1980年，Sigworth、Hamill、Neher等在记录电极内施加负压吸引，得到了10~100GΩ的高阻封接（gigaseal），降低记录噪声，实现了单根电极既钳制膜电位又记录单通道电流。获1991年Nobel奖。1955年，Hodgkin和Keens应用电压钳（Voltageclap）在研究神经轴突膜对钾离子通透性时发现放射性钾跨轴突膜的运动很像是通过许多狭窄空洞的运动，并提出了"通道"的概念。1963年，描述电压门控动力学的Hodgkin-Hx上模型（简称H-H模型）荣获谱贝尔医学/生理学奖。1976年，Neher和Sakmann建立膜片钳（Patchclamp）按术。1983年10月，《Single-ChannelRecording》一书问世，奠定了膜片钳技术的里程碑。1991年，Neher和Sakmann的膜片铺技术荣获诺贝尔医学/生理学奖。细胞膜由脂类双分子层和和蛋白质构成。单电极膜片钳单细胞
电压钳技术是由科尔发明的，并在20世纪初由霍奇金和赫胥黎完善。其设计的主要目的是证明动作电位的产生机制，即动作电位的峰值电位是由于膜对钠的通透性瞬间增加。但当时还没有直接测量膜通透性的方法，所以用膜电导来测量离子通透性。膜电导测量的基础是电学中的欧姆定律，如膜Na电导GNa与电化学驱动力(Em-ENa)的关系，膜电流INaGNa=INa/(Em-ENa)。因此，可以通过测量膜电流，然后利用欧姆定律来计算膜电导。然而，膜电导可以通过使用膜电流来计算。这个条件是通过电压钳技术实现的。下一张幻灯片中右边的两张图显示了squid的动作电位和动作电位过程中膜电流的变化，这是霍奇金和赫胥黎在半个世纪前用电压钳记录的。他们的实验证明了参与动作电位的离子电流由三种成分组成:Na、K、Cl。对这些离子流进行了定量分析。这项技术为阐明动作电位的本质和离子通道的研究做出了巨大贡献。德国可升级膜片钳产品介绍不同的全自动膜片钳技术所采用的原理也不完全相同。
膜片钳技术（patch clamp techniques）是采用钳制电压或电流的方法对生物膜上离子通道的电活动进行记录的微电极技术。1989年，Blanton将脑片电生理记录与细胞的膜片钳记录结合起来，建立了脑片膜片钳记录技术（patch clamp on invitro brains lices），这为在细胞水平研究反射中枢系统离子通道或受体在神经环路中的生理和药理学作用及其机制提供了可能性。离体的脑组织能够在一定的温度、酸度和渗透压、通氧状态等条件下存活并保持良好的生理状态。与急性分离的或培养的神经元相比，离体脑片中的神经元更接近生理状态：基本保持了在体情况下的细胞形态，神经细胞之间及神经细胞与非神经细胞之间的很多固有联系，以及较为正常完整的突触回路、受体分布、递质释放及其信息传递等功能。
1976年德国马普生物物理化学研究所Neher和Sakmann在青蛙肌细胞上用双电极钳制膜电位的同时，记录到ACh启动的单通道离子电流，从而产生了膜片钳技术。1980年Sigworth等在记录电极内施加5-50cmH2O的负压吸引，得到10-100GΩ的高阻封接（Giga-seal），明显降低了记录时的噪声实现了单根电极既钳制膜片电位又记录单通道电流的突破。1981年Hamill和Neher等对该技术进行了改进，引进了膜片游离技术和全细胞记录技术，从而使该技术更趋完善，具有1pA的电流灵敏度、1μm的空间分辨率和10μs的时间分辨率。1983年10月，《Single-ChannelRecording》一书问世，奠定了膜片钳技术的里程碑。Sakmann和Neher也因其杰出的工作和突出贡献，荣获1991年诺贝尔医学和生理学奖。滔博生物TOP-Bright专注基于多种离子通道靶点的化合物体外筛选,服务于全球药企的膜片钳公司,快速获得实验结果,专业团队,7*48小时随时人工在线咨询.早期的研究多使用双电极电压钳技术作细胞内电活动的记录。
离子通道结构研究∶目前，绝大多数离子通道的一级结构得到了阐明但根本的还是要搞清楚各种离子通道的三维结构，在这方面，美国的二位科学家彼得阿格雷和罗德里克麦金农做出了一些开创性的工作，他们到用X光绕射方法得到了K离子通道的三维结构，二位因此获得2003年诺贝系化学奖。有关离子通道结构不是本PPT的重点，可参考杨宝峰的<离子通道药理学>和Hill的
由于膜片钳检测的是PA级的微电流信号，因此需要特殊的放大器及模数转换器。单电极膜片钳单细胞
把膜电位钳位电压调到-80--100mV，再用钳位放大器的控制键把全细胞瞬态充电电流调定至零位（EPC-10的控制键称为C-slow和C-series;Axopatch200标为全细胞电容和系列电阻）。写下细胞的电容值Cc和未补整的系列电阻值Rs，用于消除全细胞瞬态电流，计算钳位的固定时间（即RsCc），然启根据欧姆定律从测定脉冲电流的振幅算出细胞的电阻RC。缓慢调节Rs旋钮注意测定脉冲反应的变化，逐渐增加补整的比例。如果RS补整非常接近振荡的阈值，RS或Cc的微细变化都会达到震荡的阈值，产生电压的振荡而使细胞受损。因此应当在RS补整水平写不稳定阈值之间留有10%-20%的余地为安全。准备资料收集和脉冲序列的测定。单电极膜片钳单细胞
