国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以 99.5% 高纯氮化铝为基材,通过干压成型与 1800℃高温烧结工艺制成,完美适配半导体高温工艺需求。其热导率可达 220W/mK,热膨胀系数* 4.03×10⁻⁶/℃,与硅晶圆热特性高度匹配,有效避免高温下因热应力导致的晶圆翘曲。内部嵌入钨制加热元件,经共烧工艺实现紧密结合,加热面温度均匀性控制在 ±1℃以内,工作温度上限提升至 800℃,远超传统铝合金加热盘的 450℃极限。表面经精密研磨抛光处理,平面度误差小于 0.01mm,可耐受等离子体长期轰击无损伤,在晶圆退火、氧化等高温工艺中表现稳定,为国产替代提供高性能材质解决方案。专业热仿真分析,优化热场分布设计,确保加热效果均匀。山东涂胶显影加热盘定制

面向半导体新材料研发场景,国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材,工作温度范围覆盖 500℃-2000℃,可通过程序设定实现阶梯式升温,升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点,实时监测温度分布,数据采样频率达 10Hz,支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑(直径 30cm),重量* 5kg,配备小型真空腔体与惰性气体接口,适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求,已服务于中科院半导体所等科研机构。山西半导体加热盘非标定制多种规格形状灵活定制,满足特殊需求,无锡国瑞是您可靠合作伙伴。

国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能,可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线,适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准,拆卸维护无需特殊工具,大幅降低生产线停机时间。
在半导体离子注入工艺中,国瑞热控配套加热盘以稳定温控助力掺杂浓度精细控制。其采用耐高温合金基材,经真空退火处理消除内部应力,可在 400℃高温下长期稳定运行而不变形。加热盘表面喷涂绝缘耐离子轰击涂层,避免电荷积累对注入精度的干扰,同时具备优良的导热性能,能快速将晶圆预热至设定温度并保持恒定。设备配备双路温度监测系统,分别监控加热元件与晶圆表面温度,当出现偏差时自动启动调节机制,温度控制精度达 ±1℃。适配不同型号离子注入机,通过标准化接口实现快速安装,为半导体掺杂工艺的稳定性与重复性提供有力支持。高效稳定耐用三大优势,国瑞加热盘经得起时间考验。

国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺,开发**加热盘适配 MOCVD 设备需求。采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层,在 1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配,避免衬底开裂风险,热导率达 150W/mK,确保热量均匀传递至衬底表面。内部设计 8 组**加热模块,通过 PID 精密控制实现 ±0.5℃的控温精度,精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口(1050℃-1150℃)。设备配备惰性气体导流通道,减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷,与中微公司 MOCVD 设备联合调试,使外延层厚度均匀性误差控制在 3% 以内,为 5G 射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持。远程监控功能可选,实时掌握设备状态,智能便捷管理。山东刻蚀晶圆加热盘供应商
个性化定制服务,根据工艺需求特殊设计,完美匹配应用。山东涂胶显影加热盘定制
国瑞热控依托 10 余年半导体加热盘研发经验,提供全流程定制化研发服务,满足客户特殊工艺需求。服务流程涵盖需求分析、方案设计、原型制作、性能测试、批量生产五大环节,可根据客户提供的工艺参数(温度范围、控温精度、尺寸规格、环境要求等),定制特殊材质(如高纯石墨、氮化硅陶瓷)、特殊结构(如多腔体集成、异形加热面)的加热盘。配备专业研发团队(含材料学、热力学、机械设计工程师),采用 ANSYS 温度场仿真软件优化设计方案,原型样品交付周期**短 10 个工作日,且提供 3 次**方案迭代。已为国内多家半导体设备厂商定制**加热盘,如为某企业开发的真空腔体集成加热盘,实现加热与匀气功能一体化,满足其特殊制程的空间限制需求。山东涂胶显影加热盘定制
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
在半导体离子注入工艺中 ,国瑞热控配套加热盘以稳定温控助力掺杂浓度精细控制。其采用耐高温合金基材 ,经真空退火处理消除内部应力 ,可在400℃高温下长期稳定运行而不变形。加热盘表面喷涂绝缘耐离子轰击涂层 ,避免电荷积累对注入精度的干扰 ,同时具备优良的导热性能 ,能快速将晶圆预热至设定温度并保持恒定。设备配备双路温度监测系统 ,分别监控加热元件与晶圆表面温度 ,当出现偏差时自动启动调节机制 ,温度控制精度达±1℃。适配不同型号离子注入机 ,通过标准化接口实现快速安装 ,为半导体掺杂工艺的稳定性与重复性提供有力支持。持续改进服务理念,听取客户反馈,不断提升产品性能。吉林刻蚀晶圆加热盘非标定制针对...