河南陶瓷晶振频率

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。在数字应用中使用晶体振荡器有很多好处。晶体可以制造成具有***的特定频率。河南陶瓷晶振频率

开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时间（如1小时）的频率的变化率，表示了晶振达到稳定的速度。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的。因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的比较大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内比较大的总频率变化（如：±1ppm/（***年）和±5ppm/（十年））来表示。江苏椭圆形晶振尺寸有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，里面除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件。

间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）转换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。

石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，ResistanceWelded电阻焊，冲压；产品工业的不同，其封装方式及特点也有所不同。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)；SMD晶振在上板上机时可以自动化装配，提高生产效率，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中；应用于智能手机、无线蓝牙、平板电脑等数码产品；DIP因为有脚引，无焊盘，主要通过人工装配，利用手工对产品进行插件与焊接；应用于钟表、平板电脑、微型计算机等。温度补偿晶体振荡器通过附加的温度补偿电路，使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶振。

晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。陶瓷晶振芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。河南陶瓷晶振频率

在晶体振荡器中，晶体作为谐振器振动，产生的频率决定了振荡频率。河南陶瓷晶振频率

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。河南陶瓷晶振频率

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