性，常用于封装芯片和保护敏感元件等。混合... 【查看详情】

IC封装药液是将一定分量的各组分盐酸（30~80g）、六亚甲基四胺（1~10g）、十二烷基苯磺酸钠（1~10g）、十二烷基硫酸钠（0~2g）、尿素、（三乙醇胺）、氯化钠、6501、TX-10少量，再配加由十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、柠檬酸、盐酸配制的活化剂，混合均匀即可。对锈层和杂质层发生溶解、剥落作用。该IC除锈剂中的多种原料吸附... 【查看详情】

IC除锈剂不伤害皮肤，长期接触时，应采取适当的劳动保护措施(眼镜、橡胶手套、劳动防护服、胶鞋)，确保操作员的安全。IC除锈剂不能接触眼睛，如果意外接触液体，必须立即用水冲洗或接受疗养。请不要误食IC除锈剂。IC除锈剂的使用方法：根据被除锈的材质不同，除锈时的要求不同，IC除锈剂的使用方法也不同，必须按照正确的使用要求，才能达到好的除锈效果... 【查看详情】

IC封装药液是将一定分量的各组分盐酸（30~80g）、六亚甲基四胺（1~10g）、十二烷基苯磺酸钠（1~10g）、十二烷基硫酸钠（0~2g）、尿素、（三乙醇胺）、氯化钠、6501、TX-10少量，再配加由十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、柠檬酸、盐酸配制的活化剂，混合均匀即可。对锈层和杂质层发生溶解、剥落作用。该IC除锈剂中的多种原料吸附... 【查看详情】

兼容性：不同的IC芯片和封装类型需要不同的封装药水。因此，要确保选择的药水与芯片和封装类型兼容，以避免对芯片或封装造成损害。效率：封装药水的使用应以提高封装的效率为目标。例如，适当的药水可以减少焊接时间，提高焊接质量，从而提升封装的效率。成本：虽然质量是首要考虑因素，但成本也是不可忽视的。药水可能意味着更高的成本，但这也需要与封装的整体成... 【查看详情】

IC封装药液清洗晶圆是以整个批次或单一晶圆，藉由化学品的浸泡或喷洒来去除脏污，并用超纯水来洗涤杂质，主要是去除晶片表面所有的污染物，如微尘粒(PartICle)、有机物(OrganIC)、无机物、金属离子等杂质。在超大型集成电路(ULSI)制程中，晶圆清洗技术及洁净度，是影响晶圆制程良率、品质及可靠度重要的因素之一。据统计，在标准的IC制... 【查看详情】

请不要误食IC除锈剂，存放IC除锈剂时，在室温下存放，避免太阳曝晒，避免儿童接触。被除锈的材质不同，除锈时的要求不同，IC除锈剂的使用方法也不同，必须按照正确的使用要求，才能达到较佳的除锈效果，下面带大家了解使用IC除锈剂怎样手动除锈?将水和IC除锈剂按照2比1的比例进行调和，将IC除锈剂进行稀释；用稀释后的IC除锈剂对生有锈迹的表面进行... 【查看详情】

ITO蚀刻废液的处理法：目前通行的做法是，在各印制板厂内储存起来，放在密封的池子或储罐内等待外单位拉走处理。外单位一般是经当地环保部门审批过有资质的回收公司，他们把废液拉回去后，使用化学方法（中和法、电解法、置换法）回收废液内的铜，或提炼成硫酸铜产品。这些方法，工艺落后，铜回收不彻底，处理的经济效益不明显，有二次污染污染物排放。特别是碱性... 【查看详情】

铜网格黑化药液按质量百分含量包括如下组分：亚硒酸0.05～5％，过硫酸盐0～10％，稳定剂0.01～1％，阻止剂0.01～1％，其余为水。金属网格的黑化方法使用该黑化药液对金属网格进行浸泡。铜网格黑化药液缓解了目前涂布黑化层的物理黑化方式繁琐、消影效果一般，容易影响金属导电性能的缺陷。铜网格黑化药液通过亚硒酸、稳定剂和阻止剂的相互配合不但... 【查看详情】

TIO蚀刻液的基本信息：（1）配方。①热水12g，氟化铵15g，草酸8g，硫酸铵10g，甘油40g，硫酸钡15g；②氟化铵15g，草酸7g，硫酸铵8g，硫酸钠14g，甘油35g，水10g；③氢氟酸60（体积数，下同），硫酸10，水30。（2）配制方法。配制蚀刻液①和②时，将上述原料与60℃热水混合，搅拌均匀即可。配置时不要使溶液溅到皮肤上... 【查看详情】

ITO显影液是一种化学用品的成分，主要是用硫酸、硝酸及苯、甲醇、卤化银等硼酸、对苯二酚配合组成的一种特殊的用材。像对苯二酚对皮肤、粘膜有强烈的腐蚀作用，吸入、食入、经皮吸收均会影响。常用的黑白显影剂是硫酸对甲氨基苯酚（米吐尔）、对苯二酚（几奴尼）等。常用的彩色显影剂有CD-2、CD-3、CD-4等。在使用中，显影剂与保护剂、促进剂、阻止剂... 【查看详情】

温度对ITO酸性氯化铜蚀刻液速率的影响：随着温度的升高，蚀刻速率加快，但是温度也不宜过高，一般控制在45~55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发，造成溶液组分比例失调。另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。温度对ITO碱性氯化铜蚀刻液速率的影响：蚀刻速率与温度有很大关系，蚀刻速率随着温度的升高而加快。蚀刻液温度低于40℃，蚀... 【查看详情】