辽宁金属壳封装型晶振封装

电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。晶体振荡器是固定频率振荡器之一，其中它们的精度和稳定性是**重要的考虑因素。辽宁金属壳封装型晶振封装

有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号，而LC振荡器稳定性较差，频率容易漂移（即产生的交流信号频率容易变化）。在振荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体，可以产生高度稳定的信号，这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。1.外形、结构与图形符号在石英晶体上按一定方位切下薄片，将薄片两端抛光并涂上导电的银层，再从银层上连出两个电极并封装起来，这样构成的元件叫石英晶体谐振器，简称石英晶体。石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，Resistance Welded 电阻焊，冲压；重庆串联谐振型晶振工作电压晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。

串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。

陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，1：压电陶瓷材料，2：压电石英材料。陶瓷晶振别名又叫陶振；在中国晶振厂家经常这样叫法。陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），**产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，**产品：ZTT4.0MHZ。频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五。电视中的晶振电路一般用于系统控制电路和解码电路中，与微处理器相配合为CPU电路提供时钟振荡信号。

判断反馈电路的类型，因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。有源晶振是用石英晶体组成的，石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应。青海玻璃真空密封型晶振

晶体振荡器被认为优于陶瓷谐振器，因为它们具有更高的稳定性、更高的质量、更低的成本和更小的尺寸。辽宁金属壳封装型晶振封装

陶瓷谐振器（SMD）简称陶瓷晶振，一般是采用压电陶瓷制作的一种谐振元器件。其与晶振在工作原理、等效电路、应用电路等具有相似之处。起到产生频率的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点。陶瓷晶振是通过人工材料制成，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片，然而当今的陶瓷技术已可做到将烧结的尺寸变化控制在0.1%的范围，不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振封装由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，精度上相对于石英晶振来说偏低，精度一般能达到300ppm-5000ppm，比石英晶体谐振器的频率精度要低。主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。辽宁金属壳封装型晶振封装

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