广东USB TYPE C ESD保护元件电压

现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展，从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成度芯片内部的细引线、小间距、薄膜化使器件尺寸进一步缩小，氧化层进一步减薄，导致器件抗ESD能力越来越低高速数字电路、高频模拟电路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工艺，采这些工艺制作的器件明显具有ESD高敏感特性。IC中的线宽和间距越来越窄(从儿un到0.07m)，电源电压越来越低(从15V到15V)，IC抗ESD损坏的阈值电压越来越低。例如，现在通信设备中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工艺制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高频芯片中集成的MIM电容等，它们的静电敏感电压都在数百伏，低达100V，成为ESD高损伤率器件。常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。广东USB TYPE C ESD保护元件电压

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。甘肃贴片ESD保护元件测试来明电子可提供多种类型的ESD静电保护元件，并提供选型替代，国产化替代，具有较高的性价比。

人体静电防护编辑 播报人体是**普遍存在的静电危害源。对于静电来说，人体是导体，所以可以对人体采取接地的措施。(1).使用防静电地面/ 防静电鞋/ 袜(静电从脚导到大地)通过脚穿防静电性地面、地垫、地毯，人员穿上防静电鞋袜，形成组合接地。(2).佩戴防静电腕带并接地(静电从手导到大地)通过手用以泄放人体的静电。它由防静电松紧带、活动按扣、弹簧软线.保护电阻及插头或夹头组成。松紧带的内层用防静电纱线编织，外层用普通纱线编织。

静电放电ESD接触放电就是是电荷集中到一点然后通过可接触的导体直接转移到测试产品里面，这个是有预期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺丝、可接触的引脚上面。ESD空气放电是电荷集中到***头顶端保持5秒，通过慢慢靠近被测试产品不能导电的部分看电荷能不能击穿绝缘部分，或者通过缝隙击穿空气进去。这个触发是360度随机的。这样的方式可以找到产品的不足之处。一般击打屏幕缝隙、按键缝隙、还有嵌入式的引脚端口等不能直接接触到导体的地方。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案。

根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构，防护器件的结电容需要满足表1的要求，防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压，同时要远远小于被保护器件的ESD或值电乐，ESD防护电路的响应时间要小于被保护器件的响应时间。高频信号频率低于1GHz，可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护，如果信号功率小，峰值电平低于二极管的正向导通电压，也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护，如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压，应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。通过串联的方式可以有效降低ESD防护电路的电容。甘肃天线接口ESD保护元件应用

ESD静电保护元件一般为硅基材料器件，相应速度可做到ps级。广东USB TYPE C ESD保护元件电压

静电放电机器模型MM因在日本得到广泛应用，也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻（<10Ω）代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型**如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻放电的波形,峰值电流可达几百安培，持续时间（决定于放电通路的电感）为几百纳秒。机器放电模型是电子元器件的(HBM/MM/CDM)三个重要放电模型之一，其主要的测试设备为EST883A静电放电模拟器，它是EST883A静电放电模拟器(电子元器件如二极管、三极管和集成电路等人体模型**)的基础上增加了机器模型(MM)。广东USB TYPE C ESD保护元件电压