西门康赛米控晶闸管咨询

晶闸管（Thyristor）是一种具有四层PNPN结构的半导体功率器件，由三个PN结组成，包含阳极（A）、阴极（K）和门极（G）三个端子。其工作原理基于PN结的正向偏置与反向偏置特性：当门极施加正向触发脉冲时，晶闸管从阻断状态转为导通状态，此后即使撤去触发信号，仍保持导通，直至阳极电流低于维持电流或施加反向电压。晶闸管的**特性包括：单向导电性、可控触发特性、高耐压与大电流容量、低导通损耗等。其导通状态下的压降通常在1-2V之间，远低于机械开关，因此适用于高功率场景。此外，晶闸管的关断必须依赖外部电路条件（如电流过零或反向电压），这一特性使其在交流电路中应用时需特别设计换流电路。在实际应用中，晶闸管的触发方式分为电流触发、光触发和温度触发等，其中电流触发**为常见。触发脉冲的宽度、幅度和上升沿对晶闸管的可靠触发至关重要，一般要求触发脉冲宽度大于晶闸管的开通时间（通常为几微秒至几十微秒）。 晶闸管的雪崩击穿电压是其重要安全参数。西门康赛米控晶闸管咨询

双向晶闸管的触发特性是其应用的**，触发模式的选择直接影响电路性能。四种触发模式中，模式 Ⅰ+（T2 正、G 正）触发灵敏度*高，所需门极电流**小，适用于低功耗控制电路；模式 Ⅲ-（T2 负、G 负）灵敏度*低，需较大门极电流，通常较少使用。实际应用中，需根据负载类型和电源特性选择触发模式。例如，对于感性负载（如电机），由于电流滞后于电压，可能在电压过零后仍有电流，此时应选用模式 Ⅰ+ 和 Ⅲ+ 组合触发，以确保正负半周均能可靠导通。触发电路设计时，需考虑门极触发电流（IGT）、触发电压（VGT）和维持电流（IH）等参数。IGT 过小可能导致触发不可靠，过大则增加驱动电路功耗。通过 RC 移相网络或光耦隔离触发电路，可实现对双向晶闸管触发角的精确控制，满足不同应用场景的需求。 中国澳门晶闸管电子元器件光控晶闸管（LASCR）通过光信号触发，适用于高压隔离场景。

晶闸管在实际应用中面临过压、过流、di/dt 和 dv/dt 等应力，必须设计完善的保护电路以确保其安全可靠运行。
di/dt保护是防止晶闸管在导通瞬间因电流上升率过大而损坏的关键。过大的di/dt会导致结温局部过高，甚至引发器件长久性损坏。通常在晶闸管阳极串联电感（如空心电抗器）或采用饱和电抗器，限制di/dt在允许范围内（一般为几十A/μs至几百A/μs）。
dv/dt保护用于防止晶闸管在阻断状态下因电压上升率过大而误触发。过高的dv/dt会使结电容充电电流增大，当该电流超过门极触发电流时，晶闸管将误导通。常用的dv/dt保护措施是在晶闸管两端并联RC缓冲电路，降低电压上升率。

晶闸管在实际应用中面临过压、过流、di/dt和dv/dt等应力，必须设计完善的保护电路以确保其安全可靠运行。
过压保护通常采用RC吸收电路和压敏电阻（MOV）。RC吸收电路并联在晶闸管两端，当出现电压尖峰时，电容充电限制电压上升率，电阻则消耗能量防止振荡。压敏电阻具有非线性伏安特性，当电压超过阈值时，其阻值急剧下降，将过电压钳位在安全范围内。例如，在感性负载电路中，晶闸管关断时会产生反电动势，RC吸收电路和MOV可有效抑制这一电压尖峰。
过流保护主要依靠快速熔断器和电流检测电路。快速熔断器在电流超过额定值时迅速熔断，切断电路；电流检测电路（如霍尔传感器）实时监测电流，当检测到过流时，通过控制电路提前关断晶闸管或触发保护动作。在高压大容量系统中，还可采用限流电抗器限制短路电流上升率。 采用模块化设计，晶闸管模块集成了多个晶闸管单元，简化了复杂电路的布局。

高压直流输电（HVDC）是晶闸管的重要应用领域之一。与交流输电相比，HVDC在长距离输电、海底电缆输电和异步电网互联中具有明显的优势，而晶闸管是HVDC换流站的重要器件。在HVDC系统中，晶闸管主要用于构成换流器，包括整流器和逆变器。整流器将三相交流电转换为直流电，逆变器则将直流电还原为交流电。传统的HVDC换流器多采用12脉动桥结构，每个桥由6个晶闸管串联组成，通过精确控制晶闸管的触发角，可实现对直流电压和功率的调节。晶闸管在HVDC中的关键优势包括：高耐压能力（单个晶闸管可承受数千伏电压）、大电流容量（可达数千安培）、可靠性高（使用寿命长）和成本效益好。例如，中国的特高压直流输电工程（如±800kV云广直流工程）采用了大量光控晶闸管（LTT），单阀组额定电压达800kV，额定电流达4000A，传输容量超过5000MW。然而，晶闸管在HVDC中的应用也面临挑战。由于晶闸管属于半控型器件，关断依赖电流过零，因此在故障情况下的快速灭弧能力较弱。为解决这一问题，现代HVDC系统引入了混合式换流器技术，将晶闸管与全控型器件（如IGBT）结合，提高系统的故障穿越能力和动态响应性能。 晶闸管的门极触发电压（VGT）需满足规格要求。北京赛米控晶闸管

晶闸管的串联使用可提高耐压等级。西门康赛米控晶闸管咨询

可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。 西门康赛米控晶闸管咨询