无源晶振封装,常见的无源晶振封装有HC-49U(简称49U)、HC-49S(简称49S)、UM系列等,如图8所示。49U、49S、UM系列是现在石英晶振使用较普遍的几个产品,因其成本较低、精度、稳定度等符合民用电子设备,所以受到工厂的青睐。以HC-49S为例进行介绍,49S又称为HC-49US封装。HC-49S属于直插式石英晶振封装,直插2脚,高壳体积为10.5×4.5×3.5MM,矮壳体积10.5×5.0×2.5MM,属国际通用标准,普通参数标准负载电容为20PF(12PF 16PF 30PF等) 精度为±20PPM ±50ppm等,电阻120Ω,参数标准方面跟HC-49U、HC-49SMD无差别。49S相对49U体积较小,不会因体积大造成电路板空间的浪费,进而不会增加电路板的造价成本,已逐步替代49U。晶体管外形封装,TO252和TO263就是表面贴装封装。安徽特种封装服务商
随着电子安装技术的不断进步与发展,电子安装各阶层的界限越来越不清晰,各阶层安装的交叉、互融,此过程中PCB的作用越来越重要,对PCB及其基板材料在功能、性能上都提出了更高、更新的要求。封装基板从PCB中分离单独,20世纪80年代以后,新材料、新设备的普遍应用,集成电路设计与制造技术按照“摩尔定律”飞速发展,微小敏感的半导体元件问世,大规模集成电路与超大规模集成电路设计出现,高密度多层封装基板应运而生,使集成电路封装基板从普通的印制电路板中分离出来,形成了专有的集成电路封装基板制造技术。河北芯片特种封装方案QFP 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好,缺点是散热性能较差。
封装基板可以简单的理解为是具有更高性能或特种功能的PCB,是可为芯片、电子元器件等提供电气连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电气性能及散热性、超高密度或多芯片模块化以及高可靠性的电子基板。封装基板产品有别于传统PCB,从产品层数、板厚、线宽与线距、较小环宽等维度看,封装基板更倾向于精密化与微小化,而且单位尺寸小于150*150mm,是一类更档次高的PCB,其中线宽/线距是产品的主要差异,封装基板的较小线宽/线距范围在10~130um,远远小于普通多层硬板PCB的50~1000um。
DIP (Dual In-Line Package),DIP 封装是一种传统的 MOS 管封装方式,通常用于低频、低功率的场合。它由两个平行的陶瓷或塑料引脚构成,中间由一个绝缘层隔开。DIP 封装的优点是安装简单、可靠性高,缺点是体积较大,不利于集成电路的小型化。应用情况:主要用于低频、低功率的场合,如电子玩具、家电产品等。TO (Transistor Outline),TO 封装是一种塑料封装方式,通常用于高频、低功率的场合。它由一个塑料外壳和多个引脚组成,外形类似于一个透明的方形或圆形盒。TO 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好,缺点是散热性能较差。应用情况:主要用于高频、低功率的场合,如通信设备、计算机内存等。SOT封装是一种塑料封装方式,通常用于低频、低功率的场合。
PGA 封装是一种陶瓷封装方式,通常用于高频、高功率的场合。它由一个陶瓷基板和多个针状引脚组成,外形类似于一个网格状结构。PGA 封装的优点是散热性能好、高频性能好,缺点是体积较大、制造成本高。应用情况:主要用于高频、高功率的场合,如通信设备、计算机显卡等。D-PAK (Dual Power Apak),D-PAK 封装是一种塑料封装方式,通常用于高频、高功率的场合。它由一个塑料外壳和多个引脚组成,外形类似于一个长方形盒。D-PAK 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好,缺点是散热性能较差。应用情况:主要用于高频、高功率的场合,如通信设备、计算机硬盘等。SOP 封装的优点是体积小、重量轻、安装方便,缺点是散热性能较差。河南电子元器件特种封装价格
大模块金属封装的逐步普及和应用,为工业自动化和能源节约提供了可靠的技术支持。安徽特种封装服务商
功率半导体模块封装是其加工过程中一个非常关键的环节,它关系到功率半导体器件是否能形成更高的功率密度,能否适用于更高的温度、拥有更高的可用性、可靠性,更好地适应恶劣环境。功率半导体器件的封装技术特点为:设计紧凑可靠、输出功率大。其中的关键是使硅片与散热器之间的热阻达到较小,同样使模块输人输出接线端子之间的接触阻抗较低。集成电路,缩写为IC;顾名思义,某些常用的电子组件(例如电阻器,电容器,晶体管等)以及这些组件之间的连接通过半导体技术电路与特定功能集成在一起。集成电路的各种封装形式有什么特点?如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话,那就继续往下阅读吧。安徽特种封装服务商
类载板,类载板(SubstrateLike-PCB,简称SLP):顾名思义是类似载板规格的PCB,它本是HDI板,但其规格已接近IC封装用载板的等级了。类载板仍是PCB硬板的一种,只是在制程上更接近半导体规格,目前类载板要求的线宽/线距为≤30μm/30μm,无法采用减成法生产,需要使用MSAP(半加成法)制程技术,其将取代之前的HDIPCB技术。即将封装基板和载板功能集于一身的基板材料。但制造工艺、原材料和设计方案(一片还是多片)都还没有定论。类载板的催产者是苹果新款手机,在2017年的iPhone8中,首度采用以接近IC制程生产的类似载板的HDI板,可让手机尺寸更轻薄短小。类载板的基材也与...