ITO药水基本参数
  • 品牌
  • 圣天迈
  • 纯度级别
  • 化学纯CP
  • 产品性状
  • 液态
ITO药水企业商机

TIO蚀刻液的原料:①氟化铵:分子式为NH4F,白色晶体,易潮解,易溶于水和甲醇,较难溶于乙醇,能升华,在蚀刻液中起腐蚀作用,一般选用工业产品。②草酸:在蚀刻液中作还原剂使用,一般选用工业产品。③硫酸钠:在蚀刻液中作为填充剂使用,一般选用工业产品。④氢氟酸:即氟化氢的水溶液,为无色液体,能在空气中发烟,有强烈腐蚀性和毒性,能侵蚀玻璃,需贮存于铅制、蜡制或塑料容器中,可作为蚀刻玻璃的主要原料,一般选用工业品。⑤硫酸:纯品为无色油状液体,含杂质时呈黄、棕等色。用水稀释时,应将浓硫酸慢慢注入水中,并随时搅和,而不能将水倒入浓硫酸中,以防浓硫酸飞溅而引发事故,可作为腐蚀助剂,一般选用工业品。⑥硫酸铵:一般选用工业品。⑦甘油:一般选用工业品。⑧水:自来水。ITO黑白显影剂是硫酸对甲氨基苯酚、对苯二酚等。网格黑化规格

影响ITO酸性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:Cl-含量的影响。溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系,当盐酸浓度升高时,蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3,并且能够提高溶铜量。但是,盐酸浓度不可超过6N,高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀,并且随着酸浓度的增加,氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时,生成的Cu2Cl2不易溶于水,则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜,这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-,从铜表面上溶解下来,从而提高了蚀刻速率。网格黑化规格ITO显影液是一种化学用品的成分。

ITO显影剂的两液显液:两液显影主要作用是用于加强阴影部分的影纹,减低高影调部分的密度。曝光时,阴影部分须比正常提高一个区。如果胶片容易发灰,在溶液B中加入少量的10%溴化钾溶液。底片上的高密度部分的厚度,主要依靠A溶液显影时间的控制,底片进入溶液B以后,高密度部分的显影作用已经停止了,但低密度的部分仍然继续进行,溶液B可以调制的比较强,但是B溶液越强,颗粒就会越粗,所以这种冲洗法需要事前进行比较大量的试验。

ITO显影液的浓度是指显影剂的相对含量,即NaOH、Na2SiO3总含量。市场上销售的显影液多是浓缩型液体,使用时需要按比例稀释,显影液的浓度多以显影液的稀释比来表示。在其他条件不变的前提下,显影速度与显影液浓度成正比关系,即显影液浓度越大,显影速度越快。当温度22℃,显影时间为60秒时,PD型显影液浓度对PS版性能的影响。当显影液浓度过大时,往往因显影速度过快而使显影操作不易控制;特别是它对图文基础的腐蚀性增强,容易造成网点缩小、残损、亮调小网点丢失及减薄涂层,从而造成耐印力下降等弊病;同时空白部位的氧化膜和封孔层也会受到腐蚀和破坏,版面出现发白现象,使印版的亲水性和耐磨性变差。显影液浓度大,还易有结晶析出。当显影液的浓度偏低时,碱性弱,显影速度慢,易出现显影不净、版面起脏、暗调小白点糊死等现象。ITO显影液在工业上来说,是针对半导体晶片而言。

影响ITO蚀刻液侧蚀的因素很多,下面概述几点:1)蚀刻方式:浸泡和鼓泡式蚀刻会造成较大的侧蚀,泼溅和喷淋式蚀刻侧蚀较小,尤以喷淋蚀刻效果较好。2)蚀刻液的种类:不同的蚀刻液化学组分不同,其蚀刻速率就不同,蚀刻系数也不同。例如:酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。ITO酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3。网格黑化规格

ITO酸性蚀刻液较容易再生与回收,从而减少污染。网格黑化规格

ITO蚀刻液影响蚀刻速率的因素:氯化铁蚀刻液。1、Fe3+浓度的影响:Fe3+的浓度对蚀刻速率有很大的影响。蚀刻液中Fe3+浓度逐渐增加,对铜的蚀刻速率相应加快。当所含超过某一浓度时,由于溶液粘度增加,蚀刻速率反而有所降低。2、蚀刻液温度的影响:蚀刻液温度越高,蚀刻速率越快,温度的选择应以不损坏抗蚀层为原则,一般在40~50℃为宜。3、盐酸添加量的影响:在蚀刻液中加入盐酸,可以阻止FeCl3水解,并可提高蚀刻速率,尤其是当溶铜量达到37.4g/L后,盐酸的作用更明显。但是盐酸的添加量要适当,酸度太高,会导致液态光致抗蚀剂涂层的破坏。4、蚀刻液的搅拌:静止蚀刻的效率和质量都是很差的,原因是在蚀刻过程中在板面和溶液里会有沉淀生成,而使溶液呈暗绿色,这些沉淀会影响进一步的蚀刻。网格黑化规格

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