四川贴片ESD保护元件原理

ESD静电的来源,在电子制造业中，静电的来源是多方面的，如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是**重要的静电源，这主要有三个方面的原因：1、人体接触面广，活动范围大，很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电，同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件放电；2、人体与大地之间的电容低，约为50一250pF，典型值为150PF，故少量的人体静电荷即可导致很高的静电势；3、人体的电阻较低，相当于良导体，如手到脚之间的电阻只有几百欧姆，手指产生的接触电阻为几千至几十千欧姆，故人体处于静电场中也容易感应起电，而且人体某一部分带电即可造成全身带电。硅基ESD保护器件的结电容与其工作电压成反比关系。四川贴片ESD保护元件原理

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。重庆低压电源线ESD保护元件选型静电保护元件可提供多种封装形式。

人体静电电压比较高可达约50kV以下，因为当存在连续起电过程时，由于电荷泄漏和放电，使得人体比较高电位得以被限制。2、一般生活中，在不同湿度条件下，人体活动产生的静电电位有所不同。在干燥的季节，人体静电可达几千伏甚至几万伏。3、产生原因：人体静电是由于人的身体上的衣物等相互摩擦产生的附着于人体上的静电。静电的产生是由于原子核对外层电子的吸引力不够，从而在摩擦或其它因素的作用下失去电子，于是造成摩擦物带负电荷。在摩擦物绝缘性能比较好的情况下，这些电荷无法流失，就会聚集起来。并且由于绝缘物的电容性极差，从而造成虽然电荷量不大但电压很高的状况。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时，Nwell/Pwell结发生雪崩击穿，击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件开启，阳极的P+注入大量空穴，阴极的N+注入大量电子，注入的空穴成为NPN器件的基极电流，注入的电子成为PNP器件的基极电流，正反馈过程得以形成，使Nwell和Pwell均出现强烈的电导调制效应，继而降低器件两端的压降。因此，SCR器件的维持电压往往很低，并由此导致其抗ESD能力非常强，微分电阻也非常小。在阳极出现NegativeESDPulse时，电流可通过正偏的阴极P+/阳极N+释放。ESD放电具有高频、快速放电特性，对防护器件的响应速度要求较高。

日常生活防静电ESD防护，1保持皮肤湿润，静电如果频繁找上你，很可能是因为你的皮肤缺水了。提高皮肤的湿润度，可以更好地避免静电的产生，也就避免了静电给皮肤带来疼痛感。2室内保持湿度，秋冬季节空气湿度下降，导致静电难以释放，这就造成了身体静电过多。在室内防静电的比较好办法就是增加空气湿度，一般要求相对湿度在45%～65%。干燥季节要保持空气湿度，可在室内放一盆水，让水自然蒸发，或者使用加湿器调节室内湿度。3静电释放装置，可选购市面上常见的静电放电器、静电释放棒、静电带、静电贴、除静电钥匙扣等。触碰金属部件时，先用小金属物品（如：钥匙、静电放***）先接触需接触的位置，以达到消除静电的目的。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。湖北HDMI接口ESD保护元件测试

通过串联的方式可以有效降低ESD防护电路的电容。四川贴片ESD保护元件原理

由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现，在CMOS工艺中，其击穿电压大约有几十伏，远高于一般器件的栅氧击穿电压，达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言，SCR的触发电压需要通过一些方法降低，以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容，这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现，在CMOS工艺中，其击穿电压大约有几十伏，远高于一般器件的栅氧击穿电压，达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言，SCR的触发电压需要通过一些方法降低，以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容，这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。四川贴片ESD保护元件原理

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