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无引线缝合（Wireless Bonding）：1、定义，不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类；3、TAB，① 工艺流程，使用热棒工具，将划片后的芯片Al焊盘（通过电镀工艺形成Au凸点）与TAB引脚（在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成）进行热黏合，使其键合到一起。② 特色，TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上，以卷轴的形式存放。4、FCB，FCB工艺流程：① 在芯片电极上形成金球凸点；② 将芯片翻转朝下，与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐，然后加热连接；③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙（底部填充）；④ 在芯片背面贴上散热片，在封装基板外部引脚挂上锡球。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。浙江WLCSP封装行价

什么是系统级SIP封装？系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，系统级封装（SiP）技术可以帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗。具体来说处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等不同功能的器件，被封装在同一基板上，完成键合和加盖。系统级封装完成后提供的模块，从外观上看仍然类似一颗芯片，却实现了多颗芯片联合的功能。因此可以大幅降低PCB使用面积和对外围器件的依赖，也为设备提供更高的性能与更低的能耗。南通WLCSP封装型式SiP是理想的解决方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势，降低成本，缩短上市时间。

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。

不同类别芯片进行3D集成时，通常会把两个不同芯片竖直叠放起来，通过TSV进行电气连接，与下面基板相互连接，有时还需在其表面做RDL，实现上下TSV连接。4D SIP，4D集成定义主要是关于多块基板的方位和相互连接方式，因此在4D集成也会包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理结构：多块基板采用非平行的方式进行安装，且每一块基板上均设有元器件，元器件的安装方式具有多样性。电气连接：基板间采用柔性电路或焊接的方式相连，基板中芯片的电气连接多样化。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。

合封芯片应用场景，合封芯片的应用场景：合封芯片可用于需要多功能、高性能、高稳定性、低功耗、省成本的应用场景。例如家居电子：智能环境监测系统可以实时监测室内空气质量、温度、湿度等环境参数，并根据需要进行调整。遥控玩具：遥控车可以集成多种传感器和执行器，实现自动避障、自动跟随等功能......应用场景比较全，可以采购原有合封芯片，还能进行定制化云茂电子服务。总结，合封芯片等于芯片合封技术，合封芯片又包含CoC封装技术和SiP封装技术等。如果需要更多功能、性能提升、稳定性增强、功耗降低、开发简单、防抄袭都可以找云茂电子。SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。南通WLCSP封装型式

SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统，整合在一个单位中。浙江WLCSP封装行价

此外，在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。随着电子硬件不断演进，过去产品的成本随着电子硬件不断演进，性能优势面临发展瓶颈，而先进的半导体封装技术不只可以增加功能、提升产品价值，还有效降低成本。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。2021 年，全球 SiP 市场规模约为 150 亿美元；预计 2021-2026 年，全球 SiP 市场年均复合增长率将在 5.8% 左右，到 2026 年市场规模将达到 199 亿美元左右。受益于人工智能、物联网、5G 等产业快速发展，预计未来 5 年，可穿戴智能设备、IoT 物联网设备将会是推动全球 SiP 市场增长的重要动力。目前全世界封装的产值只占集成电路总值的 10%，当 SiP 技术被封装企业掌握后，产业格局就要开始调整，封装业的产值将会出现一个跳跃式的提高。SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、5G 模组、AI 模组、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。浙江WLCSP封装行价