企业商机
ESD保护元件基本参数
  • 品牌
  • 意昇
  • 型号
  • SRV05-4
  • 材质
  • 半导体
ESD保护元件企业商机

ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时,产品的组装、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤,通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生,因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外,还要加强产品的ESD防护设计,尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品可靠性的一个重要环节。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。湖南HDMI接口ESD保护元件测试

根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构,防护器件的结电容需要满足表1的要求,防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压,同时要远远小于被保护器件的ESD或值电乐,ESD防护电路的响应时间要小于被保护器件的响应时间。高频信号频率低于1GHz,可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护,如果信号功率小,峰值电平低于二极管的正向导通电压,也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护,如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压,应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。湖北RS485接口ESD保护元件电压在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力。

由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。

高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感,并要求防护器件有ns级的响应速度。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案,在GHz以上的电路中选用LC高通滤波器会有更加理想的ESD防护效果。ESD防护电路的防护能力与选用的防护器件、被保护器件的ESD敏感度、电路结构形式、布线等因素密切相关,一般无法直接确定一个防护电路单元的防护能力,必须把防护电路单元和被保护的具体电路作为一个整体并按照标准IEC61000-4-2的测试方法进行测试,以确定一个实际电路的防护效果。来明电子可提供多种类型的ESD静电保护元件,并提供选型替代,国产化替代,具有较高的性价比。

在高频接口还可以采用电阻衰减网络和LC滤波电路形成ESD保护。电阻衰减网络在很宽的频带范围都有较好的适应性,但是它在衰减ESD脉冲的同时,对高频信号进行同比例衰减,改变了电路系统的增益分配,而且在低噪声要求的高频接口不能采用此方法。从图1的ESD频谱可见,数百MHz以下的高频接口很难使用滤波方法实现ESD防护,只有在GHz以上的高频接口且使用LC高通滤波器才具有可实现性。适用于高频信号接口的ESD防护电路必须有很小的并联结电容、较小的串联电感和很快的响应速度,这对防护器件参数的选取、PCB布局的寄生参数控制、阻抗匹配以及布板面积都有较高的要求,实际实现起来并不简单。在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。重庆BNC接口ESD保护元件参数

ESD静电保护元件可提供多种封装形式。湖南HDMI接口ESD保护元件测试

Resistor不单独用于芯片的ESD保护,它往往用于辅助的ESD保护,如芯片Input***级保护和第二级保护之间的限流电阻。当ESD电流过大,***级ESD器件难以将电压钳位至安全区域时,第二级ESD器件的导通将使其与电阻分压,从而进一步降低进入内部电路的电压。又如用于GG-NMOS的栅电阻,如图6所示,NMOS的栅极通过一电阻接地,而非直接接地。如此一来,在NMOS漏端发生正向的ESD脉冲时,由于NMOS的漏一栅电容,会使得器件的栅极耦合出一正的电势,该电势会促使NMOS的沟道开启,从而起到降低NMOS在ESD应力下触发电压的目的。湖南HDMI接口ESD保护元件测试

上海来明电子有限公司成立于2010-08-11,位于灵山路1000弄2号808,公司自成立以来通过规范化运营和高质量服务,赢得了客户及社会的一致认可和好评。公司主要产品有TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等,公司工程技术人员、行政管理人员、产品制造及售后服务人员均有多年行业经验。并与上下游企业保持密切的合作关系。晶导微电子,意昇,美硕,成镐以符合行业标准的产品质量为目标,并始终如一地坚守这一原则,正是这种高标准的自我要求,产品获得市场及消费者的高度认可。我们本着客户满意的原则为客户提供TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容产品售前服务,为客户提供周到的售后服务。价格低廉优惠,服务周到,欢迎您的来电!

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常见人体带电过程如下:(1)人从椅子上站起来,或擦拭墙壁等过程(**初的电荷分离发生在衣物或其他相关物体外表面,然后,人体由感应带电。(2)人在高电阻率材料制成的地毯等绝缘地板上走动(**初的电荷分离发生在鞋和地板之间,然后,对于导电性鞋,人体由电荷传递而带电;对于绝缘鞋,人体是因感应而带电)。(3)脱下外衣时的静电。这是发生在外层衣物与内层衣物之间的接触起电,人体则经过电荷传递或感应而带电。(4)液体或粉体从人拿着的容器内倒出(该液体或粉体把一种极性的电荷带走,将等量异性的电荷留在人体上。(5)与带电材料接触。如对高度带电粉体取样时的带电。当存在连续起电过程时,由于电荷泄漏和放电,使得人体比...

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