企业商机
瞬态抑制二极管基本参数
  • 品牌
  • 晶导微电子
  • 型号
  • 瞬态抑制二极管TVS
  • 半导体材料
  • 芯片类型
  • 双极型,单极性
  • 封装形式
  • 贴片型,轴向引线型
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,环氧树脂封装
瞬态抑制二极管企业商机

热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良。山东30000W瞬态抑制二极管参数

高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量**增加[5],表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使pn结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中,在承受相同功率时,高击穿电压TVS芯片温升更高。山东30000W瞬态抑制二极管参数瞬态电压抑制器TVS可以在-55~+150℃之间工作。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数)。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。

单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性,具有双向对称性,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。。根据用途选用TVS 的极性及封装结构。

常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征结合器件结构,材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因,分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷,表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小。湖北瞬态抑制二极管功率计算

当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,皮秒级的速度变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率。山东30000W瞬态抑制二极管参数

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河南SMA瞬态抑制二极管 2023-08-17

对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水...

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