北京陶瓷封装

无须引线框架的BGA：1、定义，LSI芯片四周引出来的像蜈蚣脚一样的端子为引线框架，而BGA（Ball Grid Array）无须这种引线框架。2、意义：① 随着LSI向高集成度、高性能不断迈进，引脚数量不断增加（如DIP与QFP等引线框架类型的封装，较大引脚数、引脚间距、切筋使用的刀片厚度与精度均达到极限）；② 引线框架的引脚越小，弯曲问题就越严重，会严重妨碍后续线路板的安装，因此需要寻求不需要引线端子的封装，即BGA类型的封装（需在封装树脂底板上植球（焊锡球），以及分割封装的工序）。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。北京陶瓷封装

此外，在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。随着电子硬件不断演进，过去产品的成本随着电子硬件不断演进，性能优势面临发展瓶颈，而先进的半导体封装技术不只可以增加功能、提升产品价值，还有效降低成本。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。2021 年，全球 SiP 市场规模约为 150 亿美元；预计 2021-2026 年，全球 SiP 市场年均复合增长率将在 5.8% 左右，到 2026 年市场规模将达到 199 亿美元左右。受益于人工智能、物联网、5G 等产业快速发展，预计未来 5 年，可穿戴智能设备、IoT 物联网设备将会是推动全球 SiP 市场增长的重要动力。目前全世界封装的产值只占集成电路总值的 10%，当 SiP 技术被封装企业掌握后，产业格局就要开始调整，封装业的产值将会出现一个跳跃式的提高。SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、5G 模组、AI 模组、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。北京陶瓷封装一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。

随着物联网时代来临，全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计，因而使得可将多颗裸晶整合在单一封装中的SIP技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大SIP制造产能外，晶圆代工业者与IC基板厂也竞相投入此一技术，以满足市场需求。早前，苹果发布了较新的apple watch手表，里面用到SIP封装芯片，从尺寸和性能上为新手表增色不少。而芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升，转向更加务实的满足市场的需求。根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP技术为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。SiP技术特点：1、组件集成，SiP可以包含各种类型的组件，如：数字和模拟集成电路、无源元件（电阻、电容、电感）、射频（RF）组件、功率管理模块、内存芯片（如DRAM、Flash）、传感器和微电机系统（MEMS）。

PiP (Package In Package)， 一般称堆叠封装又称封装内的封装，还称器件内置器件，是在同一个封装腔体内堆叠多个芯片形成3D 封装的一种技术方案。封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上，同样的堆叠，通过金线再将两个堆叠之间的基板键合，然后整个封装成一个元件便是PiP（器件内置器件）。PiP封装技术较初是由KINGMAX公司研发的一种电子产品封装技术，该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程，可以将小型存储卡所需 要的零部件（控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件）直接封装，制成功能完整的Flash存储卡产 品。PiP一体化封装技术具有下列技术优势：超大容量、高读写速度、坚固耐用、强防水、防静电、耐高温等， 因此常运用于SD卡、XD卡、MM卡等系列数码存储卡上。Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。

由于物联网“智慧”设备的快速发展，业界对能够在更小的封装内实现更多功能的系统级封装 (SiP) 器件的需求高涨，这种需求将微型化趋势推向了更高的层次：使用更小的元件和更高的密度来进行组装。 无源元件尺寸已从 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 缩小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，细间距锡膏印刷对 SiP 的组装来说变得越来越有挑战性。 对使用不同助焊剂和不同颗粒尺寸锡粉的 3 种锡膏样本进行了研究； 同时通过比较使用平台和真空的板支撑系统，试验了是否可以单独使用平台支撑来获得一致性较好的印刷工艺；并比较了激光切割和电铸钢网在不同开孔尺寸下的印刷结果。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。北京MEMS封装行价

SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能。北京陶瓷封装

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。北京陶瓷封装